《電子技術(shù)應(yīng)用》
您所在的位置:首頁 > 嵌入式技术 > 业界动态 > Vishay Siliconix 推出了首款采用 TurboFET 技术的第三代功率 MOSFET,其切换损耗更低、切换速度更快

Vishay Siliconix 推出了首款采用 TurboFET 技术的第三代功率 MOSFET,其切换损耗更低、切换速度更快

器件采用 PowerPAK 1212-8 封装类型,导通电阻与栅极电荷乘积 FOM 在 4.5V 和 10 V 时分别低至 76
2008-12-05
作者:Vishay Intertech
?

日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)推出兩款 20V 和兩款 30V n 通道器件從而擴(kuò)展其第三代 TrenchFET 功率 MOSFET 系列。這些器件首次采用 TurboFET 技術(shù),利用新電荷平衡漏結(jié)構(gòu)將柵極電荷降低多達(dá) 45%,從而大幅降低切換損耗及提高切換速度。 ?

?

這次Vishay推出的20V 器件包括SiS426DN SiR496DP,其中SiS426DN器件采用尺寸 3mm × 3mm PowerPAK 1212-8 封裝可為此額定電壓的設(shè)備提供業(yè)界最低的導(dǎo)通電阻" title="導(dǎo)通電阻">導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積。對(duì)于 SiS426DN 而言直流到直流轉(zhuǎn)換器中針對(duì) MOSFET 的此關(guān)鍵優(yōu)值 (FOM) 4.5V 時(shí)為 76.6 m?-nC,而在 10 V 時(shí)為 117.60 m?-nC它在 4.5V 柵極驅(qū)動(dòng)時(shí)典型柵極電荷低至 13.2 nC, 10V 柵極驅(qū)動(dòng)時(shí)低至 28 nC。與最接近的同類競(jìng)爭(zhēng)器件相比這些規(guī)格意味著在 4.5V 10V 時(shí)柵極電荷分別降低 45% 36%,FOM 降低 50%。更低的柵極電荷意味著在所有頻率時(shí)更有效的切換,尤其是可讓設(shè)計(jì)人員選擇以更高的頻率工作,從而確保在直流到直流轉(zhuǎn)換器中使用更小的無源元件。?

?

Vishay 30V TurboFET 系列包括采用 PowerPAK 1212-8 封裝的" title="封裝的">封裝的新型 Si7718DN 和采用 PowerPAK SO-8 封裝的 Si7784DP。兩款 MOSFET 在 4.5V 和 10V 時(shí)典型柵極電荷分別為 13.7 nC 和 30 nC,且在 4.5V 和 10V 時(shí)導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積 FOM 分別為 112.34 m?-nC 和 180 m?-nC。采用 PowerPAK SO-8 封裝的 20V SiS426DN 器件 SiR496DP 也可用于大電流應(yīng)用。日前推出的所有器件均無鹵素,且 100% 通過 Rg 和 UIS 測(cè)試。?

?

這些器件將在同步降壓轉(zhuǎn)換器中用作高端 MOSFET,通過使用負(fù)載點(diǎn) (POL) 功率轉(zhuǎn)換" title="功率轉(zhuǎn)換">功率轉(zhuǎn)換有助于節(jié)省筆記本電腦、穩(wěn)壓器模塊 (VRM)、服務(wù)器及其他系統(tǒng)的功耗。?

?

器件規(guī)格表:?

型號(hào)?

SiS426DN?

SiR496DP?

Si7718DN?

Si7784DP?

封裝?

PowerPAK ?

1212-8?

PowerPAK ?

SO-8?

PowerPAK ?

1212-8?

PowerPAK ?

SO-8?

VDS?

20?

30?

RDS(在 4.5 V 時(shí))?

5.8 m??

8.2 m??

RDS(在 10 V 時(shí))?

4.2 m??

6 m??

典型 QG(在 4.5 V 時(shí))?

13.2 nC?

13.7 nC?

典型 QG(在 10 V 時(shí))?

28 nC?

30 nC?

RDS(on) x QG @ ?

VGS = 4.5 V?

76.6 m?-nC?

112.34 m?-nC?

RDS(on) x QG @ ?

VGS = 10 V?

117.6 m?-nC?

180 m?-nC?

?

目前,采用 TurboFET 技術(shù)的第三代功率 MOSFET 可提供樣品,并已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)大宗訂單的供貨周期為 10 12 周。?

【可從以下網(wǎng)址下載高分辯率圖像 (<500K)http://www.vishaypr.com/photopost/showphoto.php?photo=438?

?

VISHAY SILICONIX簡(jiǎn)介?

Vishay Siliconix 是現(xiàn)今世界上排名第一的低壓功率MOSFET和用于在計(jì)算機(jī)、蜂窩電話和通信基礎(chǔ)設(shè)備的管理和功率轉(zhuǎn)換以及控制計(jì)算機(jī)磁盤驅(qū)動(dòng)和汽車系統(tǒng)的固態(tài)開關(guān)的供應(yīng)商。Vishay Siliconix硅技術(shù)" title="硅技術(shù)">硅技術(shù)和封裝產(chǎn)品的里程碑,包括在業(yè)內(nèi)建成第一個(gè)" title="第一個(gè)">第一個(gè)基于槽硅工藝(TrenchFET)的功率型MOSFET和業(yè)內(nèi)第一個(gè)小型的表面貼裝的功率型MOSFET(LITTLE FOOT)。?

創(chuàng)新的傳統(tǒng)不斷的衍生出新的硅技術(shù),例如被設(shè)計(jì)用來在直流電到直流電的轉(zhuǎn)換和負(fù)荷切換的應(yīng)用中最佳化功率MOSFET的性能的硅技術(shù),以及可以滿足客戶需求的更佳熱性能(PowerPAK) 和更小空間(ChipFET,MICRO FOOT)新的封裝選擇。 除了功率MOSFET外,Vishay Siliconix的產(chǎn)品還包括功率集成電路和業(yè)界最杰出的模擬交換和多路復(fù)用器的線路。Vishay Siliconix功率集成電路的發(fā)展不僅專注于應(yīng)用在蜂窩電話、筆記本計(jì)算機(jī)、和固定電信基礎(chǔ)設(shè)備的功率轉(zhuǎn)換元件,而且也同樣關(guān)注低電壓、約束空間的新型模擬開關(guān)集成電路。?

Siliconix創(chuàng)建于1962年,在1996Vishay購(gòu)買了其80.4%的股份使其成為Vishay子公司。?

?

VISHAY簡(jiǎn)介?

Vishay Intertechnology, Inc. 是在紐約證券交易所上市(VSH)的財(cái)富 1,000 強(qiáng)企業(yè),是全球分立半導(dǎo)體(二極管、整流器、晶體管、光電器件及某些精選 IC)和無源電子元件(電阻器、電容器、電感器、傳感器及轉(zhuǎn)換器)的最大制造商之一,這些元件可用于工業(yè)、計(jì)算、汽車、消費(fèi)、電信、軍事、航空航天及醫(yī)療市場(chǎng)的各種類型的電子設(shè)備。憑借產(chǎn)品創(chuàng)新、成功的收購(gòu)戰(zhàn)略,以及提供“一站式”服務(wù)的能力使 Vishay 成為了全球業(yè)界領(lǐng)先者。?

有關(guān) Vishay 的詳細(xì)信息,可以訪問 Internet 網(wǎng)站 http://www.vishay.com。?

TrenchFETPowerPAK Siliconix Incorporated 的注冊(cè)商標(biāo)?

本站內(nèi)容除特別聲明的原創(chuàng)文章之外,轉(zhuǎn)載內(nèi)容只為傳遞更多信息,并不代表本網(wǎng)站贊同其觀點(diǎn)。轉(zhuǎn)載的所有的文章、圖片、音/視頻文件等資料的版權(quán)歸版權(quán)所有權(quán)人所有。本站采用的非本站原創(chuàng)文章及圖片等內(nèi)容無法一一聯(lián)系確認(rèn)版權(quán)者。如涉及作品內(nèi)容、版權(quán)和其它問題,請(qǐng)及時(shí)通過電子郵件或電話通知我們,以便迅速采取適當(dāng)措施,避免給雙方造成不必要的經(jīng)濟(jì)損失。聯(lián)系電話:010-82306118;郵箱:aet@chinaaet.com。

相關(guān)內(nèi)容