全新的美光移動 32GB 3D NAND 存儲技術(shù)，讓下一代移動多媒體和傳輸體驗(yàn)獲得更好的質(zhì)量、性能和可靠性

　　美國加利福尼亞州圣克拉拉，2016 年 8 月 9日——美光科技有限公司（納斯達(dá)克代碼：MU）今日推出了首項(xiàng)適用于移動設(shè)備的 3D NAND 存儲技術(shù)，并推出了基于通用閃存存儲 (UFS) 2.1 標(biāo)準(zhǔn)的首批產(chǎn)品。美光的首項(xiàng)移動 3D NAND 32GB 解決方案主要面向中高端智能手機(jī)細(xì)分市場，這一細(xì)分市場大約占據(jù)全球智能手機(jī)總量的 50%[1]。隨著移動設(shè)備替代個人電腦成為消費(fèi)者的主要計(jì)算設(shè)備，用戶行為對設(shè)備的移動內(nèi)存和存儲要求產(chǎn)生了極大影響。美光的移動 3D NAND 解決了這些問題，實(shí)現(xiàn)了無與倫比的用戶體驗(yàn)，包括流暢傳輸高分辨率視頻、更高的游戲帶寬、更快的啟動時間、更好的攝影效果和更快的文件加載速度。

　　“美光不斷改進(jìn) NAND 技術(shù)，推出了適用于移動設(shè)備的 3D NAND 和 UFS 產(chǎn)品。”美光科技移動產(chǎn)品事業(yè)部副總裁 Mike Rayfield 表示，“3D NAND 提高了性能和容量并增強(qiáng)了可靠性，有助于滿足客戶對移動存儲不斷增長的需求，并能實(shí)現(xiàn)更加卓越的終端用戶體驗(yàn)。”

　　為滿足移動視頻和多媒體消費(fèi)增長所帶來的更高硬件需求，以及 5G 無線網(wǎng)絡(luò)推出后預(yù)計(jì)出現(xiàn)的更高存儲需求，美光 3D NAND 技術(shù)以卓越的精度垂直堆疊了多層數(shù)據(jù)存儲單元，利用此技術(shù)制成的存儲設(shè)備容量比采用前一代平面 NAND 技術(shù)制成的設(shè)備容量高三倍。通過垂直堆疊，美光將更多的存儲單元集中到更小的芯片區(qū)域內(nèi)，生產(chǎn)出業(yè)內(nèi)最小的 3D NAND 存儲芯片，其面積只有 60.217mm2。更小的芯片讓極小的封裝得以實(shí)現(xiàn)，這可以為電池騰出更多空間，或者讓移動設(shè)備的規(guī)格變得更小。

　　“3D NAND 技術(shù)對智能手機(jī)和其他移動設(shè)備的持續(xù)發(fā)展至關(guān)重要。”Forward Insights 的創(chuàng)始人兼首席分析師 Greg Wong 表示，“隨著 5G 網(wǎng)絡(luò)的問世，再加上移動設(shè)備對我們數(shù)字生活的影響越來越大，智能手機(jī)制造商需要最先進(jìn)的技術(shù)來存儲和管理不斷增長的數(shù)據(jù)量。美光的移動3D NAND 技術(shù)可在高分辨率視頻、游戲和攝影方面實(shí)現(xiàn)更加卓越的用戶體驗(yàn)，完美滿足市場上不斷發(fā)展的數(shù)據(jù)存儲需求。”

　　3D NAND：為移動領(lǐng)域的發(fā)展提供動力

　　美光科技的首款移動 3D NAND 產(chǎn)品具備多種技術(shù)競爭優(yōu)勢。新功能包括：

　　·業(yè)內(nèi)首款基于浮柵技術(shù)的移動產(chǎn)品，凝聚多年的平面閃存量產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)，應(yīng)用廣泛

　　·美光首款采用 UFS 2.1 標(biāo)準(zhǔn)的存儲設(shè)備，讓移動設(shè)備實(shí)現(xiàn)一流的順序讀取性能

　　·采用基于 3D NAND 的多芯片封裝 (MCP) 技術(shù)和低功耗 LPDDR4X，比標(biāo)準(zhǔn) LPDDR4 存儲的能效多出高達(dá) 20%

　　·業(yè)內(nèi)最小的 3D NAND 存儲芯片，面積只有 60.217 mm2，使得存儲封裝占用的空間極小，非常適用于超小型設(shè)備；與相同容量的平面 NAND 芯片相比，美光 3D NAND 芯片的尺寸縮小多達(dá) 30%。

　　美光的移動 3D NAND 解決方案現(xiàn)正面向移動客戶和合作伙伴提供樣品，并將于 2016 年年底全面上市。

　　[1] 數(shù)據(jù)來源：美光科技內(nèi)部預(yù)測

　　其他資源：

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