賽普拉斯半導(dǎo)體公司日前宣布，其鐵電隨機(jī)存取存儲器（F-RAM™）產(chǎn)品系列中的1Mb并行異步接口F-RAM增加44-pin TSOPII封裝方式，其2 Mb串行外設(shè)接口（SPI）F-RAM的溫度范圍擴(kuò)展為-40?C 至+105?C。

新封裝方式可在替代標(biāo)準(zhǔn)的電池供電的SRAM時實現(xiàn)管腳兼容，應(yīng)用于工業(yè)自動化、計算、網(wǎng)絡(luò)和汽車電子應(yīng)用中的關(guān)鍵任務(wù)系統(tǒng)中。F-RAM與生俱來的非易失性可以實現(xiàn)瞬間數(shù)據(jù)捕獲，無需電池即可實現(xiàn)長達(dá)百年的保存時間。棄用電池可以降低系統(tǒng)成本和復(fù)雜性。2 Mb SPI F-RAM擴(kuò)展溫度范圍則是為了適應(yīng)很多高性能應(yīng)用中的嚴(yán)苛工作條件。

賽普拉斯非易失性產(chǎn)品事業(yè)部高級總監(jiān)Rainer Hoehler說：“賽普拉斯可提供業(yè)界最快、能效最高的非易失性RAM解決方案，并且我們致力于不斷擴(kuò)充我們的產(chǎn)品線。我們很高興為我們的F-RAM客戶提供這些新的封裝和擴(kuò)展溫度范圍的產(chǎn)品。”

供貨情況

44-pin TSOPII封裝的1 Mb并行異步接口F-RAM器件，以及-40?C 至+105?C擴(kuò)展溫度范圍、8-pin TDFN 封裝的2 Mb SPI F-RAM均將于2014年9月供貨。