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一種低噪聲亞采樣鎖相環(huán)的設計
2017年微型機與應用第5期
王宇濤,曾銘,傅忠謙,林福江
中國科學技術大學 信息科學技術學院,安徽 合肥 230026
摘要: 介紹了一種2.4 GHz的低噪聲亞采樣鎖相環(huán)。環(huán)路鎖定是利用亞采樣鑒相器對壓控振蕩器的輸出進行采樣。不同于傳統(tǒng)電荷泵鎖相環(huán),由于在鎖定狀態(tài)下沒有分頻器的作用,由鑒相器和電荷泵所產(chǎn)生的帶內(nèi)噪聲不會被放大N2 倍,從而會使鎖相環(huán)的帶內(nèi)噪聲極大程度地減小。在輸出電壓擺幅相同的情況下,壓控振蕩器采用NMOSPMOS互補結(jié)構(gòu)降低了鎖相環(huán)的功耗。鎖相環(huán)的設計在TSMC 180 nm CMOS工藝下完成,在1.8 V的供電電壓下,鎖相環(huán)功耗為7.2 mW。在偏移載波頻率200 kHz處,環(huán)路的帶內(nèi)噪聲為-124 dBc/Hz。
Abstract:
Key words :

  王宇濤,曾銘,傅忠謙,林福江

  (中國科學技術大學 信息科學技術學院,安徽 合肥 230026)

       摘要:介紹了一種2.4 GHz的低噪聲亞采樣鎖相環(huán)。環(huán)路鎖定是利用亞采樣鑒相器對壓控振蕩器的輸出進行采樣。不同于傳統(tǒng)電荷泵鎖相環(huán),由于在鎖定狀態(tài)下沒有分頻器的作用,由鑒相器和電荷泵所產(chǎn)生的帶內(nèi)噪聲不會被放大N2 倍,從而會使鎖相環(huán)的帶內(nèi)噪聲極大程度地減小。在輸出電壓擺幅相同的情況下,壓控振蕩器采用NMOSPMOS互補結(jié)構(gòu)降低了鎖相環(huán)的功耗。鎖相環(huán)的設計在TSMC 180 nm CMOS工藝下完成,在1.8 V的供電電壓下,鎖相環(huán)功耗為7.2 mW。在偏移載波頻率200 kHz處,環(huán)路的帶內(nèi)噪聲為-124 dBc/Hz。

  關鍵詞:鎖相環(huán);亞采樣鑒相器;電荷泵;低噪聲

  中圖分類號:TN432文獻標識碼:ADOI: 10.19358/j.issn.1674-7720.2017.05.010

  引用格式:王宇濤,曾銘,傅忠謙,等.一種低噪聲亞采樣鎖相環(huán)的設計[J].微型機與應用,2017,36(5):29-31,34.

0引言

  在無線通信系統(tǒng)中,一個低抖動、低噪聲的時鐘信號是必不可少的。鎖相環(huán)目前被廣泛應用于產(chǎn)生高精度的時鐘信號,例如為無線射頻收發(fā)機系統(tǒng)提供穩(wěn)定的本振時鐘信號。低噪聲的本振信號對于無線收發(fā)機系統(tǒng)的整體性能起著至關重要的作用。

  在傳統(tǒng)電荷泵鎖相環(huán)中,由于分頻器的作用,帶內(nèi)噪聲性能會被很大程度惡化。通常情況下,會選取較小的環(huán)路帶寬來抑制由鑒頻鑒相器和電荷泵所帶來的帶內(nèi)噪聲。然而,減小環(huán)路帶寬會增加鎖相環(huán)的鎖定時間以及芯片面積。

  由于亞采樣鎖相環(huán)在鎖定狀態(tài)下沒有分頻器的作用[1],所以能很好地解決環(huán)路帶寬與噪聲之間的折中問題,既能獲得大的環(huán)路帶寬,又能減小鎖相環(huán)的相位噪聲。

  本文分析了傳統(tǒng)電荷泵鎖相環(huán)的帶內(nèi)噪聲,提出了低噪聲亞采樣鎖相環(huán),給出了電路各模塊的具體實現(xiàn)和電路仿真結(jié)果。

1傳統(tǒng)電荷泵鎖相環(huán)的帶內(nèi)噪聲

  圖1為傳統(tǒng)電荷泵鎖相環(huán)(CPPLL)的基本結(jié)構(gòu)[2],主要由鑒頻鑒相器(Phase and Frequency Detector, PFD)、電荷泵(CP)、環(huán)路濾波器(Low Pass Filter, LPF)和壓控振蕩器(VCO)組成。圖2所示為CPPLL的相位噪聲模型[3],Kd為PFD/CP線性增益,F(xiàn)LPF(s)為環(huán)路濾波器的傳輸函數(shù),KVCO/s為VCO的增益。

Image 001.jpg

  CPPLL帶內(nèi)噪聲主要由PFD/CP的噪聲貢獻,利用圖2的相位域模型,可以得到閉環(huán)PD/CP的噪聲傳輸函數(shù)為:

  HPDCP(s)=φout,nφPDCP,n=1Kd·G(s)1+G(s)/N(1)

  其中,G(s)= Kd·FLPF·KVCO/s是PLL開環(huán)傳遞函數(shù)。所以由PFD/CP貢獻的帶內(nèi)噪聲為:

  KV}P99@LCZ`7V96QG}@1A$W.png

  其中,Kd=ICP/2π,相位噪聲Linband通常表示為單邊帶噪聲功率,SiPDCP是PFD/CP噪聲頻率譜密度。從式(2)可以看出,由于分頻器的存在,PLL的帶內(nèi)噪聲會被放大N2倍。從而較大的Kd,CP即較大的 PFD/CP線性增益Kd及較小的分頻比N會得到更優(yōu)的噪聲性能。

2SSPLL工作原理及噪聲分析

  本文提出的亞采樣鎖相環(huán)基本結(jié)構(gòu)框圖如圖3所示,主要由核心的亞采樣環(huán)路(Core Loop)及鎖頻環(huán)(FLL)構(gòu)成。如果僅使用核心電路,由于SSPD的捕獲范圍有限,在采樣的過程中,采樣器無法區(qū)分被采樣的頻率是所需的N·fRef 還是fRef 的其他諧波,故加入FLL可以得到所需的鎖定頻率。SSPD采用參考信號Ref對VCO的輸出進行采樣。使用相同的SSPD/CP作為Dummy采樣器,可以消除從采樣開關到VCO的電荷注入和補償BFSK效應[4],從而使采樣PLL的參考雜散性能得到優(yōu)化。

 

Image 002.jpg

  當環(huán)路未鎖定時,核心采樣電路與FLL一起工作,當Ref與FLL中分頻器輸出Div相位差小于π,PFD的輸出會掉入死區(qū)(Deadzone),使得CP2無法開啟,F(xiàn)LL停止工作,只有核心采樣電路單獨工作,直至鎖定。當環(huán)路鎖定時,Ref的上升沿與VCO差分輸出波形的交叉點對齊。SSPD采樣后,可以通過CP將采樣的電壓轉(zhuǎn)化為上下電流IUP和IDN。因為Ref采樣得到的電壓相等,所以CP的上下電流相等,從而VCO控制電壓VCTRL保持恒定不變,環(huán)路鎖定。

  由于環(huán)路鎖定時,F(xiàn)LL不工作,所以SSPLL的噪聲模型可以簡化成如圖4所示的模型。與圖2比較,很明顯地看到少了分頻器模塊對系統(tǒng)的影響,使得鎖相環(huán)的帶內(nèi)噪聲大幅度減小。從而SSPD/CP對整個環(huán)路貢獻的噪聲為:

  ))Y@C7($K3(4`3[9)6ZV65L.png

 

Image 003.jpg

  但是,參考信號源的噪聲依然會被放大N2倍,所以在SSPLL中,帶內(nèi)噪聲主要由參考信號源的噪聲貢獻。

3電路各模塊設計與實現(xiàn)

  3.1壓控振蕩器

Image 004.jpg

  圖5為壓控振蕩電路圖,(a)為VCO的原理圖,本文設計采用NMOSPMOS互補的結(jié)構(gòu)。相對于全NMOS、全PMOS結(jié)構(gòu),這種結(jié)構(gòu)不僅可以節(jié)省功耗,而且當偏置電流相等時,互補型結(jié)構(gòu)的VCO能夠獲得更好的相位噪聲[5]。此外,在偏置電流一定時,互補性結(jié)構(gòu)提供更大的負阻值,交叉耦合管的轉(zhuǎn)換速度更快,使得1/f噪聲的拐角頻率大大降低。在1 mA的偏置電流下,相位噪聲可以達到-120 dBc/Hz @ 1 MHz。(b)為高線性度Varactor對于VCO的變?nèi)莨躒aractor采用對稱式結(jié)構(gòu),可以有效提高頻率調(diào)諧增益KVCO的線性度,從而優(yōu)化噪聲性能。本文設計KVCO為55 MHz/V,調(diào)諧范圍為2.3 GHz~2.55 GHz,調(diào)諧曲線如圖6所示。

  3.2亞采樣鑒相器/電荷泵

  圖7所示為SSPD/CP的原理圖,圖8為本文提出的亞采樣CP的電路圖,在采樣過程中,鎖定時理想的采樣點為正弦信號的過零點,從而可以得到:

  J4QT70$3VRJDVG}M@4O1J[5.png

  

Image 005.jpg

  將亞采樣鎖相環(huán)CP與傳統(tǒng)電荷泵鎖相環(huán)CP的噪聲性能進行對比,可以得到:

  [(AY93@_PAWS0SD3DORT@5W.pngK

  通常情況下,N 1,AVCO/VGST>1,所以Kd,SS-Kd,CP。比較式(2)和式(3),可以得到亞采樣鎖相環(huán)的帶內(nèi)噪聲被大幅度抑制。但是在環(huán)路帶寬一定的情況下,CP增益過大會導致環(huán)路濾波器的電容過大,使得芯片的面積增大。加入脈沖產(chǎn)生器Pulser電路,控制CP導通時間,有效控制CP增益的大小,減小芯片面積。

  另外,在亞采樣CP中加入單位增益緩沖器,當輸出端充放電開關關閉時電流源管的漏端電壓和控制電壓相同,有效減小了由電荷分享而引起的電流紋波,提高了亞采樣鎖相環(huán)的雜散性能。

4電路仿真結(jié)果

Image 006.jpg

  圖9是SSPLL環(huán)路瞬態(tài)響應,可以看出SSPLL的輸出頻率隨著VCO控制電壓的變化而變化。圖(a)中A區(qū)域表示系統(tǒng)檢測Ref與Div相位差小于π,但頻率在Ref的其他諧波處,未鎖定。此時,F(xiàn)LL不工作,CP2輸出為0,只有SSPD/CP有電流輸出,SSPLL輸出頻率大于所需鎖定頻率,Ref與Div相位差逐漸累積增大;B區(qū)域表示M1處,Ref與Div相位差積累至大于π,CP2開啟,環(huán)路濾波器放電使得VCTRL電壓降低,從而SSPLL輸出頻率降低,使其接近鎖定頻率N·fRef;在C區(qū)域中的M2處,環(huán)路開始鎖定,VCO控制電壓和SSPLL輸出頻率保持不變。

  圖10和圖11所示分別為SSPLL的輸出頻譜(Spectrum)和相位噪聲性能。從圖中可以看出,SSPLL的參考雜散為-79.81 dBc,在偏移載波頻率200 kHz處,帶內(nèi)噪聲為-124 dBc/Hz。SSPLL的版圖如圖12所示,核心電路面積為750 μm×560 μm。

  

Image 007.jpg

5結(jié)論

  本文介紹了亞采樣鎖相環(huán)電路的工作原理,重點對比分析了亞采樣鎖相環(huán)與傳統(tǒng)電荷泵鎖相環(huán)的噪聲性能。基于TSMC 180 nm的工藝,在1.8 V供電電壓下,SSPLL的功耗為7.2 mW;在偏移載波頻率200 kHz處,帶內(nèi)噪聲為 -124 dBc/Hz;參考雜散為-79.81 dBc。

Image 008.jpg

  參考文獻

 ?。?] GAO X, KLUMPERINK E A M, BOHSALI M, et al. A low noise subsampling PLL in which divider noise is eliminated and PD/CP noise is not multiplied by N2 [J]. IEEE Journal of Solid State Circuits, 2009, 44(12): 3253-3263.

 ?。?] 陳瑩梅,王志功,章麗.一個簡單鑒頻鑒相器結(jié)構(gòu)實現(xiàn)的快速鎖定低抖動鎖相環(huán)[J].半導體學報,2008,29(1):88 92.

 ?。?] EGAN W F. Frequency synthesis by phase lock[M]. New York: Wiley Interscience, 2000.

 ?。?] GAO X, KLUMPERINK E A M, SOCCI G, et al. Spur reduction techniques for phase locked loops exploiting a sub sampling phase detector [J]. IEEE Journal of Solid State Circuits, 2010, 45(9): 1809-1821.

 ?。?] HAJIMIRI A, LEE T H. Design issues in CMOS differential LC oscillators [J]. IEEE Journal of SolidState Circuits, 1999, 34(5): 717-724.


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