前不久，OTP技術(shù)的主要領(lǐng)導(dǎo)者Kilopass宣稱，推出革命性的VLT技術(shù)，進(jìn)而顛覆全球DRAM市場。這一消息頓時在DRAM產(chǎn)業(yè)界掀起巨浪，贊譽和質(zhì)疑紛至沓來。到底什么是VLT技術(shù)？與當(dāng)前基于電容的DRAM產(chǎn)品相比，VLT帶來哪些改變？它的成長還需要哪些必不可少的因素？ DRAM市場又是否會歡迎它的到來？
VLT：應(yīng)用于DRAM的晶閘管技術(shù)
VLT，即Vertical Layered Thyristor，垂直分層晶閘管技術(shù)。使用VLT技術(shù)，授權(quán)商能夠迅速高效地提供與JEDEC標(biāo)準(zhǔn)完全兼容的DRAM產(chǎn)品，這些產(chǎn)品在功耗和成本上將具有顯著優(yōu)勢，同時也免去了現(xiàn)有DRAM制造流程中構(gòu)建電容的困擾。
晶閘管是一種結(jié)構(gòu)復(fù)雜的電子器件，結(jié)構(gòu)上非常適合存儲器；與當(dāng)前基于電容的DRAM相比，晶閘管內(nèi)存不需要刷新。之前人們就曾屢次嘗試將其應(yīng)用于SRAM市場，但都未能成功。
Kilopass的VLT通過垂直方式實現(xiàn)晶閘管架構(gòu)，從而使存儲單元更加緊湊。緊湊的結(jié)構(gòu)加上所需的物理器件，構(gòu)造出制造工藝簡單的交叉點內(nèi)存，這將帶來一項與DDR標(biāo)準(zhǔn)兼容，并且比當(dāng)前頂尖的20納米DRAM制造成本低45%的新技術(shù)。此外，因為VLT不需要復(fù)雜且高功耗的刷新周期，基于VLT的DDR4 DRAM將待機功耗降低了10倍，可降低到50fA/bit以下，且仍將性能提高15%。最為關(guān)鍵的是，VLT避開了傳統(tǒng)DRAM制造中最大的挑戰(zhàn)，即溝電容的制造，從而規(guī)避了相關(guān)的專利沖突，這一點具有很重要的戰(zhàn)略意義。
當(dāng)然，VLT技術(shù)也存在其局限性。其存儲單元的讀寫方式是Intel和美光所采用的XPoint的讀寫方式，只能靠發(fā)送的電壓變化發(fā)生，這種讀寫方式使得VLT技術(shù)推廣過程中將面臨很大的挑戰(zhàn)。
Kilopass：我們希望與合作伙伴一起為VLT構(gòu)建健康的成長環(huán)境
作為一項全新的技術(shù)，雖然它具備諸多明顯的優(yōu)勢，但想要真正地為市場所認(rèn)可，進(jìn)而構(gòu)建成熟穩(wěn)定的生態(tài)圈，這必然是一個艱辛而漫長的過程。
Kilopass首席執(zhí)行官Charlie Cheng說道：“我們希望能在全球?qū)ふ胰剿募移髽I(yè)授權(quán)，共同為VLT技術(shù)的推廣和使用努力。對于這幾家最終入選的企業(yè)，Kilopass希望它們來自不同的國家或地區(qū)，幾者之間能夠形成如同三國一樣，相互督促、相互牽制的成熟、穩(wěn)定的良性競爭關(guān)系。”
就中國而言，國務(wù)院于2014年6月頒布了《國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要》，要實現(xiàn)其中集成電路行業(yè)產(chǎn)值從2015年3,500億人民幣以年均20%的增速達(dá)到2020年約8,700億人民幣這一目標(biāo)，DRAM產(chǎn)業(yè)的增長顯得至關(guān)重要。因此中央和地方政府都對DRAM產(chǎn)業(yè)給予了巨大關(guān)注與扶持。Kilopass也認(rèn)為，目前中國的市場對VLT的發(fā)展非常有利，目前也與一些企業(yè)洽談中，希望能夠在中國半導(dǎo)體存儲器產(chǎn)業(yè)中尋找到一個合作伙伴。
DRAM產(chǎn)業(yè)：門檻過高 巨頭壟斷
DRAM的最核心的技術(shù)是電容存儲單元，它帶來了一系列的制造挑戰(zhàn)，導(dǎo)致DRAM市場準(zhǔn)入門檻非常高。而且，目前DRAM市場被三星、海力士和美光三家企業(yè)所壟斷，想在DRAM市場闖出一片新天地，絕對是一場硬仗。
為了進(jìn)入DRAM市場，必須避免正面沖突，另辟蹊徑，利用創(chuàng)新的替代方案，以推動競爭升級，爭取實現(xiàn)差異化。VLT正是這樣一個選擇。目前，Kilopass已可以向數(shù)量有限的特許受讓人提供VLT DRAM技術(shù)，用于20nm到31nm工藝技術(shù)節(jié)點。并使用其突破性的TCAD模擬器，在所有的半導(dǎo)體制造工藝細(xì)節(jié)上對這兩個節(jié)點進(jìn)行了詳盡的模擬，新一代10nm技術(shù)的驗證有望在2017年完成。