《電子技術(shù)應(yīng)用》
您所在的位置:首頁(yè) > 電子元件 > 業(yè)界動(dòng)態(tài) > Vishay推出600 V EF系列快速體二極管MOSFET,為功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用提供業(yè)界最低FOM指標(biāo)

Vishay推出600 V EF系列快速體二極管MOSFET,為功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用提供業(yè)界最低FOM指標(biāo)

第四代N溝道器件降低導(dǎo)通和開關(guān)損耗,提高能效
2020-12-27
來(lái)源:Vishay

賓夕法尼亞、MALVERN — 2020年12月23日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布,推出最新第四代600 V EF系列快速體二極管MOSFET 器件---SiHH070N60EF。Vishay Siliconix n溝道SiHH070N60EF導(dǎo)通電阻比其前代器件低29 %,為通信、工業(yè)、計(jì)算和企業(yè)級(jí)電源應(yīng)用提供高效解決方案,同時(shí)柵極電荷下降60 %,從而使器件導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積,即功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中600 V MOSFET的重要優(yōu)值系數(shù)(FOM)創(chuàng)業(yè)界新低。

 

20201223_SiHH070N60EF.jpg

Vishay提供豐富的MOSFET技術(shù)支持各級(jí)功率轉(zhuǎn)換,涵蓋高壓輸入到低壓輸出的各種最新高科技系統(tǒng)。隨著SiHH070N60EF的推出,以及即將發(fā)布的第四代600 V EF系列產(chǎn)品,Vishay可滿足電源系統(tǒng)架構(gòu)設(shè)計(jì)前兩個(gè)階段提高能效和功率密度的要求—包括圖騰柱無(wú)橋功率因數(shù)校正(PFC)和軟切換DC/DC轉(zhuǎn)換器拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。

SiHH070N60EF基于Vishay最新高能效E系列超結(jié)技術(shù),10 V條件下典型導(dǎo)通電阻僅為0.061 Ω,超低柵極電荷降至50 nC。器件的FOM為3.1 Ω*nC,比同類最接近的MOSFET低30 %。這些參數(shù)表明導(dǎo)通和開關(guān)損耗降低,從而節(jié)省能源。SiHH070N60EF有效輸出電容Co(er)和Co(tr)分別僅為90 pf和560 pF,可改善零電壓開關(guān)(ZVS)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)開關(guān)性能,如LLC諧振轉(zhuǎn)換器。器件的Co(tr) 比同類緊隨其后的MOSFET低32 %。

日前發(fā)布的器件采用PowerPAK? 8x8封裝,符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),無(wú)鹵素,耐受雪崩模式過(guò)壓瞬變,并保證極限值100 %通過(guò)UIS測(cè)試。

SiHH070N60EF現(xiàn)可提供樣品并已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),供貨周期為10周。


本站內(nèi)容除特別聲明的原創(chuàng)文章之外,轉(zhuǎn)載內(nèi)容只為傳遞更多信息,并不代表本網(wǎng)站贊同其觀點(diǎn)。轉(zhuǎn)載的所有的文章、圖片、音/視頻文件等資料的版權(quán)歸版權(quán)所有權(quán)人所有。本站采用的非本站原創(chuàng)文章及圖片等內(nèi)容無(wú)法一一聯(lián)系確認(rèn)版權(quán)者。如涉及作品內(nèi)容、版權(quán)和其它問(wèn)題,請(qǐng)及時(shí)通過(guò)電子郵件或電話通知我們,以便迅速采取適當(dāng)措施,避免給雙方造成不必要的經(jīng)濟(jì)損失。聯(lián)系電話:010-82306118;郵箱:aet@chinaaet.com。