臺積電、三星、格羅方德等半導體大廠開啟在 7 納米制程爭戰(zhàn),而現(xiàn)在臺積電有望領先群雄在 2017 年國際固態(tài)電路研討會(International Solid-State Circuits Conference,ISSCC)率先發(fā)布 7 納米 FinFET 技術!
全球 IC 設計領域論文發(fā)布最高指標國際固態(tài)電路研討會(ISSCC)下屆確定于 2017 年 2 月 5~9 日在美國加州登場,臺積電設計暨技術平臺組織副總侯永清將擔任特邀報告(Plenary Talks)講者。
這次臺積電 5 篇論文獲選(美國臺積電 1 篇),2 篇論文為類比電路領域,內(nèi)存電路設計則有 3 篇。
值得關注的是,此次臺積電將領先業(yè)界在大會上發(fā)布 7 納米 FinFET 技術。揭示迄今最小位數(shù) SRAM 在 7 納米 FinFET 的應用,驗證 0.027μm2 256 Mbit SRAM 測試芯片在 7 納米制程下,能大幅提升手機、平板電腦中央處理芯片運算速度,同時滿足低功率需求。
臺積電、三星通常以 SRAM、DRAM 來練兵,先從內(nèi)存下手,當良率提升到一定程度再導入邏輯產(chǎn)品。臺積電先前預估 10 納米年底量產(chǎn)、7 納米最快 2018 年第一季生產(chǎn),然在英特爾宣布放緩 10 納米以下制程投入進度后,臺積電與三星在 10 納米、7 納米先進制程展開激烈纏斗。
三星在 10 月初搶先臺積電宣布 10 納米量產(chǎn),市場近期傳出臺積電 7 納米最快在明年 2017 就可試產(chǎn)、4 月接單,拉升 7 納米制程戰(zhàn)火。三星在 7 納米就引進極紫外光(EUV)微影設備,力拼 2017 年年底 7 納米量產(chǎn)。
而格羅方德則宣布跳過 10 納米,直接轉(zhuǎn)進 7 納米,預估 2017 年下半可進行產(chǎn)品設計定案(tape out),2018 年初開始風險生產(chǎn)(risk production)。