本周宣布正式合并中國臺灣地區(qū)臺塑旗下存儲廠華亞科的美商存儲大廠美光 (Micron) 在 15 日表示，由于該公司的 3D NAND 閃存產(chǎn)能日前正式超過 2D NAND 閃存。其中，包括第 1 代 3D NAND 閃存的成本也符合預期，堆疊層數(shù)達到 64 層的第 2 代 3D NAND 閃存也在已經(jīng)準備完成，預計將在 2016 年底要正式大規(guī)模量產(chǎn)。

根據(jù)外媒報導，美光公司財務長 Ernie Maddock 在 15 日參加巴克萊銀行全球技術(shù)、媒體及通訊大會上表示，該公司的 3D NAND 閃存產(chǎn)能與 2D NAND 閃存產(chǎn)能已經(jīng)來到交叉點上。也就是說，3D NAND 閃存的產(chǎn)能，以容量計算，將要超過 2D NAND 閃存。

此外，Ernie Maddock 還表示，美光的第 1 代 3D NAND 閃存在降低生產(chǎn)成本上已經(jīng)達到預期目標。由于，美光在 2016 年上半年的發(fā)展路線上曾指出，未來預計 3D NAND 閃存的成本，將要比 2D NAND 降低至少 20% 左右。如今，已經(jīng)實現(xiàn)降低 20% 到 25% 的成本。這樣的情況，對于未來將開始在新加坡 Fab 10X 晶圓廠大規(guī)模量產(chǎn)來說，有著其正面的幫助。

目前市場上許多固態(tài)硬盤 (SSD) 都已經(jīng)轉(zhuǎn)向 3D NAND 閃存。因為，不論是性能，還是容量，或者是使用壽命，3D NAND 閃存都要比傳統(tǒng) 2D NAND 閃存好得多。而且，廠商也會借此來降低生產(chǎn)成本，以提高產(chǎn)量。就美光為例，其所生產(chǎn)的 2D NAND 閃存，主力是 16 納米制程的產(chǎn)品，MLC/TLC 閃存的核心容量不過 128Gb。但是，借由 3D NAND 技術(shù)的 MLC 閃存核心容量就有 256Gb，TLC 更是達到 384Gb，大大優(yōu)于 2D NAND 閃存。

事實上，在轉(zhuǎn)向 3D NAND 生產(chǎn)方面，實力最強的仍以韓國三星領(lǐng)先，東芝 (Toshiba)/ Sandisk 與 SK 海力士其次，英特爾 (Intel) 和美光的動作算是比較慢的了。不過，一旦 3D NAND 閃存開始量產(chǎn)，由于容量先天性的優(yōu)勢，產(chǎn)能超過 2D NAND 閃存將是遲早的事。