《電子技術(shù)應(yīng)用》
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DRAM發(fā)展到頭 次世代記憶體換MRAM和PRAM當(dāng)家

2016-07-13

  DRAM發(fā)展快到盡頭,磁性記憶體(MRAM)和相變記憶體(PRAM)是最有潛力的接班人?IBM和三星電子最近宣稱,“自旋傳輸磁性記憶體(STT-MRAM)”的研究出現(xiàn)突破,有望加速走上商用之途。

  韓媒BusinessKorea 11日報道,IBM和三星在電機(jī)電子工程師學(xué)會(IEEE) 發(fā)布研究論文宣稱,兩家公司攜手研發(fā)的STT-MRAM的生產(chǎn)技術(shù),成功實現(xiàn)10奈秒(nanosecond)的傳輸速度和超省電架構(gòu),理論上表現(xiàn)超越DRAM。

  STT-MRAM借著改變薄膜內(nèi)的電子旋轉(zhuǎn)方向、控制電流,表現(xiàn)效能和價格競爭力都優(yōu)于DRAM。最重要的是,DRAM很難微縮至10納米以下,STT-MRAM則沒有此一困擾。業(yè)界人士表示,STT-MRAM是次世代記憶體中最實際的替代方案,95%的現(xiàn)行DRAM生產(chǎn)設(shè)備皆可用于制造STT-MRAM。IBM和三星之外,SK海力士(SK Hynix)和東芝(Toshiba)也協(xié)力研發(fā)此一技術(shù)。

  除了STT-MRAM,近來相變記憶體(PRAM)也備受矚目,英特爾的3D Xpoint就包含PRAM技術(shù)。PRMA結(jié)合DRAM和NAND Flash優(yōu)點(diǎn),速度和耐用性提高1千倍,不過目前仍在理論階段。

  去年7月29日英特爾、美光宣布開發(fā)出新世代記憶體技術(shù)“3D Xpoint”,儲存的資料比DRAM高出十倍,讀寫速度與耐受度更是NAND型快閃記憶體的1千倍之多,如此革新的技術(shù)讓三星電子、SK Hynix大為緊張。3D XPoint類似次世代ReRAM或PRAM科技,能完全改變資料儲存的方式,半導(dǎo)體專家相信,自從東芝在1987年首次展示NAND型快閃記憶體之后,3D XPoint會是這30年間一個相當(dāng)重要的變革。

  韓媒BusinessKorea去年6月報道,韓國半導(dǎo)體業(yè)者指出,16納米將是DRAM微縮制程的最后極限,10 納米以下制程需要縮小電晶體體積,但是薄膜厚度卻無法縮減,也可能不適合采用高介電常數(shù)(High-K)材料和電極。MRAM和ReRAM因此備受期待,認(rèn)為可以取代DRAM和NAND Flash,業(yè)者正全力研發(fā)。


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