最近，F(xiàn)eFET初創(chuàng)者FMC獲得了包括默克，SK Hynix，IMEC，Robert Bosch和Tokyo Electron以及現(xiàn)有的投資者eCapital等公司提供的超過(guò)2000萬(wàn)美元的資金。在這里，我們采訪(fǎng)了該公司的首席執(zhí)行官Ali Pourkeramati，希望聽(tīng)到他對(duì)新型存儲(chǔ)FeFET未來(lái)發(fā)展的看法。
Pourkeramati首先是贊揚(yáng)氧化鉿作為鐵電材料的特性，該特性也恰好在晶圓代工廠(chǎng)中廣泛用作現(xiàn)代IC的絕緣層。他聲稱(chēng)鐵電場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FeFET）是嵌入式閃存的自然替代品，因?yàn)楹笳唠y以擴(kuò)展到28nm以上。
Pourkeramati指出，與嵌入式閃存不同，F(xiàn)eFET的耐久性在10 ^ 11周期時(shí)很高，并且在10 ^ 15周期時(shí)有望接近MRAM，并且開(kāi)關(guān)速度小于1ns，開(kāi)關(guān)能量小于1fJ / bit。
FeFET通過(guò)使用非易失性鐵電特性來(lái)移動(dòng)晶體管閾值電壓來(lái)工作。資料來(lái)源：FMC。
他指出，F(xiàn)eFET的基本開(kāi)關(guān)速度很高，但是在陣列中，它的確取決于字線(xiàn)和位線(xiàn)的負(fù)載。我們有一個(gè)約10ns的32Mbit內(nèi)存宏。如果您想更快地閱讀，那么您會(huì)變得更小，更分散，因此它具有設(shè)計(jì)方面的意義，“ Pourkeramati說(shuō)。
邏輯友好的存儲(chǔ)
”這是一種邏輯友好的技術(shù)，需要兩個(gè)或三個(gè)非關(guān)鍵層。對(duì)于邏輯和代工廠(chǎng)來(lái)說(shuō)，這就是天堂?！癙ourkeramati補(bǔ)充說(shuō)。
除了具有較高的高溫穩(wěn)定性，材料的可擴(kuò)展性和熟悉度外，F(xiàn)eFET似乎也很容易獲得勝利。
但是，F(xiàn)MC需要提高一個(gè)指標(biāo)。在他的FE-HfO2的測(cè)量和公布特性圖表上，數(shù)據(jù)保留時(shí)間為125°C 1000小時(shí)。但他們期望在175°C下可以保持達(dá)到10年，但這顯然還有很多工作要做。
作為高k介電質(zhì)的一種改進(jìn)，鐵電材料同樣適用于環(huán)繞柵和納米片或納米帶晶體管。資料來(lái)源：FMC。
另一個(gè)反對(duì)意見(jiàn)是，領(lǐng)先的代工廠(chǎng)已經(jīng)采用MRAM（在意法半導(dǎo)體公司的情況下是相變存儲(chǔ)器）用于28nm及以下的嵌入式存儲(chǔ)器，因此與嵌入式閃存之間的競(jìng)爭(zhēng)并不激烈?！?MRAM需要額外的材料。鐵電存儲(chǔ)器不需要特殊的材料，并且可以按邏輯縮放，因此我們可以使用FinFET，“ Pourkeramati說(shuō)道。MRAM也容易受到磁場(chǎng)的影響。
Pourkeramati強(qiáng)調(diào)，鐵電存儲(chǔ)器可以解決用于高速緩存的嵌入式非易失性存儲(chǔ)器，也可以解決用于存儲(chǔ)級(jí)存儲(chǔ)器的獨(dú)立芯片。FMC還針對(duì)3D堆疊形式的內(nèi)存進(jìn)行了一些初步的工作?！蔽覀兛梢詳U(kuò)展到n層，“ Pourkeramati說(shuō)。它可以用于神經(jīng)形態(tài)應(yīng)用?！蔽覀?yōu)樗袘?yīng)用程序創(chuàng)建了IP [知識(shí)產(chǎn)權(quán)]?！?/p>
商業(yè)模式探討
FMC的業(yè)務(wù)模式是許可知識(shí)產(chǎn)權(quán)并按芯片收取專(zhuān)利使用費(fèi)。為此，該公司將其產(chǎn)品分為三個(gè)層次。一種是與工藝有關(guān)的IP，例如化學(xué)配方；第二個(gè)是晶體管器件級(jí)別IP;IP的第三層是基于設(shè)計(jì)或電路的。他說(shuō)：”我們將這些各種IP池許可給代工廠(chǎng)，無(wú)工廠(chǎng)芯片公司和IDM（集成設(shè)備制造商）。
引入FeFET技術(shù)的路線(xiàn)圖。資料來(lái)源：FMC
Pourkeramati表示，面向消費(fèi)類(lèi)應(yīng)用的首批硅片將于2023年問(wèn)世，并采用28nm平面CMOS工藝。此后，將向22nm FinFET和/或FDSOI轉(zhuǎn)移，并在隨后的幾年中出現(xiàn)其他領(lǐng)域。
考慮到FMC成立于2016年，現(xiàn)在是2020年，F(xiàn)MC的路線(xiàn)圖似乎有些保守。Pourkeramati說(shuō)：“這些事情需要時(shí)間；開(kāi)發(fā)時(shí)間和上市時(shí)間。我們認(rèn)為這是合理和可以接受的。如果您想在FinFET上進(jìn)行開(kāi)發(fā)，請(qǐng)與我們一起努力盡快通過(guò)各個(gè)節(jié)點(diǎn)?！?/p>
專(zhuān)利情況
值得注意的是，鐵電存儲(chǔ)器已成為學(xué)術(shù)界的熱門(mén)話(huà)題，許多大型半導(dǎo)體公司都在討論該技術(shù)。如果FMC用氧化鉿和摻鋯的氧化鉿來(lái)進(jìn)行記憶的開(kāi)拓性工作，是否有可能獲得其他人的好處？
Pourkeramati拒絕透露，F(xiàn)MC的專(zhuān)利地位涵蓋了鉿和鋯。
這使我們重新思考為什么Pourkeramati會(huì)拒絕或推遲一些投資。在創(chuàng)業(yè)圈中有一種眾所周知的格言，最好是在不需要風(fēng)險(xiǎn)投資時(shí)接受風(fēng)險(xiǎn)投資。因?yàn)楫?dāng)您確實(shí)需要它時(shí)，它將不可用。
在2019年加入FMC之前，Pourkeramati之前曾在Impact Capital Partners Inc.擔(dān)任管理合伙人，曾從事過(guò)風(fēng)險(xiǎn)投資工作，并提出了相反的觀(guān)點(diǎn)。他認(rèn)為，F(xiàn)MC將能夠在未來(lái)的時(shí)間以更高的估值籌集更多資金。
還有其他公司想要投資FMC。同樣，也有晶圓代工廠(chǎng)想投資FMC，但Pourkeramati表示，他擔(dān)心與任何一家代工廠(chǎng)保持緊密聯(lián)系可能會(huì)抑制其他代工廠(chǎng)使用該技術(shù)，因此該公司拒絕了。
隨著FMC渴望同時(shí)進(jìn)軍多個(gè)領(lǐng)域并進(jìn)行長(zhǎng)遠(yuǎn)的競(jìng)爭(zhēng)，這些投資者和其他人無(wú)疑將有更多的投資機(jī)會(huì)，但是FMC需要繼續(xù)取得進(jìn)展，以替代已部署的MRAM。