2016年因為旗艦型手機Galaxy Note 7全面召回，進而停產的事件，讓韓國科技大廠三星原本陷入虧損數十億美元的情況。所幸，在半導體市場大好的浪頭上，讓三星不但逃過虧損危機，甚至還呈現大舉獲利的局面。

因此，三星為乘勝追擊，決定在半導體事業(yè)上增加投資力道。根據市場調查機構的報告指出，三星2017年在半導體領域設備上的投資金額將比2016年成長11％，達到125億美元的規(guī)模，而2016年的設備投資金額為113億美元。

報告指出，2017年三星的投資項目，存儲器和系統(tǒng)LSI的投資比重為8：2左右。目前，三星正在韓國京畿道平澤市附近，興建世界最大規(guī)模的半導體生產線，預計在2017年中完工后，投入3D NAND Flash存儲器的量產。

業(yè)界認為，隨著物聯(lián)網市場的擴大和高端數字設備的陸續(xù)問世，存儲器的需求將大幅增加。因此，三星也對半導體市場的未來發(fā)展看好，擴大了投資的規(guī)模。

另外，韓國的另一家半導體大廠SK海力士，2017年將在設被上投資60億美元。這筆金額是全球第四大規(guī)模的投資，相較2016年的51．8億美元，增加約14％。市場分析認為，繼2016年下半年開始，包括DRAM與Flash市場恢復成長的態(tài)勢之后，該公司就積極投入3D NAND Flash存儲器的市場，并將繼續(xù)擴大投資規(guī)模。

預計，2017年SK海力士首先在京畿道利川的下一代DRAM M14生產線中，建立無塵室相關的基礎設施上投入資金。

至于，半導體龍頭的英特爾（intel），2017年則將在設備投資方面投入比2016年成長25％的金額，來到120億美元。英特爾2016年在設備上的投資金額也比2015年成長31％。事實上，英特爾從2016年開始，實施了高強度的體質改善工程，并專注于服務器領域的相關產品開發(fā)。英特爾2016年總計在半導體研發(fā)部門投入了127．5億美元的資金，規(guī)模是三星的四倍還要多，成為全球半導體產業(yè)投資金額的龍頭。