長久以來，我們這些缺乏耐性的人，一直期待著所有消費電子產(chǎn)品的開機時間能盡量縮短，愈快愈好。剛剛才打入消費市場的固態(tài)硬盤（SSD），已經(jīng)能大幅縮減用戶等待開機或?qū)C器從睡眠中喚醒的時間，事實上，SSD已經(jīng)能實現(xiàn)極短時間的開機，或是瞬間喚醒機器。

　　目前，SSD仍然以非揮發(fā)性存儲器（NVM）為主，主要采用閃存。盡管與傳統(tǒng)硬盤相比，閃存的速度提高了好幾個數(shù)量級，但今天在使用SSD開機時還需要等待一會兒。這也暴露出一個事實──在與ROM或DRAM相比時，閃存的讀取速度顯然遜色許多。

　　2000年中，非揮發(fā)性存儲器領(lǐng)域出現(xiàn)了一匹黑馬──磁阻式隨機存取存儲器（MRAM），它強調(diào)高可靠性、趨近無限的使用壽命、低功耗、更廣的工作溫度范圍，而且更重要的是，它的讀取時間快到能媲美DRAM。這些特性讓MRAM成為眾所矚目的焦點，吸引數(shù)家公司投入開發(fā)，希望制造出在密度和速度方面都能與其他主流非揮發(fā)性存儲器競爭的嶄新元件。Everspin正是其中一家企業(yè)，該公司已經(jīng)推出商用化的MRAM產(chǎn)品。

　　磁穿隧結(jié)（Magnetic Tunnel Junction， MTJ）是在MRAM儲存數(shù)據(jù)的關(guān)鍵因素。傳統(tǒng)MTJ是由兩個被薄型隧穿介電質(zhì)隔開的磁性層所組成。數(shù)據(jù)會在磁性層上依照磁化向量的方向儲存。位于一個磁化層上的磁性向量是磁性固定（magnetically fixed）或被固定（pinned）的，此時其他層則是磁性自由，可在相同和相反方向之間進行切換，分別稱之為平行或反平行狀態(tài)。當(dāng)在固定和自由層之間施加小的偏置電壓時，隧穿電流便會流經(jīng)位于中間的薄介電層。而其磁性存儲器單元會透過響應(yīng)平行和反平行狀態(tài)，呈現(xiàn)出兩種不同的阻值。因此，藉由檢測電阻變化，MRAM元件便能提供儲存在磁性存儲器單元中的數(shù)據(jù)。

　　MTJ結(jié)構(gòu)被整合到另一個典型CMOS積體電路的互連部份。在寫入過程中，選定的MTJ會置于所選擇的寫入字線和選定的位元線之間。當(dāng)電流經(jīng)過所選的字線和位元寫入線，便會在這些線的周圍建立磁場。而在選定MTJ的上磁場向量總和必須足夠切換狀態(tài)。不過，沿著選定的字線或位元寫入線產(chǎn)生的磁場也必須足夠小，以確保不會切換到俗稱的“半選”（half selected ） MTJ狀態(tài)。所謂半選狀態(tài)僅作用在所選擇的字線與位元寫入線周圍。

2006年， UBM TechInsights曾拆解過飛思卡爾的MRAM元件，該元件具有一個尺寸約26mm2的晶粒，密度為4Mb。與其他的NVM技術(shù)相比，其晶粒效率似乎較低，這主要是由于其架構(gòu)設(shè)計，需要相當(dāng)龐大的開銷所致。而今，由飛思卡爾成立的Everspin Technologies推出了16Mb的MRAM元件，其晶粒尺寸僅為58mm2──尺寸僅提高二倍，但效能卻提升四倍。通常，增加密度的主要方法之一，是光刻工藝。

　　然而，在推出16Mb的封裝元件后，我們可以看到，該公司并不是因為采用先進工藝技術(shù)而提升密度；其16Mb和4Mb的元件都共用主流的光刻工藝，而且單元尺寸相同。看起來，過小的工藝可能會導(dǎo)致半選問題。Everspin公司采取的方法是重新設(shè)計架構(gòu)，拿掉了一個背部的互連層，用改良過的電路來最小化讀、寫和擦除數(shù)據(jù)所需的開銷。

　　Everspin聲稱該公司2011年的MRAM出貨量成長了300%，獲得250個新的設(shè)計訂單（design win），其中包括戴爾、LSI和BMW等。而用于下一代MRAM的技術(shù)──自旋力矩（Spin-torque），則可望加快讀/寫速度并提高密度。這是否有可能在未來讓MRAM真的能取代閃存，成為SSD的關(guān)鍵存儲器，再縮短開機時間？我們很快就會知道答案。SSD市場正在快速成長，因此，這個產(chǎn)業(yè)勢必需要更高速的存儲器。