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華虹半導體功率器件平臺累計出貨量突破500萬片晶圓

2017-03-30

  香港, 2017年3月30日 - (亞太商訊) - 全球領(lǐng)先的200mm純晶圓代工廠——華虹半導體有限公司(「華虹半導體」或「公司」,連同其附屬公司,統(tǒng)稱「集團」,股份代號:1347.HK)今天宣布,公司功率器件平臺累計出貨量已突破500萬片晶圓。其中,得益于市場對超級結(jié)MOSFET(「金氧半場效電晶體」)和IGBT(「絕緣柵雙極型電晶體」)的強勁需求,華虹半導體獨特且具競爭力的垂直溝槽型Super Junction MOSFET(「SJNFET」)以及場截止型IGBT累計出貨量分別超過了200,000片和30,000片晶圓,并保持快速增長趨勢。

  功率半導體器件在移動通訊、消費電子、開關(guān)電源、馬達驅(qū)動、LED驅(qū)動、新能源汽車、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域發(fā)揮著越來越重要的作用,是降低功耗、提高效率的關(guān)鍵核心器件。華虹半導體擁有十五年的功率器件穩(wěn)定量產(chǎn)經(jīng)驗,是全球首家、同時亦是最大的功率器件200mm晶圓代工廠。憑籍持續(xù)的研發(fā)和創(chuàng)新,公司以極具競爭力的功率半導體技術(shù),為客戶提供從低壓到高壓的完整解決方案,同時不斷向更高端、更廣闊應(yīng)用的高密度大功率器件方向深耕,延續(xù)其「全球功率器件領(lǐng)導者」的戰(zhàn)略布局。

  目前,公司已推出第三代SJNFET工藝平臺,技術(shù)參數(shù)達業(yè)界一流水平,可為客戶提供導通電阻更低、芯片面積更小、開關(guān)速度更快和開關(guān)損耗更低的產(chǎn)品解決方案。公司的場截止型IGBT技術(shù)參數(shù)可比肩國際領(lǐng)先企業(yè),并具有出色的背面晶圓加工能力,是中國大陸唯一擁有IGBT全套背面加工工藝的晶圓代工廠商。

  華虹半導體執(zhí)行副總裁范恒先生表示:「功率MOSFET累計出貨量突破500萬片是華虹半導體的一個重要里程碑,越來越多的功率系統(tǒng)設(shè)計人員將目光投向我們,尋求綠色能源、快速充電、工業(yè)應(yīng)用等方面領(lǐng)先的電源管理芯片代工方案。以綠色創(chuàng)『芯』為主軸,我們還將重點關(guān)注整個新能源汽車的產(chǎn)業(yè)鏈,包括充電樁、電池保護、馬達驅(qū)動等應(yīng)用。此外,我們正在加速研發(fā)應(yīng)用于高端工業(yè)和能源領(lǐng)域的超高壓IGBT技術(shù),相信會進一步鞏固公司在功率器件領(lǐng)域的領(lǐng)先地位?!?/p>


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