DRAM和NAND Flash微縮制程逼近極限，業(yè)界認(rèn)為次世代記憶體“磁電阻式隨機(jī)存取記憶體”(MRAM)、“可變電阻式記憶體”(ReRAM)可能即將現(xiàn)身，要以更快的存取速度橫掃市場(chǎng)。

   韓媒BusinessKorea 16日?qǐng)?bào)導(dǎo)，南韓半導(dǎo)體業(yè)者指出，16奈米將是DRAM微縮制程的最后極限，10奈米以下制程需要縮小電晶體體積，但是薄膜厚度卻無法縮減，也可能不適合采用高介電常數(shù)(High-K)材料和電極。MRAM和ReRAM因此備受期待，認(rèn)為可以取代DRAM和NAND Flash，業(yè)者正全力研發(fā)。

　　兩種新記憶體都是非揮發(fā)性記憶體，切斷電源后資料也不會(huì)消失，速度比現(xiàn)行記憶體快上數(shù)十倍到數(shù)百倍之多，由于內(nèi)部構(gòu)造較為簡(jiǎn)單，理論上未來微縮制程也有較大發(fā)展空間。其中MRAM采用磁阻效應(yīng)(Magnetoresistance)技術(shù)，研發(fā)業(yè)者有SK海力士(SK Hynix)、東芝(Toshiba)。ReRAM則靠著絕緣體的電阻變化，區(qū)別0和1，外界認(rèn)為或許能取代NAND型快閃記憶體(NAND Flash)。

　　日經(jīng)新聞2014年1月1日?qǐng)?bào)導(dǎo)，東芝(Toshiba)將攜手南韓海力士(SK Hynix)預(yù)定2016年度量產(chǎn)大幅提高智慧型手機(jī)性能的次世代記憶體“磁電阻式隨機(jī)存取記憶體(Magnetoresistive Random Access Memory;MRAM)”，量產(chǎn)時(shí)間將比美國(guó)美光科技(Micron Technology)所計(jì)畫的 2018 年提前了約2年時(shí)間。

　　MRAM研發(fā)可分為三大陣營(yíng)，除了上述的東芝/SK海力士之外，三星電子也正進(jìn)行研發(fā)，而美光則和東京威力科創(chuàng)(Tokyo Electron)等20家以上日美半導(dǎo)體相關(guān)企業(yè)進(jìn)行合作，希望于2016年度確立MRAM的量產(chǎn)技術(shù)、之后并計(jì)劃 2018年透過美光子公司爾必達(dá)(Elpida)的廣島工廠進(jìn)行量產(chǎn)。

　　Market Realist去年4月28日?qǐng)?bào)導(dǎo)，美光科技(Micron Technology)和Sony在國(guó)際固態(tài)電路研討會(huì)(International Solid-State Circuits Conference)上表示，正透過27奈米制程，開發(fā)16-Gbit的ReRAM;Sony預(yù)定2015年量產(chǎn)ReRAM晶片。專家表示，三星(Samsung)應(yīng)該也在研發(fā)包括ReRAM的次世代儲(chǔ)存科技。