ARM公司與全球領先的半導體晶圓代工商聯(lián)電（NYSE:UMC; TWSE:2303）近日共同宣布達成長期合作協(xié)議，將為聯(lián)電的客戶提供已經(jīng)通過聯(lián)電28HPM工藝技術驗證的ARM Artisan®物理IP解決方案。這項最新的28納米工藝技術的應用范圍極廣，包括手機與無線等便攜設備，以及數(shù)字家庭和高速網(wǎng)絡等高性能應用。此次合作集合了兩家公司的優(yōu)勢，將為雙方的客戶提供卓越的技術與支持。
　
　　ARM物理IP部門執(zhí)行副總裁兼總經(jīng)理Simon Segars表示：“我們很高興聯(lián)電在28HPM工藝上采用ARM Artisan物理IP。至此，雙方客戶將能夠獲得完整的先進物理IP解決方案用于實現(xiàn) ARM技術，例如ARM CortexTM-A系列處理器。拓展ARM和聯(lián)電的合作關系，將加深雙方在28納米節(jié)點上的工藝技術與先進物理IP的開發(fā)方面的合作與創(chuàng)新，進而優(yōu)化性能、功耗效率和芯片密度，并體現(xiàn)ARM為先進工藝節(jié)點設計提供多樣化技術平臺的承諾。”
　
　　聯(lián)電客戶工程與IP研發(fā)設計支持部門副總裁S.C. Chien表示：“我們很高興能進一步拓展與ARM之間已超過10年的長期合作關系。這項由聯(lián)電贊助的發(fā)展計劃，將能夠為客戶在聯(lián)電各個先進的工藝技術上提供全方位的ARM物理IP解決方案，也有助于縮短產(chǎn)品在重要市場應用上的上市時間。此外，這項合作進一步凸顯了我們的承諾，將行業(yè)領先的資源，提供給采用聯(lián)電最尖端的28納米工藝節(jié)點的客戶。”
　
　　聯(lián)電的gate-last 28HPM工藝技術，具有卓越的性能、超低漏電的高K金屬柵結構等特點，能夠提供多種器件電壓、記憶單元、低速或超速運行能力，可以幫助片上系統(tǒng)設計師實現(xiàn)高性能和更長的電池續(xù)航能力。聯(lián)電的28HPM工藝技術預計于2012年中期投入試產(chǎn)。