隨著半導(dǎo)體制程微縮到28奈米,封測技術(shù)也跟著朝先進(jìn)制程演進(jìn),日月光、矽品、京元電、力成、頎邦等一線大廠,皆加碼布局3DIC及相對應(yīng)的系統(tǒng)級封裝(SiP)產(chǎn)能,包括矽穿孔(TSV)、銅柱凸塊(CopperPillarBump)等。封測業(yè)者預(yù)估,最快2011年第4季應(yīng)可接單量產(chǎn)。
臺積電28奈米制程已在2011年第2季正式量產(chǎn),預(yù)計到第3季應(yīng)可持續(xù)放量。聯(lián)電在日前法說會曾指出,該公司已有相關(guān)40/28奈米的規(guī)劃,預(yù)料28奈米的發(fā)展會比40/65奈米為快,28奈米制程在2012年可望與40奈米同步。
半導(dǎo)體制程進(jìn)入28奈米時代,封裝技術(shù)也跟著同步演進(jìn),包括3DIC相對的SiP、TSV以及銅柱凸塊,都是業(yè)者加碼布局的重點。DIGITIMESResearch估計,隨著TSV加工技術(shù)進(jìn)步,與加工成本下滑,預(yù)估采用TSV3DIC技術(shù)的半導(dǎo)體產(chǎn)品出貨量市占比重,將從2009年的0.9%提高至2015年的14%。
SEMI臺灣暨東南亞區(qū)總裁曹世綸表示,3DIC是半導(dǎo)體封裝的必然趨勢,現(xiàn)在所有產(chǎn)業(yè)鏈中的廠商都在尋找更經(jīng)濟(jì)的解決方案和合作伙伴,希望盡早克服技術(shù)瓶頸,達(dá)成量產(chǎn)目標(biāo)。
3DIC將是后PC時代主流,力成、爾必達(dá)(Elpida)與聯(lián)電將針對28奈米及以下制程,提!升3DIC整合技術(shù),預(yù)計于第3季進(jìn)入試產(chǎn)階段,其他封測大廠包括日月光、矽品等,也積極部署3D堆疊封裝技術(shù),2012~2013年將可以見到明顯增溫態(tài)勢。
日月光集團(tuán)總經(jīng)理暨研發(fā)長唐和明指出,由于使用矽基=(SiliconInterposer)的2.5DIC供應(yīng)鏈已大致完備,2.5DIC的導(dǎo)入預(yù)期會幫助半導(dǎo)體技術(shù)順利地由40奈米導(dǎo)入28奈米及以下。在電腦及智慧型手機(jī)等應(yīng)用驅(qū)動下,預(yù)估至2013年2.5D與3DIC的商業(yè)化產(chǎn)品將有機(jī)會問世。
艾克爾在日前的法說會上提及,該公司在第2季資本支出達(dá)9,700萬美元,用于支應(yīng)晶片尺寸覆晶封裝(FCCSP)、堆疊式FCCSP(flipchipstackedCSP)、細(xì)線路銅柱凸塊覆晶封裝(finepitchcopperpillarflipchip)等新一代先進(jìn)封裝技術(shù)。該公司表示,在積極著墨下,上述封裝技術(shù)的2011年上半營收比2010年同期倍增。
臺灣3大封測廠皆具備銅柱凸塊相關(guān)技術(shù)能力,在銅打線制程領(lǐng)先的日月光銅柱凸塊,已開始送樣認(rèn)證。根據(jù)客戶產(chǎn)品藍(lán)圖規(guī)劃,隨著28奈米制程在2012年躍升主流,也將推升銅柱凸塊需求大幅成長。力成已有相關(guān)機(jī)臺到位,并與客戶進(jìn)行認(rèn)證中,預(yù)計2011年第4季~2012年第1季即可量產(chǎn)。
頎邦和京元電于2011年3月簽訂合作備忘錄。著眼于電子產(chǎn)品輕薄短小為市場趨勢,電源管理IC為加強散熱以及增加電壓,對于厚銅制程需求開始浮現(xiàn),且厚銅制程與金凸塊、錫鉛凸塊制程類似,機(jī)器設(shè)備?|性高,電源管理IC便成為頎邦及京元電共同合作布局的新領(lǐng)域。同時中小尺寸LCD驅(qū)動IC轉(zhuǎn)向12吋廠生產(chǎn),8吋金凸塊產(chǎn)能開始閑置,朝向厚銅制程方向發(fā)展也可解決8吋金凸塊產(chǎn)能過剩問題。