與LCD液晶顯示面板類似，OLED面板也屬于薄膜半導(dǎo)體、薄膜化學(xué)等基礎(chǔ)產(chǎn)業(yè)的技術(shù)綜合體。長期以來困擾OLED屏幕大型化的技術(shù)難題主要由兩個：第一，OLED大型化的成膜技術(shù)；第二則是適合于OLED的薄膜晶體管（TFT）驅(qū)動電路技術(shù)。

三星在代號為A2第一條5.5代OLED面板線（1300x1500mm）上采用了一種特殊的OLED成膜方式：雖然其投片玻璃基板尺寸為5.5代，但因OLED蒸鍍制程的設(shè)備尺寸受限，目前是采取實際蒸鍍制程基板尺寸為650x750mm (5.5代的四分之一)的方式進行量產(chǎn)。但是，三星正在建設(shè)的另一條5.5代線，A3工廠則會采用完全不同的策略：三星還會持續(xù)再興建一座5.5代AMOLED生產(chǎn)線，其工廠代號為A3，且預(yù)計在2013年第一季量產(chǎn)； A3廠最大的突破是他將采用5.5代玻璃基板直接蒸鍍有機發(fā)光材料而不用預(yù)先切割成四分之一的方式。這意味著，OLED顯示面板成膜技術(shù)的一次突破。采用四分之一方式蒸度也是此前三星4代線和LGD4代線OLED面板的技術(shù)思路。

如果將三星5.5代線的蒸鍍技術(shù)和設(shè)備應(yīng)用于新的"四分之一蒸鍍"方式之中，將可以完成尺寸為：2300*3000尺寸的玻璃基板的生產(chǎn)代線的OLED成膜。而夏普10代線的玻璃基板尺寸也不過2880×3130mm，三星8.5代線的尺寸則是2,200mm×2,500mm。因此，可以得出這樣的結(jié)論，雖然四分之一蒸鍍方式的成本競爭力稍差，但是已經(jīng)足以滿足任何高世代線的投入計劃：目前等待的只是三星A3線量產(chǎn)的消息。

OLED面板大型化量產(chǎn)的第二個技術(shù)難題是新興的薄膜晶體管。眾所周知，液晶TFT的驅(qū)動特點是電壓驅(qū)動，但是OLED則需要電流驅(qū)動。這回事的傳統(tǒng)大尺寸液晶面板使用的A-Si非晶硅TFT驅(qū)動不適合長壽命高品質(zhì)的OLED顯示面板的需要。為此，業(yè)界必須準備新的技術(shù)。

從兩個率先準備兩場8.5代線OLED面板的企業(yè)三星、LGD

來看，在新興大尺寸TFT技術(shù)方面，業(yè)內(nèi)思路并不一致。三星采用小光罩掃描（SMS）+低溫多晶硅背板+RGB有機發(fā)光材蒸鍍技術(shù)，而LG顯示器采用氧化物TFT +白色的AMOLED與彩色濾光片，這兩種技術(shù)都有優(yōu)點和缺點。三星的技術(shù)主要專注于高性能與高畫質(zhì)，而LGD的技術(shù)則是著重在量產(chǎn)性與低成本。

低溫多晶硅背板TFT被廣泛用在現(xiàn)在的小尺寸OLED和小尺寸高分辨率LCD面板上。一定意義上，沒有低溫多晶硅TFT就不會有現(xiàn)在小尺寸oled面板的成功。但是，將這一技術(shù)大型化的困難程度不小，雖然其超過一百倍傳統(tǒng)非晶硅技術(shù)的電子遷移率，讓其成為大尺寸OLED在強調(diào)效果的方向上最好的選擇，但是一系列技術(shù)問題卻令三星不能一步到位：8.5代OLED線很可能先采用傳統(tǒng)非晶硅技術(shù)，然后在擇機向新的技術(shù)方案過渡。

IGZO，金屬氧化物TFT技術(shù)則與低溫多晶硅不同，在犧牲掉三分之二到四分之三的電子遷移率的基礎(chǔ)上，IGZO擁有明顯的成本優(yōu)勢：首先，它主要工藝幾乎與傳統(tǒng)非晶硅一樣，面板業(yè)要做的只不過是更換新的材料，這回降低新設(shè)備投資的成本直到接近為零；此外，這種技術(shù)因為采用傳統(tǒng)非晶硅工藝，因此大型化的技術(shù)風險更低，或者說已經(jīng)完美實現(xiàn)大型化——2012年眾多面板企業(yè)推出的4K液晶，大多數(shù)采用這一驅(qū)動技術(shù)。有可靠數(shù)據(jù)表明，京東方、夏普、三星、LGD、友達、奇美電等面板企業(yè)都已經(jīng)掌握了，或者通過合作伙伴獲得了大型化金屬氧化物薄膜晶體管技術(shù)。甚至夏普已經(jīng)完成8代線和10代線的向新技術(shù)的演進過渡。

由此可以看出，阻礙OLED大型化的技術(shù)難題已經(jīng)突破：也許現(xiàn)有的技術(shù)方案成本不低、品質(zhì)也還有待提升，但是僅僅從經(jīng)濟性量產(chǎn)的角度看，已經(jīng)沒有關(guān)鍵性的技術(shù)難題能阻止OLED的大型化發(fā)展趨勢，OLED彩電普及之門已經(jīng)打開。