瑞薩科技公司與松下公司共同宣布，在瑞薩那珂分部(茨城縣日立那珂市)集中精力聯(lián)合開發(fā)領先的SoC工藝技術，并將其28-32nm工藝開發(fā)線投入運營。在瑞薩那珂分部，兩家公司正通過致力于對300mm晶圓產品線的聯(lián)合開發(fā)和提供聯(lián)合開發(fā)結構，進行28nm工藝技術的開發(fā)，旨在不久的將來將其投入批量生產。 早在1998年瑞薩還未正式成立之時，即已與松下約定聯(lián)合開發(fā)新一代SoC技術，并在瑞薩北伊丹事務所(兵庫縣依丹市)不斷開發(fā)面向90nm、65nm、45nm和32nm系列的半導體工藝技術。2008年10月，在將具有金屬/高k柵極堆棧結構與面向32nm系統(tǒng)SoC工藝的超低k材料晶體管技術進行結合，而使互聯(lián)技術得到開發(fā)后，即確立了將其投入批量生產的目標日期。 此后，在2009年7月，雙方又利用面向28nm工藝的金屬/高k柵極堆棧結構合作開發(fā)了SRAM單元?，F(xiàn)在，在這些成果的基礎上，兩家公司開始運營該生產線，以便在新近安裝于瑞薩那珂分部的300nm晶圓開發(fā)線內，利用28nm制造工藝技術聯(lián)合開發(fā)全集成技術。 在那珂分部的開發(fā)線中，除了從瑞薩北伊丹事務所轉移過來的部分開發(fā)線設備以外，兩家公司還安裝了全新的生產設備，以開發(fā)批量生產中實際所需的晶圓尺寸的產品，完成順利向批量生產階段的過渡，達到削減開發(fā)成本、縮短開發(fā)時間，從而提高開發(fā)和生產效率的目的。 28-32nm SoC工藝技術作為聯(lián)合開發(fā)的成果，已經應用到兩家公司推出的先進移動應用和數字家電的SoC中。此外，這些產品也已在兩家公司的各個分部實現(xiàn)了批量生產。 從促進早期技術積累到取得如今的成果，兩家公司一直借助于這種長期的合作伙伴關系，進行持續(xù)有效地開發(fā)，并致力于將這些先進技術及早地投入到應用中去。