《電子技術(shù)應(yīng)用》
您所在的位置:首頁 > 模擬設(shè)計 > 業(yè)界動態(tài) > 比NAND閃存更快千倍 40nm ReRAM在中芯國際投產(chǎn)

比NAND閃存更快千倍 40nm ReRAM在中芯國際投產(chǎn)

2017-02-13
關(guān)鍵詞: 非晶硅 基板材料 NAND 閃存

非揮發(fā)性電阻式內(nèi)存(ReRAM)開發(fā)商Crossbar Inc.利用非導(dǎo)電的銀離子-非晶硅(a-Si)為基板材料,并透過電場轉(zhuǎn)換機制,開發(fā)出號稱比NAND閃存更快千倍速度的ReRAM組件,同時就像先前在2016年所承諾地如期實現(xiàn)量產(chǎn)。

根據(jù)Crossbar策略營銷與業(yè)務(wù)發(fā)展副總裁Sylvain Dubois表示,專為嵌入式非揮發(fā)性內(nèi)存(eNVM)應(yīng)用而打造的Crossbar ReRAM提供了更高性能,密度比DRAM更高40倍,耐久度與寫入速度更高1,000倍,單芯片尺寸約200mm2左右,即可實現(xiàn)高達terabyte(TB)級的儲存,并具有結(jié)構(gòu)簡單與易于制造等優(yōu)點。

1486774791134049337.png

Crossbar ReRAM技術(shù)易于配置,以實現(xiàn)低成本制造

該ReRAM組件目前正由其合作伙伴中芯國際(SMIC)進行生產(chǎn),SMIC最近已宣布為客戶出樣40nm CMOS工藝的ReRAM芯片。除了量產(chǎn)40nm ReRAM,預(yù)計不久也將實現(xiàn)28nm CMOS的生產(chǎn)。Dubois預(yù)期這一時間大約就在2017年的上半年,但他并未透露是否仍沿用SMIC還是其他代工廠為其生產(chǎn)28nm CMOS。

Crossbar成立于2010年,迄今已籌措超過8,000萬美元的資金,包括獲得來自中國創(chuàng)投公司Northern Light Venture Capital的支持。該公司目前正尋求透過知識財產(chǎn)權(quán)(IP)的授權(quán)業(yè)務(wù)模式。

Crossbar是目前競相投入開發(fā)非揮發(fā)性內(nèi)存(NVM)技術(shù)的多家公司之一;NVM技術(shù)可望用于取代閃存,并可微縮至28nm以及更先進工藝。尤其是在相變內(nèi)存無法成功用于商用市場后,ReRAM已被業(yè)界視為一種更可能取得成功的備選技術(shù)。不過,ReRAM技術(shù)也有多種版本,在許多情況下,可能無法完全深入了解在其切換和失效模式背后的原理。有些人甚至指出磁性內(nèi)存(MRAM)可能會是在28nm節(jié)點勝出的非揮發(fā)性內(nèi)存。

另一種競爭技術(shù)是基于碳納米管(CNT)薄層的非揮發(fā)性內(nèi)存,由Nantero Inc.所提供。該公司已將其CNT RAM技術(shù)授權(quán)給無晶圓廠芯片公司——富士通半導(dǎo)體(Fujitsu Semiconductor),用于其55nm及其后的40nm先進工藝中。

“有些應(yīng)用需要16Mbit或更高位的內(nèi)存,有些則不需要。我們正致力于處理更大的宏,但也讓客戶開發(fā)自家的ReRAM宏,”Dubois說。

ReRAM已經(jīng)明顯表現(xiàn)出優(yōu)于閃存的優(yōu)點了,包括20奈秒(ns)的讀取延遲以及12ns的寫入延遲,相形之下,閃存還存在幾毫秒的延遲。Dubois解釋,“我們的技術(shù)并不存在區(qū)段擦除(block erase),因而能夠重新寫入單個字節(jié)。”至于其耐久性,Dubois強調(diào),Crossbar可確保達到100k次的讀寫周期。他說:“對于這些應(yīng)用,100k是一般鎖定的目標,但我們持續(xù)使其推向更高的穩(wěn)定度?!?/p>

1486774758078017559.jpg

Crossbar ReRAM內(nèi)建選擇特性,能使內(nèi)存單元在1T1R數(shù)組中實現(xiàn)超低延遲的讀取,或在1TnR數(shù)組中實現(xiàn)最佳面積效率(4F2單元)

Crossbar目前正推動雙軌業(yè)務(wù)策略,一方面針對嵌入式非揮發(fā)性應(yīng)用研發(fā)ReRAM,另一方面則作為高容量獨立型內(nèi)存的技術(shù)開發(fā)者。盡管Crossbar在2016年閃存高峰會(Flash Memory Summit)與2017年國際消費性電子展(CES)上仍以選用組件展示其進行交叉點數(shù)組的能力,但以技術(shù)成熟度來看,嵌入式非揮發(fā)性內(nèi)存大約超前一年以上。

Crossbar并聲稱具備為其密集交叉點內(nèi)存數(shù)組進行3D堆棧的能力,使其得以微縮至10nm以下,并為每單元儲存多個位,從而在單一芯片上實現(xiàn)高達TB級的高容量非揮發(fā)性內(nèi)存。

Dubois表示,Crossbar正與一家或多家公司合作,共同創(chuàng)造高容量的分離式ReRAM組件,同時也將采用授權(quán)業(yè)務(wù)模式。但他并未透露是哪幾家合作伙伴或獲授權(quán)的業(yè)者。

然而,Crossbar強調(diào),未來將會以自家公司品牌開發(fā)獨立的內(nèi)存,以便在編碼儲存取代NOR閃存,以及在數(shù)據(jù)儲存方面取代NAND閃存?!盀榱诉M軍這一市場,必須與其他業(yè)者合作,形成強大的策略聯(lián)盟,”Dubois表示,“我們的目標是成為內(nèi)存產(chǎn)業(yè)的ARM!”

Dubois指出,Crossbar的客戶尚未商用化量產(chǎn)其嵌入ReRAM的IC,而今在從SMIC取得樣片后,預(yù)計后續(xù)的發(fā)展將會加速?!皩τ诠竞褪袌鰜碚f,目前正是關(guān)鍵的階段。我們必須證明其可靠性?!?/p>


本站內(nèi)容除特別聲明的原創(chuàng)文章之外,轉(zhuǎn)載內(nèi)容只為傳遞更多信息,并不代表本網(wǎng)站贊同其觀點。轉(zhuǎn)載的所有的文章、圖片、音/視頻文件等資料的版權(quán)歸版權(quán)所有權(quán)人所有。本站采用的非本站原創(chuàng)文章及圖片等內(nèi)容無法一一聯(lián)系確認版權(quán)者。如涉及作品內(nèi)容、版權(quán)和其它問題,請及時通過電子郵件或電話通知我們,以便迅速采取適當(dāng)措施,避免給雙方造成不必要的經(jīng)濟損失。聯(lián)系電話:010-82306118;郵箱:aet@chinaaet.com。