全球領先的半導體解決方案提供商美光科技有限公司（Micron Technology, Inc. 納斯達克股票代碼：MU）今天宣布推出超可靠、超快速和適用于超高溫環(huán)境的并行NOR閃存和低功耗DDR4（LPDDR4）DRAM，以滿足汽車行業(yè)對于存儲設備越來越高的要求。美光G18 NOR系列產(chǎn)品提供了業(yè)界性能最卓越的并行NOR，而汽車級LPDDR4解決方案更是業(yè)界首創(chuàng)。 

    這些新品滿足了汽車應用對于超高速數(shù)據(jù)傳輸?shù)囊?。美光G18系列產(chǎn)品所具有的卓越性能（266MB/秒）讓高密度應用實現(xiàn)了更快速的啟動和代碼執(zhí)行，而LPDDR4的峰值帶寬比DDR4高出33%。此外，這些解決方案具有長期可靠性，均通過了ISO/TS認證——G18系列的通量速度比quad SPI NOR快三倍，而LPDDR4產(chǎn)品額外進行了封裝級老化測試。超凡的溫度適應范圍表現(xiàn)也是此次新推出產(chǎn)品的一大亮點——G18 NOR產(chǎn)品提供工業(yè)級溫度（IT）范圍（-40°C至85°C）和汽車級（AAT）溫度范圍(-40°C至105°C)選擇；LPDDR4產(chǎn)品提供汽車級工業(yè)溫度（AIT）范圍（–40°C -95°C）選擇，并計劃于2016年提供業(yè)界最高的工作溫度范圍選擇——汽車級超高溫度（AUT）范圍（-40°C至125°C）。

    美光汽車部總經(jīng)理Giorgio Scuro說：“消費者希望他們的汽車信息娛樂系統(tǒng)具有和智能手機一樣的互聯(lián)功能，并且要求汽車具備包括駕駛輔助系統(tǒng)（ADAS）在內(nèi)的先進新功能，所以車聯(lián)網(wǎng)行業(yè)對于存儲設備的要求一直在攀升。美光致力于提供諸如并行NOR和LPDDR4這樣的領先存儲技術，以提升駕駛體驗。”

    IHS汽車半導體首席分析師Luca De Ambroggi指出：“隨著下一代汽車具備自動駕駛功能，半導體的設計需要適用于汽車的環(huán)境，而這需要滿足更嚴苛的標準。美光為汽車市場所推出的新一代產(chǎn)品系列已經(jīng)考慮了這些需求，幫助啟動下一代汽車。”

美光G18系列

    對于要求快速可靠的代碼存儲和執(zhí)行的汽車應用，美光G18并行NOR閃存解決方案是一種理想的選擇。在這種應用中，每一毫秒對于啟動性能等指標都至關重要，例如高級駕駛輔助系統(tǒng)后視攝像頭，它需要快速啟動來即時響應。G18 NOR閃存的讀取速度高達266 MB/秒，其快速加載速度可達到200微秒的啟動要求；它的速度也比Quad SPI NOR快三倍。G18 NOR閃存提供較低的1.8V核心電壓和輸入/輸出電壓，可在小封裝尺寸中實現(xiàn)更好的功耗。G18系列也提供A/D MUX和AA/D MUX配置，I/O球數(shù)比傳統(tǒng)的并行NOR產(chǎn)品少50%以上，提供了最卓越的每針腳帶寬。除了助力汽車解決方案之外，G18也是設備自動化、企業(yè)級服務器、互聯(lián)應用設備、可穿戴設備、數(shù)碼相機和醫(yī)用檢測設備等的理想選擇。

美光汽車LPDDR4系列 

    LPDDR4以極為高效的LPDDR3為基礎，并在性能、功耗、延遲性和物理空間方面實現(xiàn)了極大的改進。美光汽車LPDDR4解決方案的能效更高，帶寬是LPDDR3的兩倍，是啟動下一代汽車應用的一項重要技術。LPDDR4的數(shù)據(jù)傳輸速率高達4.266 GT/秒，與LPDDR3相比，其峰值帶寬更高，比特能耗更低。其更快的I/O數(shù)據(jù)速率高達3200 Mb/秒，從而支持在汽車信息娛樂系統(tǒng)中采用高達4K x 2K解析度的顯示屏和3D圖像，同時可實現(xiàn)更先進的高級駕駛輔助系統(tǒng)功能，以避免碰撞，實現(xiàn)更安全的駕駛。這些增效不僅適用于峰值帶寬，同時也適用于較低的帶寬用例。