臺(tái)積電針對(duì)16納米FinFET制程開(kāi)發(fā)進(jìn)入第四代，統(tǒng)稱(chēng)為12納米制程技術(shù)，力旺開(kāi)始配合12納米開(kāi)發(fā)相關(guān)的NeoFuse IP，繼16納米精簡(jiǎn)版FinFET制程后，臺(tái)積電和力旺在先進(jìn)制程上再度合作。

臺(tái)積電16納米制程經(jīng)歷16納米FinFET、16FF＋和16FFC三代技術(shù)，拿下蘋(píng)果（Apple）、聯(lián)發(fā)科、海思、賽靈思及NVIDIA等訂單后，即將進(jìn)入16納米第四代制程技術(shù)，臺(tái)積電也罕見(jiàn)地改變策略推出改版制程，也就是12納米制程技術(shù)，吸引更多客戶(hù)投單以提升12吋晶圓廠(chǎng)的產(chǎn)能利用率。

隨著臺(tái)積電進(jìn)入12納米制程世代，非揮發(fā)性嵌入式eNVM IP供應(yīng)商力旺也配合臺(tái)積電的12納米制程開(kāi)發(fā)NeoFuse IP。力旺指出，12納米FinFET制程是16納米FinFET系列的第四代，與前幾代相比，12納米具備更低漏電特性和成本優(yōu)勢(shì)，力旺和臺(tái)積電已經(jīng)從16納米FinFET第一代一路配合到最新的第四代制程，在每一代制程平臺(tái)上都布建NeoFuse IP。

此外，在16納米精簡(jiǎn)版FinFET（16FFC）制程上，力旺也完成完成可靠度驗(yàn)證，且已有客戶(hù)于產(chǎn)品中內(nèi)嵌NeoFuse IP，并完成設(shè)計(jì)定案（Tape Out）。

力旺指出，16FFC制程和16納米強(qiáng)效型FinFET（16FF＋）制程相比，具有更符合主流市場(chǎng)需求的成本和低功耗的優(yōu)勢(shì)，獲得許多終端應(yīng)用的青睞，包括智能手機(jī)、消費(fèi)性電子、穿戴式裝置等，同時(shí)，力旺的NeoFuse IP除了廣泛地被客戶(hù)使用在16納米精簡(jiǎn)型FinFET制程中，其寫(xiě)入時(shí)的耐熱度更提升至125度，也使得操作更有彈性，并且可支持更高端的應(yīng)用。

整體來(lái)看，力旺的NeoFuse IP在臺(tái)積電的16納米FinFET制程各世代的演進(jìn)過(guò)程中，均率先完成可靠度驗(yàn)證，展現(xiàn)力旺在高端制程技術(shù)上的開(kāi)發(fā)能力，以及與臺(tái)積電的穩(wěn)固技術(shù)伙伴關(guān)系。