儲存級存儲器(storage-class memory;SCM)，又稱為持久型存儲器(persistent memory)，乃是一種同時結合傳統(tǒng)儲存裝置與存儲器特性的復合型儲存技術，由于儲存級存儲器能夠提供比快閃存儲器更快速的讀寫速度，在成本上則比動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)更為便宜，不論是從效能面或應用面的角度來看，都可望成為下一代的革命性儲存技術。

　　嚴格來說，儲存級存儲器并不完全是存儲器，也不完全是傳統(tǒng)儲存裝置，雖然它就像DRAM一樣可以崁入主機板的插槽，不過它的運算速度比DRAM稍慢，并且即使是在失去電源的狀態(tài)下依舊可以不間斷保存資料，在這一點上又比較接近傳統(tǒng)儲存裝置的特性。

　　然而相較于傳統(tǒng)儲存裝置，儲存級存儲器不但在讀寫資料上能夠提供更快的速度，同時在進行資料的抹除與寫入程序時也擁有更大的彈性，不像一般快閃存儲器很容易因為高頻率的讀寫次數(shù)而出現(xiàn)耗損。

　　有趣的是，儲存級存儲器可以同時以位元組(byte)或區(qū)塊(block)為單位進行資料的處理，此種特性將可給予操作系統(tǒng)、軟件與虛擬機器監(jiān)控程式(hypervisor)的開發(fā)商，在運用儲存級存儲器作為中介應用裝置時獲得更大的彈性。

　　舉例來說，操作系統(tǒng)最初會將儲存級存儲器視為由檔案系統(tǒng)格式化后的區(qū)塊儲存裝置，以及具備兼容性功能的資料庫，然而下一代應用程式可能就會選擇直接透過存儲器對映檔案(memory-mapped files)來存取儲存級存儲器，至于虛擬機器監(jiān)控程式則可以將儲存級存儲器當中各自獨立的區(qū)域分配給不同虛擬機器(virtual machine)，作為程式執(zhí)行存儲器的用途，或著類似快閃存儲器的儲存資源。

　　與傳統(tǒng)DRAM的使用方式相較，儲存級存儲器最大的差異就是具備可以持續(xù)性儲存，不會因為外部電源的中斷而遺失資料的特性，此外它還能夠以位元組為單位處理資料，不再需要將資料包裹儲存于由連續(xù)512個位元組所構成的區(qū)塊，以上兩項特性的結合勢必將會改變未來應用程式的設計架構與方式。

　　就目前的發(fā)展現(xiàn)況來看，儲存級存儲器的技術預計會在2016年底進入實際應用階段，一開始將會由英特爾(Intel)提出的3D XPoint技術架構拔得頭籌，另外惠普(HP)與SanDisk在先前也已宣布要合作開發(fā)SCM技術，不過最快可能要等到2017年或更晚才有機會真正問世。

　　就如同任何新興技術一樣，儲存級存儲器在初期的運用可能會被限制在特定的產(chǎn)業(yè)與用途，特別是在價格與效能表現(xiàn)的考量下，多半也只能讓這項技術適用在一些特定領域，其中包括了存儲器內(nèi)運算、高效能運算，以及服務器端快取可能都會是儲存級存儲器的早期應用范圍。