臺(tái)積電、三星、格羅方德等半導(dǎo)體大廠開啟在 7 納米制程爭戰(zhàn)，而現(xiàn)在臺(tái)積電有望領(lǐng)先群雄在 2017 年國際固態(tài)電路研討會(huì)（International Solid-State Circuits Conference，ISSCC）率先發(fā)布 7 納米 FinFET 技術(shù)！

　　全球 IC 設(shè)計(jì)領(lǐng)域論文發(fā)布最高指標(biāo)國際固態(tài)電路研討會(huì)（ISSCC）下屆確定于 2017 年 2 月 5~9 日在美國加州登場，臺(tái)積電設(shè)計(jì)暨技術(shù)平臺(tái)組織副總侯永清將擔(dān)任特邀報(bào)告（Plenary Talks）講者。

　　這次臺(tái)積電 5 篇論文獲選（美國臺(tái)積電 1 篇），2 篇論文為類比電路領(lǐng)域，內(nèi)存電路設(shè)計(jì)則有 3 篇。

　　值得關(guān)注的是，此次臺(tái)積電將領(lǐng)先業(yè)界在大會(huì)上發(fā)布 7 納米 FinFET 技術(shù)。揭示迄今最小位數(shù) SRAM 在 7 納米 FinFET 的應(yīng)用，驗(yàn)證 0.027μm2 256 Mbit SRAM 測試芯片在 7 納米制程下，能大幅提升手機(jī)、平板電腦中央處理芯片運(yùn)算速度，同時(shí)滿足低功率需求。

　　臺(tái)積電、三星通常以 SRAM、DRAM 來練兵，先從內(nèi)存下手，當(dāng)良率提升到一定程度再導(dǎo)入邏輯產(chǎn)品。臺(tái)積電先前預(yù)估 10 納米年底量產(chǎn)、7 納米最快 2018 年第一季生產(chǎn)，然在英特爾宣布放緩 10 納米以下制程投入進(jìn)度后，臺(tái)積電與三星在 10 納米、7 納米先進(jìn)制程展開激烈纏斗。

　　三星在 10 月初搶先臺(tái)積電宣布 10 納米量產(chǎn)，市場近期傳出臺(tái)積電 7 納米最快在明年 2017 就可試產(chǎn)、4 月接單，拉升 7 納米制程戰(zhàn)火。三星在 7 納米就引進(jìn)極紫外光（EUV）微影設(shè)備，力拼 2017 年年底 7 納米量產(chǎn)。

　　而格羅方德則宣布跳過 10 納米，直接轉(zhuǎn)進(jìn) 7 納米，預(yù)估 2017 年下半可進(jìn)行產(chǎn)品設(shè)計(jì)定案（tape out），2018 年初開始風(fēng)險(xiǎn)生產(chǎn)（risk production）。