筆者從5月23日在北京舉行的02重大專項(xiàng)成果發(fā)布會(huì)上了解到，過去九年中，中微半導(dǎo)體通過先后承擔(dān)并圓滿完成65-45納米、32-22納米、22-14納米等三項(xiàng)等離子介質(zhì)刻蝕設(shè)備產(chǎn)品研制和產(chǎn)業(yè)化的02專項(xiàng)任務(wù)，使我國在該項(xiàng)設(shè)備領(lǐng)域中的技術(shù)基本保持了與國際先進(jìn)水平同步。

中微半導(dǎo)體率先開發(fā)了包括甚高頻去耦合反應(yīng)離子刻蝕的等離子體源和雙反應(yīng)臺(tái)的反應(yīng)腔等一系列完全自主創(chuàng)新的設(shè)計(jì)，使之與國外同類設(shè)備相比，在產(chǎn)能、潔凈室面積占用和設(shè)備擁有成本等重要指標(biāo)上都具有約30%的優(yōu)勢。中微半導(dǎo)體高效、好用的介質(zhì)刻蝕設(shè)備不但支持了國內(nèi)制造企業(yè)從65納米到28納米技術(shù)代的發(fā)展，而且已經(jīng)在國際市場上，在各個(gè)技術(shù)節(jié)點(diǎn)上都與世界最先進(jìn)的設(shè)備廠商競爭。

目前中微半導(dǎo)體已經(jīng)有460多個(gè)介質(zhì)刻蝕反應(yīng)臺(tái)在海內(nèi)外27條生產(chǎn)線上高質(zhì)穩(wěn)定的生產(chǎn)了4000多萬片晶圓。中微半導(dǎo)體在臺(tái)積電的研發(fā)線上正在進(jìn)行5納米的刻蝕開發(fā)和核準(zhǔn)。

在02專項(xiàng)的支持下，中微半導(dǎo)體還開發(fā)了12英寸的電感型等離子體ICP刻蝕機(jī)，達(dá)到了刻蝕的線寬均勻性3sigma小于1納米的精確程度，已經(jīng)在中芯國際北京生產(chǎn)線的評價(jià)中得到了很好的結(jié)果，并將在多個(gè)國際一流和生產(chǎn)線試運(yùn)行。

中微半導(dǎo)體還開發(fā)了8英寸和12英寸TSV硅通孔刻蝕設(shè)備，產(chǎn)品不但占有了約50%的大陸市場，而且已經(jīng)進(jìn)入了臺(tái)灣、新加坡、日本和歐洲市場。特別是在國際MEMS傳感器最領(lǐng)先的博世（BOSCH）和意法半導(dǎo)體（STM）進(jìn)入大生產(chǎn)，比美國的刻蝕設(shè)備有更好的表現(xiàn)。

對照專項(xiàng)實(shí)施之前我國幾近空白的高端半導(dǎo)體裝備產(chǎn)業(yè)，中微半導(dǎo)體所取得的02專項(xiàng)成果具有高度自主創(chuàng)新的內(nèi)涵和不斷跨越式發(fā)展的特征。美國因此不得不承認(rèn)繼續(xù)限制向中國出口高端刻蝕設(shè)備已經(jīng)“達(dá)不到其目的了”，并正式聲明，從瓦森納協(xié)定的軍民兩用出口限制清單中將刻蝕設(shè)備移除。

中微半導(dǎo)體介質(zhì)刻蝕機(jī)的開發(fā)，還帶動(dòng)了國內(nèi)材料產(chǎn)業(yè)的本土化發(fā)展，中微半導(dǎo)體刻蝕設(shè)備材料國產(chǎn)化率達(dá)到35%，已開發(fā)了20多個(gè)國內(nèi)的反應(yīng)器和系統(tǒng)主機(jī)加工等供應(yīng)廠商，加工能力和質(zhì)量達(dá)到了國際先進(jìn)水平。

知識產(chǎn)權(quán)從來都是先進(jìn)企業(yè)用來圍堵后發(fā)者的利器。因此，知識產(chǎn)權(quán)斗爭的激烈程度也是后發(fā)者是否成功的標(biāo)記。

中微半導(dǎo)體在近八年中在全世界共申請了超過800件相關(guān)專利，其中絕大部分是發(fā)明專利，目前有一半以上已獲授權(quán)。中微半導(dǎo)體堅(jiān)持自主創(chuàng)新，但在公司的產(chǎn)品威脅到早已瓜分完畢的既定市場時(shí)，不可避免的遭到來自競爭對手的知識產(chǎn)權(quán)阻擊。美國最大的兩家半導(dǎo)體設(shè)備公司曾先后向中微提起知識產(chǎn)權(quán)訴訟。中微半導(dǎo)體都沉著應(yīng)對，據(jù)理力爭，最后的結(jié)果是中微半導(dǎo)體勝訴一起，另一起以“和解”結(jié)束。