《電子技術(shù)應(yīng)用》
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基于復(fù)平面圓圖的RFID振蕩器設(shè)計(jì)方法研究
黃玉蘭
西安郵電大學(xué) 電子工程學(xué)院,陜西 西安710121
摘要: 為降低RFID射頻振蕩器功耗并縮小其體積,提出了一種改善其性能的設(shè)計(jì)方法。采用晶體管和無源網(wǎng)絡(luò)產(chǎn)生振蕩,分析了單項(xiàng)參數(shù)的變化規(guī)律,給出了提高綜合性能的方法以及射頻振蕩器的電路結(jié)構(gòu)。仿真結(jié)果表明,晶體管穩(wěn)定性對振蕩器的設(shè)計(jì)有一定影響,配以正反饋可增加不穩(wěn)定性,振蕩器起振越快,功率輸出越大,綜合利用史密斯圓圖和復(fù)平面上的穩(wěn)定性邊界可有效分配性能指標(biāo),為改善射頻振蕩器的性能開辟了一種新的途徑。
中圖分類號: TN850.8
文獻(xiàn)標(biāo)識碼: A
文章編號: 0258-7998(2012)10-0059-03
Study on design method of RFID oscillator based on complex number plane chart
Huang Yulan
School of Electronic Engineering, Xi'an University of Posts and Telecommunications, Xi′an 710121,China
Abstract: A design method for RFID oscillator is proposed to implement the low power consumption and small size. The oscillator made up of transistor and passive network is proposed,the variation rule of single parameter is given, and the method of improving integral performance is proposed. The simulation results show that the oscillator performance is affected by transistor stability,and the positive feedback will increase instability,the faster the oscillator start-up the greater the power output. The Smith chart and stability boundary can effectively allocate parameters, and the research results can be referred to design RF oscillator.
Key words : complex number plane chart;RFID;RF oscillator;tuning network;reflection coefficient

    射頻識別(RFID)是物聯(lián)網(wǎng)感知環(huán)節(jié)識別物體、采集信息的重要手段[1-2]。近年物聯(lián)網(wǎng)被世界各國作為戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)加以培育和發(fā)展,RFID已經(jīng)成為通信和電子領(lǐng)域的一個關(guān)鍵技術(shù),引起了廣泛關(guān)注。振蕩器是RFID射頻前端的關(guān)鍵模塊,低功耗和小體積是RFID的兩個重要性能指標(biāo)[3-4]。但目前射頻振蕩器主要采用壓控振蕩器(VCO)[5],由于VCO同時采用晶體管和二極管兩個有源器件,很難滿足RFID對低復(fù)雜度的要求,需要針對RFID研究新的振蕩器設(shè)計(jì)方法。

    本文提出了一種新的RFID產(chǎn)生振蕩的設(shè)計(jì)方法,采用晶體管和無源網(wǎng)絡(luò)設(shè)計(jì)振蕩器。給出了RFID射頻振蕩器的電路結(jié)構(gòu),提出了提高射頻振蕩器綜合性能的方法,對仿真曲線和仿真結(jié)果進(jìn)行了分析,為RFID振蕩器改善性能、適應(yīng)物聯(lián)網(wǎng)的需求開辟了一種新的途徑。
1 射頻振蕩器的工作原理
    振蕩器是一種非線性電路,它將直流功率轉(zhuǎn)換為射頻功率[6]。振蕩器的核心是一個能夠在特定頻率上實(shí)現(xiàn)正反饋的環(huán)路,當(dāng)工作頻率達(dá)到GHz量級時,電壓和電流的波動特性將不能被忽略[7-9],需要討論基于反射系數(shù)Γ和S參量的射頻振蕩器。雙端口射頻振蕩器由晶體管、調(diào)諧網(wǎng)絡(luò)和終端網(wǎng)絡(luò)三部分組成。圖1描述了射頻振蕩器的工作原理。
      
3 仿真結(jié)果
3.1 振蕩器電路

    振蕩電路如圖3所示。本設(shè)計(jì)振蕩器的晶體管采用惠普公司的hp_AT41411,為增加其不穩(wěn)定性配以正反饋,在基極串聯(lián)了一個2 nH的電感。振蕩器的振蕩頻率為2.25 GHz,系統(tǒng)的特性阻抗為50 Ω。在晶體管上添加調(diào)諧網(wǎng)絡(luò)和終端網(wǎng)絡(luò),以確定振蕩頻率、最大輸出功率和相位噪聲等因素。

3.2 起振時間和頻譜輸出仿真
    對振蕩器的起振時間進(jìn)行瞬態(tài)仿真,對振蕩頻率和輸出功率進(jìn)行頻譜輸出仿真。觀察振蕩器輸出的時域和頻域信號,給出幾組瞬態(tài)輸出曲線和振蕩頻率仿真曲線,如圖4所示。

 

 

    振蕩器的起振時間示于瞬態(tài)仿真圖中,分3組曲線給出。圖4(a)中標(biāo)記m1和m2所在的曲線給出了振蕩器第1種狀態(tài),標(biāo)記m1和m2的瞬態(tài)電壓輸出均為381.6 mV;圖4(b)中標(biāo)記m4和m5所在的曲線給出了振蕩器第2種狀態(tài),標(biāo)記m4和m5的瞬態(tài)電壓輸出均為368.2 mV;圖4(c)中標(biāo)記m7和m8所在的曲線給出了振蕩器第3種狀態(tài),標(biāo)記m7和m8的瞬態(tài)電壓輸出均為354.3 mV。由圖可以看出,3種狀態(tài)振蕩器均已起振,振蕩器在第1種狀態(tài)時起振的時間最短,在第3種狀態(tài)時起振的時間最長。
    振蕩器的振蕩頻率和輸出功率示于頻譜輸出圖中,分3組曲線給出。圖4(a)中標(biāo)記m3所在的曲線給出了振蕩器第1種狀態(tài),圖4(b)中標(biāo)記m6所在的曲線給出了振蕩器第2種狀態(tài),圖4(c)中標(biāo)記m9所在的曲線給出了振蕩器第3種狀態(tài)。由圖可以看出,標(biāo)記m3、m6和m9的振蕩頻率均為2.250 GHz,表明振蕩頻率相同時,振蕩器在第一種狀態(tài)時輸出功率最大,在第3種狀態(tài)時起輸出功率最小。
    對圖4的瞬態(tài)仿真圖和頻譜輸出圖進(jìn)行綜合分析后可以看出,振蕩器在第1種狀態(tài)時起振的時間最短,輸出功率最大;在第3種狀態(tài)時起振的時間最長,輸出功率最小。
    本文提出采用晶體管與無源網(wǎng)絡(luò)設(shè)計(jì)射頻振蕩器,與壓控振蕩器(VCO)相比具有有源器件少、功耗低、復(fù)雜度低的優(yōu)點(diǎn)?;?a class="innerlink" href="http://ihrv.cn/tags/復(fù)平面圓圖" title="復(fù)平面圓圖" target="_blank">復(fù)平面圓圖設(shè)計(jì)RFID射頻振蕩器,提出了射頻振蕩器的電路結(jié)構(gòu),給出了射頻振蕩器在復(fù)平面上的圖解方法。仿真結(jié)果表明,晶體管配以正反饋可增加不穩(wěn)定性,調(diào)諧網(wǎng)絡(luò)和終端網(wǎng)絡(luò)決定振蕩頻率并確保振蕩產(chǎn)生,在晶體管反射系數(shù)較大時振蕩器開始起振,起振時間越短功率輸出越大。本文提出的射頻振蕩器是非常實(shí)際的問題,可為RFID及其他射頻振蕩器的設(shè)計(jì)提供參考。
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