??? 日前，設計與制造高性能" title="高性能">高性能射頻系統(tǒng)" title="射頻系統(tǒng)">射頻系統(tǒng)與解決方案提供者RF Micro Devices(RFMD)在其分析日宣布推出專有微機電系統(tǒng)(MEMS)——面向RF及其他應用的技術。RFMD期望其MEMS技術將在RF及其他應用中實現性能和功能的整合。RFMD推出的第一批RF MEMS器件將是面向3G多模手機的RF MEMS發(fā)送/接收開關及RF MEMS模式開關。通過減小產品占位面積并提高效率，從而延長手機通話時間，RFMD的MEMS開關技術將有助于加速3G部署。當與面向前端解決方案(GaAs、SOI及硅)的RFMD的工藝技術相結合時，RFMD的RF MEMS開關技術將樹立低成本、小尺寸及高性能前端的新標準。
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??? RFMD的MEMS開關還將在功率放大器(PA)的輸出電路中使用，以創(chuàng)建可調諧的PA，公司預計這將實現真正自適應的收發(fā)器解決方案。RFMD研發(fā)副總裁Victor Steel指出：“RFMD專有MEMS技術的商業(yè)化以及我們200mm MEMS研發(fā)制造廠的建設強調了RFMD不斷致力于通過實現創(chuàng)新產品" title="創(chuàng)新產品">創(chuàng)新產品。隨著我們MEMS功能的商業(yè)化，我們將能夠進一步提供可預計并超出我們客戶日益增長的RF需求的高整合度" title="高整合度">高整合度RF解決方案?！?/FONT>
??? 加州大學圣地亞哥分校教授Gabriel M. Rebeiz強調：“現有RF MEMS開關技術基于小制造批次及晶圓" title="晶圓">晶圓到晶圓封裝技術，這最終會增加器件成本。RFMD方法及其硅片上的高整合度針鋒相對地解決了這一問題，并最終將提高產量及性能以及極大降低成本?！?/P>
??? RFMD的RF MEMS開關為高功率歐姆接觸式MEMS開關，它們是RF CMOS SOI晶圓上后處理的IC，密封在晶圓級封裝(WLP)電介質圓頂中。使RF MEMS開關運行所需的所有必要電路均被集成到了基本CMOS中，包括可靠接通功率MEMS開關所需的大電壓及控制信號的產生。RF MEMS開關完全支持RFMD苛刻的蜂窩RF功率模塊要求，包括低插損及高隔離(典型0.2dB/35dB @ 1.9GHz)以及高諧波抑制(典型>90dBc)，同時還符合嚴格的可靠性及設計與生產成本要求。
??? 除RF MEMS開關外，RFMD還正在積極推動其他MEMS器件的商業(yè)化，例如RF MEMS濾波器、RF MEMS共鳴器(晶體替代器件)及MEMS傳感器。公司期望其MEMS技術連同其在高性能射頻系統(tǒng)中的現有核心能力將最終實現能夠適應任何無線協議——蜂窩或非蜂窩——的單片前端及軟件定義無線電。
??? RFMD將構建200mm研發(fā)晶圓制造廠以支持其不斷的MEMS開發(fā)。該MEMS研發(fā)制造廠將與RFMD GaN研發(fā)機構共同位于北卡羅萊納Mooresville的新工廠中。