SK 海力士最先進(jìn)72 層3D NAND 記憶體傳明年開始量產(chǎn)，韓聯(lián)社26 日引述知情人事消息報(bào)導(dǎo)指出，海力士計(jì)劃于2017 上半年完成芯片設(shè)計(jì)，位在利川（Icheon）的M14 廠將可在下半年開始生產(chǎn)。

若按計(jì)劃進(jìn)行，海力士將成為全球第一個(gè)量產(chǎn)72 層3D NAND 的記憶體廠。為因應(yīng)市場(chǎng)需求增溫，海力士上周已宣布將在南韓與中國兩地，投資3.15 兆韓圜來增加DRAM 與NAND 記憶體產(chǎn)能。

隨著微縮制程遭遇瓶頸，業(yè)者紛紛改以3D 垂直方式堆疊記憶體做突破，但制程技術(shù)各不相同。目前技術(shù)領(lǐng)先的三星已于2013 年量產(chǎn)48 層3D NAND 記憶體，至于64 層3D NAND 芯片也將在今年底開始投產(chǎn)。

據(jù)市調(diào)機(jī)構(gòu)DRAMeXchange 統(tǒng)計(jì)，三星第三季NAND 記憶體營收來到37.44 億美元，市占率較前季進(jìn)步0.3 個(gè)百分點(diǎn)至36.6%。東芝以19.6% 位居第二，Western Digital、海力士與美光分居三、四、五名，市占率依序?yàn)?7.1%、10.4% 與9.8%。

3D堆疊/制程微縮競(jìng)爭(zhēng)白熱化NAND供應(yīng)商技術(shù)差距縮小

NAND Flash記憶體供應(yīng)商為滿足客戶不斷增加的儲(chǔ)存空間需求，正分別從制程微縮與3D堆疊兩個(gè)方向來提升NAND Flash的儲(chǔ)存密度，且彼此間推出新世代產(chǎn)品的時(shí)間落差預(yù)料將明顯縮小?？梢灶A(yù)料的是，未來固態(tài)硬碟(SSD)等NAND Flash應(yīng)用的單位儲(chǔ)存成本將進(jìn)一步下滑，開拓出更大的應(yīng)用市場(chǎng)。

資料顯示，三星(Samsung)、東芝/閃迪(Toshiba/SanDisk)、美光/IM Flash與SK海力士(SK Hynix)等主要NAND Flash記憶體供應(yīng)商，在2016年皆已進(jìn)入3D NAND時(shí)代。其中，進(jìn)展最快的三星已率先于2015年下半進(jìn)入48層MLC時(shí)代，預(yù)計(jì)在2017年初提升到64層MLC、2018年中進(jìn)入96層MLC；東芝/新帝則持續(xù)追趕三星，先在2016年追上三星目前的進(jìn)度，并預(yù)期在2017年中推出64層MLC。

進(jìn)展相對(duì)較慢的美光/IM Flash及SK海力士，則已于2016年進(jìn)入32層MLC時(shí)代，并將在2016年底、2017年初推出48層MLC、2018年中推出64層MLC。但值得注意的是，美光/IM Flash還有一條采用3D X-Point新架構(gòu)的產(chǎn)品線將在2016年中開始量產(chǎn)上市，未來將對(duì)NAND Flash市場(chǎng)產(chǎn)生何種影響，有待后續(xù)觀察。

而在制程節(jié)點(diǎn)方面，目前四大NAND Flash芯片供應(yīng)商均已進(jìn)入1y納米世代，彼此之間差異不大。在進(jìn)入1z納米制程的時(shí)間點(diǎn)方面，除了東芝/新帝將在2016年下半率先導(dǎo)入12納米制程，成為業(yè)界第一家進(jìn)入1z納米制程世代的供應(yīng)商之外，其他三家業(yè)者之間都預(yù)計(jì)在2016年底～2017年初進(jìn)入12納米，時(shí)間落差只在一季之內(nèi)。

由于3D結(jié)構(gòu)可顯著提升NAND Flash芯片的儲(chǔ)存密度，因此各家業(yè)者均戮力發(fā)展3D NAND Flash。研究認(rèn)為，2016年各家業(yè)者的3D NAND Flash產(chǎn)出比重，將從2015年的6%提升到20%。

隨著64層MLC與1z納米制程陸續(xù)到位，2017年單一NAND Flash顆粒的主流容量要達(dá)到128Gb以上，預(yù)料將不成問題，屆時(shí)SSD、eMMC等NAND Flash儲(chǔ)存應(yīng)用的容量規(guī)格也可望跟著升級(jí)，價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)力更上層樓。