《電子技術(shù)應(yīng)用》
您所在的位置:首頁 > 模擬設(shè)計(jì) > 設(shè)計(jì)應(yīng)用 > 低成本、高分辨率的時(shí)間測(cè)量應(yīng)用
低成本、高分辨率的時(shí)間測(cè)量應(yīng)用
Jim Bartling
Microchip公司
摘要: 時(shí)域反射法(TimeDomainReflectometry,TDR)是一種利用送入傳輸線的脈沖的反射能量來測(cè)量傳輸線阻抗的方法。當(dāng)脈沖送入傳輸線時(shí),脈沖以光在介質(zhì)中的傳播速度進(jìn)行傳播(通常為真空中光速的60%到80%)。當(dāng)脈沖遇到阻抗不匹配點(diǎn)時(shí),不匹配的能量會(huì)反射回脈沖源,整個(gè)過程所用時(shí)間為從脈沖源到達(dá)阻抗不匹配點(diǎn)所用時(shí)間的兩倍。圖1所示為無端接傳輸線的脈沖源處的典型波形。
Abstract:
Key words :

什么是時(shí)域反射法?

時(shí)域反射法(Time Domain Reflectometry,TDR)是一種利用送入傳輸線的脈沖的反射能量來測(cè)量傳輸線阻抗的方法。當(dāng)脈沖送入傳輸線時(shí),脈沖以光在介質(zhì)中的傳播速度進(jìn)行傳播(通常為真空中光速的60%到80%)。當(dāng)脈沖遇到阻抗不匹配點(diǎn)時(shí),不匹配的能量會(huì)反射回脈沖源,整個(gè)過程所用時(shí)間為從脈沖源到達(dá)阻抗不匹配點(diǎn)所用時(shí)間的兩倍。圖1所示為無端接傳輸線的脈沖源處的典型波形。

設(shè)計(jì)目標(biāo)

使用TDR可以獲得大量的信息,如傳輸線阻抗的一致性、連接器質(zhì)量、連接器位置、傳輸線長度、短路故障或開路故障。但所要用到的測(cè)試設(shè)備成本不菲,通常需要數(shù)千美元。大多數(shù)情況下,我們關(guān)注的只是下面的三項(xiàng)信息之一:傳輸線長度、短路故障或開路故障。

這就引出了本文的主題。如果只需要獲取如下信息,則可以采用低成本解決方案:(1)傳輸線長度、(2)開路故障點(diǎn)、(3)短路故障點(diǎn)。

本設(shè)計(jì)的目標(biāo):

• 時(shí)間分辨率不得低于1ns(相當(dāng)于0.5 ft)

• 整體時(shí)間測(cè)量精度在±1%之間

• 0.5ft分辨率下的最大測(cè)量長度大于200ft

• TDR所需元件成本低于10美元

使用充電時(shí)間測(cè)量單元(CTMU)外設(shè)進(jìn)行時(shí)間測(cè)量

低成本TDR系統(tǒng)的核心是名為充電時(shí)間測(cè)量單元(Charge Time Measurement Unit,CTMU)的外設(shè)。單片機(jī)上的CTMU外設(shè)可用于在高精度和高分辨(典型分辨率低于1ns)的情況下測(cè)量時(shí)間。

圖2為簡化的CTMU框圖,由下列各項(xiàng)組成:恒流源和高速開關(guān)、模數(shù)轉(zhuǎn)換器(Analog-to-Digital Converter,ADC)、放電開關(guān)、模擬多路復(fù)用器。所有這些模塊均集成于一個(gè)單片機(jī)中。

CTMU是一個(gè)恒流源,開關(guān)時(shí)間小于1ns。該電流可以表示為電壓對(duì)時(shí)間的導(dǎo)數(shù)與電容的乘積。下面為相應(yīng)的標(biāo)準(zhǔn)公式:

I=C(dV/dT)公式1

求出dT,然后積分可得

T=(C/I)V公式2

I是CTMU電流源的輸出電流,C是ADC輸入電容與所有雜散電容之和,V通過ADC測(cè)得。這樣可以計(jì)算出T的值。

CTMU的電流輸出連接至片上10位ADC,后者針對(duì)輸入采用電容性數(shù)模轉(zhuǎn)換器(DAC)。因此,我們采用開關(guān)時(shí)間低于1ns的電流源,以及具有固定輸入電容的ADC。模數(shù)輸入的充電時(shí)間未知,充電完成后使用ADC來測(cè)量電壓。在C和I已知,并測(cè)量出V的情況下,我們可計(jì)算出T。圖2所示為CTMU生成的典型波形。第一個(gè)脈沖時(shí)開關(guān)導(dǎo)通,開始為模數(shù)輸入電容充電,電壓線性上升(見圖1)。第二個(gè)脈沖時(shí)開關(guān)關(guān)斷,停止為模數(shù)輸入電容充電。此時(shí)可測(cè)出電壓,并通過公式2算出時(shí)間。

通過測(cè)量兩個(gè)已知時(shí)間并計(jì)算C/I的值,可實(shí)現(xiàn)軟件校準(zhǔn)。

TDR設(shè)計(jì)的實(shí)現(xiàn)

圖1所示為簡化的TDR電路原理圖和TDR波形。圖中未顯示帶片上CTMU外設(shè)的16位單片機(jī)(本設(shè)計(jì)中為PIC24FJ32GA102)。該單片機(jī)向高速緩沖器發(fā)出一個(gè)脈沖,此脈沖經(jīng)過50Ω電阻驅(qū)動(dòng)50Ω同軸電纜。這會(huì)生成圖1所示的波形。生成的波形饋送至一組雙高速比較器,比較器的跳變點(diǎn)分別為1/4 VPULSE和3/4 VPULSE,其中VPULSE為單片機(jī)產(chǎn)生并輸出到RF4的脈沖的幅值。比較器提供時(shí)間測(cè)量所需的邊沿CTED1和CTED2,如圖2所示。CTED1提供開始沿,CTED2提供停止沿。產(chǎn)生的電壓通過ADC進(jìn)行測(cè)量,此電壓體現(xiàn)邊沿1和邊沿2之間的時(shí)間(或50Ω同軸電纜電氣長度的兩倍)。CTMU外設(shè)的分辨率小于1ns,從而令整體分辨率小于0.5ft。使用10位ADC時(shí),最大測(cè)量長度為500ft。

     圖1a:簡化的TDR原理圖                              圖1b:生成的波形

結(jié)論

對(duì)照我們上文提出的目標(biāo),首先,在1ns或更佳分辨率的情況下,CTMU在測(cè)量電纜長度時(shí)可以輕松實(shí)現(xiàn)0.5ft的分辨率。通過執(zhí)行軟件校準(zhǔn)和使用0.01%晶振,系統(tǒng)能夠在無需電氣調(diào)整的情況下輕松校準(zhǔn)到1%的精度。10位ADC可實(shí)現(xiàn)的最大范圍為0.5ft與1024的乘積,超出了200ft的范圍要求。最后,我們來看一下TDR相關(guān)元件的大致成本,系統(tǒng)成本低于10美元。

因此,成本符合要求。最終得出的結(jié)論是,該TDR是可靠、易于實(shí)施和低成本的TDR。

            圖2a:簡化的CTMU框圖                       圖2b:典型CTMU波形

 

此內(nèi)容為AET網(wǎng)站原創(chuàng),未經(jīng)授權(quán)禁止轉(zhuǎn)載。