SamsungFoundry準備開始以28奈米FD-SOI制程,提供SST-MRAM以及快閃記憶體嵌入式非揮發(fā)性記憶體(eNVM)選項。
三星晶圓代工業(yè)務(SamsungFoundry)準備開始以28奈米FD-SOI制程,提供SST-MRAM(spintorquetransfermagneticRAM)以及快閃記憶體,做為嵌入式非揮發(fā)性記憶體(eNVM)選項。
SamsungFoundry行銷暨業(yè)務開發(fā)負責人KelvinLow在接受EETimes歐洲版訪問時表示,該公司的技術藍圖顯示,28奈米 FD-SOI嵌入式非揮發(fā)性記憶體將分兩階段發(fā)展,首先是在2017年底進行嵌入式快閃記憶體(eFlash)的風險生產(chǎn) (riskproduction),嵌入式MRAM(eMRAM)的風險生產(chǎn)則安排在2018年底。
不過Low也指出:「我們雖然會同時提供eFlash與eMRAM(STT-MRAM)技術選項,但預期市場需求會導致最后只剩下一種嵌入式非揮發(fā)性記憶體方案?!?/p>
風險生產(chǎn)指的是晶圓代工廠客戶運作其完整電路、并不測試結(jié)構,但仍有可能改變制程與設計,以最佳化晶片性能以及改善良率;而因為制程還未最后確 定,這類生產(chǎn)對客戶來說必須負擔風險,因此被稱為風險生產(chǎn)。此生產(chǎn)階段可能會持續(xù)數(shù)個月時間,而正式提供eFlash與eMRAM量產(chǎn)的時程,分別會在 2018與2019年。
MARM這種非揮發(fā)性記憶體技術已經(jīng)發(fā)展多年,最近才有業(yè)者EverspinTechnologies提供單獨的MRAM晶片;三星在2011年收購了MRAM技術新創(chuàng)公司Grandis。
要提供28奈米嵌入式非揮發(fā)性記憶體得克服許多挑戰(zhàn),產(chǎn)業(yè)界公認將快閃記憶體微縮至28奈米節(jié)點并不實際,但MRAM、相變化記憶體(PCM) 以及電阻式記憶體(ReRAM)等其他技術選項仍不成熟。28奈米節(jié)點eFlash的問題包括耐久性以及功耗,而通常SoC設計會選擇以較不積極的節(jié)點來 制作嵌入式快閃記憶體電路、放棄微縮。
這也可能是三星先推eFlash技術,但預期客戶會在長期使用STT-MRAM;MRAM在長期看來會是較受歡迎的技術,因為與CMOS融合的簡易性以及其電壓架構,能以最少三層額外光罩就能被整合,而eFlash則通常需要6~8層額外光罩。
MRAM通常是以平面內(nèi)(in-plane)方式制作,不過也有選項是將磁性層垂直布置以進一步縮小面積;不過Low表示,三星不方便透露其eMRAM的制作技術細節(jié)。
不過三星在2016年6月于美國德州奧斯汀舉行的設計自動化大會(DAC)上,確實展示了以28奈米HKMG塊狀CMOS制程生產(chǎn)的獨立MRAM;Low表示:「我們的團隊正在研究將此成果轉(zhuǎn)移至28奈米FD-SOI制程?!?/p>