SamsungFoundry準(zhǔn)備開始以28奈米FD-SOI制程，提供SST-MRAM以及快閃記憶體嵌入式非揮發(fā)性記憶體(eNVM)選項(xiàng)。

　　三星晶圓代工業(yè)務(wù)(SamsungFoundry)準(zhǔn)備開始以28奈米FD-SOI制程，提供SST-MRAM(spintorquetransfermagneticRAM)以及快閃記憶體，做為嵌入式非揮發(fā)性記憶體(eNVM)選項(xiàng)。

　　SamsungFoundry行銷暨業(yè)務(wù)開發(fā)負(fù)責(zé)人KelvinLow在接受EETimes歐洲版訪問時(shí)表示，該公司的技術(shù)藍(lán)圖顯示，28奈米 FD-SOI嵌入式非揮發(fā)性記憶體將分兩階段發(fā)展，首先是在2017年底進(jìn)行嵌入式快閃記憶體(eFlash)的風(fēng)險(xiǎn)生產(chǎn) (riskproduction)，嵌入式MRAM(eMRAM)的風(fēng)險(xiǎn)生產(chǎn)則安排在2018年底。

　　不過Low也指出：「我們雖然會(huì)同時(shí)提供eFlash與eMRAM(STT-MRAM)技術(shù)選項(xiàng)，但預(yù)期市場需求會(huì)導(dǎo)致最后只剩下一種嵌入式非揮發(fā)性記憶體方案?！?/p>

　　風(fēng)險(xiǎn)生產(chǎn)指的是晶圓代工廠客戶運(yùn)作其完整電路、并不測試結(jié)構(gòu)，但仍有可能改變制程與設(shè)計(jì)，以最佳化晶片性能以及改善良率;而因?yàn)橹瞥踢€未最后確 定，這類生產(chǎn)對(duì)客戶來說必須負(fù)擔(dān)風(fēng)險(xiǎn)，因此被稱為風(fēng)險(xiǎn)生產(chǎn)。此生產(chǎn)階段可能會(huì)持續(xù)數(shù)個(gè)月時(shí)間，而正式提供eFlash與eMRAM量產(chǎn)的時(shí)程，分別會(huì)在 2018與2019年。

　　MARM這種非揮發(fā)性記憶體技術(shù)已經(jīng)發(fā)展多年，最近才有業(yè)者EverspinTechnologies提供單獨(dú)的MRAM晶片;三星在2011年收購了MRAM技術(shù)新創(chuàng)公司Grandis。

　　要提供28奈米嵌入式非揮發(fā)性記憶體得克服許多挑戰(zhàn)，產(chǎn)業(yè)界公認(rèn)將快閃記憶體微縮至28奈米節(jié)點(diǎn)并不實(shí)際，但MRAM、相變化記憶體(PCM) 以及電阻式記憶體(ReRAM)等其他技術(shù)選項(xiàng)仍不成熟。28奈米節(jié)點(diǎn)eFlash的問題包括耐久性以及功耗，而通常SoC設(shè)計(jì)會(huì)選擇以較不積極的節(jié)點(diǎn)來 制作嵌入式快閃記憶體電路、放棄微縮。

　　這也可能是三星先推eFlash技術(shù)，但預(yù)期客戶會(huì)在長期使用STT-MRAM;MRAM在長期看來會(huì)是較受歡迎的技術(shù)，因?yàn)榕cCMOS融合的簡易性以及其電壓架構(gòu)，能以最少三層額外光罩就能被整合，而eFlash則通常需要6~8層額外光罩。

　　MRAM通常是以平面內(nèi)(in-plane)方式制作，不過也有選項(xiàng)是將磁性層垂直布置以進(jìn)一步縮小面積;不過Low表示，三星不方便透露其eMRAM的制作技術(shù)細(xì)節(jié)。

　　不過三星在2016年6月于美國德州奧斯汀舉行的設(shè)計(jì)自動(dòng)化大會(huì)(DAC)上，確實(shí)展示了以28奈米HKMG塊狀CMOS制程生產(chǎn)的獨(dú)立MRAM;Low表示：「我們的團(tuán)隊(duì)正在研究將此成果轉(zhuǎn)移至28奈米FD-SOI制程。」