《電子技術應用》
您所在的位置:首頁 > 可編程邏輯 > 業(yè)界動態(tài) > 三星將量產30nm級DRAM內存芯片 速度將翻倍

三星將量產30nm級DRAM內存芯片 速度將翻倍

2010-07-22

      7月22日消息,據(jù)國外媒體報道,全球最大的內存芯片廠商三星電子星期三稱,它已經開始大批量生產高級的DRAM內存芯片。這將有助于拉開三星電子與二流競爭對手的距離和降低生產成本。 

 
     三星電子在聲明中稱,它已經從本月開始使用30nm級加工技術大批量生產新的2GB DDR3 DRAM內存芯片。 
 
    30nm級意味著一個加工技術節(jié)點在30至39納米之間,是比三星電子一年前開發(fā)的技術更高級的技術。1nm是1m的十億分之一。DRAM內存用于服務器、筆記本電腦和臺式電腦保持數(shù)據(jù)。 
 
    三星電子稱,30nm級技術預計將比50nm或者60nm加工技術生產的同樣的芯片減少大約一半的成本。 
 
    三星電子稱,新的用于PC的內存芯片能夠以每秒鐘2 133Mb的速度處理數(shù)據(jù),比其它產品的速度快16倍。 
本站內容除特別聲明的原創(chuàng)文章之外,轉載內容只為傳遞更多信息,并不代表本網站贊同其觀點。轉載的所有的文章、圖片、音/視頻文件等資料的版權歸版權所有權人所有。本站采用的非本站原創(chuàng)文章及圖片等內容無法一一聯(lián)系確認版權者。如涉及作品內容、版權和其它問題,請及時通過電子郵件或電話通知我們,以便迅速采取適當措施,避免給雙方造成不必要的經濟損失。聯(lián)系電話:010-82306118;郵箱:aet@chinaaet.com。