意法半導(dǎo)體(ST)宣布位于法國Crolles的晶圓廠即將投產(chǎn)28納米FD-SOI制程技術(shù)
2012-12-13
橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics,簡稱ST;紐約證券交易所代碼:STM)宣布其在28納米FD-SOI技術(shù)平臺的研發(fā)上又向前邁出一大步,即將在位于法國Crolles的12寸(300mm)晶圓廠投產(chǎn)該制程技術(shù),這證明了意法半導(dǎo)體以28納米技術(shù)節(jié)點(diǎn)提供平面全耗盡技術(shù)的能力。在實(shí)現(xiàn)極其出色的圖形、多媒體處理性能和高速寬帶連接功能的同時,而不犧牲電池的使用壽命的情況下,嵌入式處理器需具有市場上最高的性能及最低的功耗,意法半導(dǎo)體28納米技術(shù)的投產(chǎn)可解決這一挑戰(zhàn),滿足多媒體和便攜應(yīng)用市場的需求。
FD-SOI技術(shù)平臺包括全功能且經(jīng)過硅驗(yàn)證的設(shè)計(jì)平臺和設(shè)計(jì)流程。技術(shù)平臺包括全套的基礎(chǔ)程式庫(標(biāo)準(zhǔn)單元、存儲器生成器、I/O、AMS IP以及高速接口);設(shè)計(jì)流程適合開發(fā)高速的高能效器件。
較傳統(tǒng)制造技術(shù),F(xiàn)D-SOI技術(shù)可在大幅提升性能的同時大幅降低功耗,因此ST-Ericsson選擇采用意法半導(dǎo)體的FD-SOI技術(shù)設(shè)計(jì)未來的移動平臺。
意法半導(dǎo)體執(zhí)行副總裁、數(shù)字產(chǎn)品部總經(jīng)理兼首席技術(shù)與制造官Jean-Marc Chery表示:“在產(chǎn)品和技術(shù)研發(fā)領(lǐng)域,意法半導(dǎo)體在很久以前就開始探索新的解決方案。FD-SOI技術(shù)的投產(chǎn),使意法半導(dǎo)體再次躋身全球最具創(chuàng)新力的半導(dǎo)體技術(shù)研發(fā)制造企業(yè)之列,后端晶圓測試證明,較傳統(tǒng)制造技術(shù),F(xiàn)D-SOI在性能和功耗方面具有明顯優(yōu)勢,讓我們能夠在28納米技術(shù)節(jié)點(diǎn)創(chuàng)建高成本效益的工業(yè)解決方案。ST-Ericsson的NovaThor ModAp的最大處理頻率超過2.5Ghz,在0.6V時達(dá)到800MHz,對該平臺的子系統(tǒng)的測試證明,該技術(shù)符合設(shè)計(jì)預(yù)期,具有靈活性和寬電壓范圍,可支持電壓和頻率動態(tài)調(diào)整(DVFS)。”
與制造成功同等重要的是,意法半導(dǎo)體發(fā)現(xiàn)了從28納米傳統(tǒng)CMOS制程(Bulk CMOS)向28納米FD-SOI移植代碼庫和物理IP的簡單方法,由于沒有MOS歷史效應(yīng),用傳統(tǒng)CAD工具和方法設(shè)計(jì)FD-SOI數(shù)字系統(tǒng)級芯片的過程與設(shè)計(jì)體效應(yīng)器件完全相同。FD-SOI能夠用于制造高能效的器件,必要時,動態(tài)體偏壓能讓器件立即進(jìn)入高性能模式,而其余時間保持在低泄漏電流模式,這些對于應(yīng)用軟件、操作系統(tǒng)和高速緩存系統(tǒng)都完全透明。較體效應(yīng)CMOS制程技術(shù),F(xiàn)D-SOI可實(shí)現(xiàn)更優(yōu)異的性能及低工作電壓,并擁有非常出色的能效。
關(guān)于意法半導(dǎo)體
意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics;ST)是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商,為客戶提供傳感器、功率器件、汽車產(chǎn)品和嵌入式處理器解決方案。從能源管理和節(jié)能技術(shù),到數(shù)字信任和數(shù)據(jù)安全,從醫(yī)療健身設(shè)備,到智能消費(fèi)電子,從家電、汽車,到辦公設(shè)備,從工作到娛樂,意法半導(dǎo)體的微電子器件無所不在,在豐富人們的生活方面發(fā)揮著積極、創(chuàng)新的作用。意法半導(dǎo)體代表著科技引領(lǐng)智能生活(life.augmented)的理念。