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華虹半導(dǎo)體Super Junction工藝平臺(tái)累計(jì)出貨量突破10萬片

2016-06-02

  香港, June 2, 2016 - (ACN Newswire) - 全球領(lǐng)先的200mm純晶圓代工廠──華虹半導(dǎo)體有限公司(「華虹半導(dǎo)體」或「公司」,連同其附屬公司,統(tǒng)稱「集團(tuán)」,股份代號(hào):1347.HK)今日宣布,其先進(jìn)的Super Junction(超級(jí)結(jié)結(jié)構(gòu))MOSFET(「SJNFET」)工藝平臺(tái)累計(jì)出貨量首次突破10萬片,得益于市場(chǎng)對(duì)超級(jí)結(jié)MOSFET的強(qiáng)勁需求。該平臺(tái)自2011年量產(chǎn)以來,通過與客戶在設(shè)計(jì)優(yōu)化、系統(tǒng)解決方案及市場(chǎng)滲透等方面的攜手努力,出貨量逐年遞增。

  綠色發(fā)展是中國(guó)政府「十三五」規(guī)劃最具特色的發(fā)展理念之一,將成為推動(dòng)經(jīng)濟(jì)持續(xù)增長(zhǎng)的新動(dòng)力。高效節(jié)能綠色產(chǎn)品的普及將促進(jìn)綠色能源技術(shù)更廣泛的應(yīng)用。作為開關(guān)電源、馬達(dá)驅(qū)動(dòng)、LED驅(qū)動(dòng)、新能源汽車和智能電網(wǎng)等電源系統(tǒng)的核心器件,功率半導(dǎo)體是降低功耗、提高效率的關(guān)鍵。華虹半導(dǎo)體擁有獨(dú)特的、富有競(jìng)爭(zhēng)力的的溝槽型SJNFET工藝平臺(tái),可以支持500V至900V不同電壓等級(jí)的產(chǎn)品生產(chǎn)。其中先進(jìn)的第二代SJNFET技術(shù)已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),器件性能達(dá)到業(yè)界一流水平。具有更低導(dǎo)通電阻和更小芯片面積的第二代優(yōu)化版SJNFET工藝平臺(tái)研發(fā)成功,現(xiàn)已面向客戶開放。

  超級(jí)結(jié)結(jié)構(gòu)打破了傳統(tǒng)MOSFET器件導(dǎo)通電阻與擊穿電壓的極限關(guān)系,在同樣的封裝條件下能夠?qū)崿F(xiàn)更低的導(dǎo)通阻抗和更快的開關(guān)頻率,可以大幅改善功率器件的性能。與傳統(tǒng)的多層外延型SJNFET工藝相比,溝槽型結(jié)構(gòu)具有光刻層次少、結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、高溫特性好、制造周期短和性能提升潛力大等優(yōu)點(diǎn)。

  作為業(yè)界首家提供超級(jí)結(jié)工藝平臺(tái)的晶圓代工企業(yè),華虹半導(dǎo)體并不止步于此,而是不斷創(chuàng)新升級(jí),追求更低的導(dǎo)通電阻,更快的開關(guān)速度、更低的開關(guān)損耗、更小的芯片面積、更強(qiáng)的雪崩短路耐量和抗電磁干擾能力。今年計(jì)劃推出具備更先進(jìn)性能的新一代SJNFET工藝平臺(tái),進(jìn)一步鞏固公司在功率分立器件領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。

  華虹半導(dǎo)體執(zhí)行副總裁孔蔚然博士表示:「華虹半導(dǎo)體已在功率器件領(lǐng)域細(xì)心耕耘十余載,SJNFET芯片累計(jì)出貨量超過10萬片是一個(gè)里程碑,真正踐行了打造『中國(guó)芯』的大企業(yè)責(zé)任。隨著『綠色時(shí)代』的到來,功率半導(dǎo)體將拓展到消費(fèi)類、工業(yè)類及汽車類等更多的應(yīng)用領(lǐng)域,市場(chǎng)潛力巨大。而對(duì)高壓半導(dǎo)體解決方案需求的不斷增加,將使華虹半導(dǎo)體獨(dú)特的SJNFET技術(shù)受益匪淺。因此,我們正在進(jìn)一步擴(kuò)充超級(jí)結(jié)產(chǎn)品的產(chǎn)能,以滿足日益增長(zhǎng)的客戶需求?!?/p>


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