頭條 東京大學(xué)研發(fā)摻鎵氧化銦晶體取代硅材料 6月29日消息，據(jù)scitechdaily報(bào)道，在2025 年 VLSI 技術(shù)和電路研討會(huì)上，東京大學(xué)工業(yè)科學(xué)研究所的研究人員發(fā)布了一篇題為《通過(guò)InGaOx的選擇性結(jié)晶實(shí)現(xiàn)環(huán)繞柵極的納米片氧化物半導(dǎo)體晶體管，以提高性能和可靠性》的論文，宣布開發(fā)一種革命性的新型的摻鎵氧化銦（InGaOx）的晶體材料，有望取代現(xiàn)有的硅材料，大幅提升在AI 與大數(shù)據(jù)領(lǐng)域應(yīng)用的性能，并在后硅時(shí)代延續(xù)摩爾定律的生命力。 最新資訊 日本“半導(dǎo)體教父”，跑到中國(guó)來(lái)造芯了 近日，深圳國(guó)資委成立了一家半導(dǎo)體公司－－昇維旭技術(shù)有限公司，專注于DRAM芯片的研發(fā)生產(chǎn)，考慮到其背景，這可是真正的國(guó)家隊(duì)下場(chǎng)造芯了，再加上當(dāng)前國(guó)產(chǎn)DRAM的落后局面，所以一時(shí)之間，引發(fā)了業(yè)界的極大關(guān)注。 發(fā)表于：10/18/2022 瑞薩電子完成對(duì)Steradian的收購(gòu) 2022 年 10 月 17 日，日本東京訊 － 全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子（TSE：6723）今日宣布，截至2022年10月17日已完成對(duì)提供4D成像雷達(dá)解決方案的無(wú)晶圓半導(dǎo)體公司Steradian Semiconductors Private Limited（“Steradian”）的收購(gòu)。 發(fā)表于：10/18/2022 比亞迪發(fā)布2022年前三季度業(yè)績(jī)預(yù)告 10月18日，比亞迪股份有限公司（下稱“比亞迪”）發(fā)布了2022年前三季度業(yè)績(jī)預(yù)告。業(yè)績(jī)預(yù)告期間為2022年1月1日至9月30日，預(yù)計(jì)業(yè)績(jī)同向上升。 發(fā)表于：10/18/2022 士蘭微擬募資65億元用于汽車半導(dǎo)體產(chǎn)線建設(shè) 近日，半導(dǎo)體龍頭企業(yè)士蘭微(600460)披露再融資預(yù)案，65億元募集資金將用于12寸芯片生產(chǎn)線、SiC功率器件生產(chǎn)線和汽車半導(dǎo)體封裝項(xiàng)目的建設(shè)。 發(fā)表于：10/17/2022 印度 10 月 在印度移動(dòng)大會(huì)上宣布正式推出 5G 服務(wù)，2023 年底前推廣全國(guó) 此前，印度政府曾在推特上公布“國(guó)家寬帶使命”計(jì)劃，并表示將于今年10月1日在印度正式推出5G服務(wù)，引發(fā)了不少網(wǎng)友的關(guān)注。然而，近日CNMO了解到，此條推文現(xiàn)已被刪除。業(yè)內(nèi)人士表示，印度可能尚未準(zhǔn)備好從10月1日開始推出5G服務(wù)。 發(fā)表于：10/17/2022 我國(guó)首個(gè)超高海拔光伏實(shí)證基地投產(chǎn) 10月14日，我國(guó)首個(gè)超高海拔光伏實(shí)證基地項(xiàng)目——四川甘孜興川實(shí)證光伏電站首批發(fā)電單元并網(wǎng)發(fā)電，標(biāo)志著該基地正式投產(chǎn)。 發(fā)表于：10/17/2022 再發(fā)力風(fēng)電光伏，國(guó)家能源局印發(fā)行動(dòng)計(jì)劃 據(jù)業(yè)內(nèi)消息，國(guó)家能源局近日印發(fā)《能源碳達(dá)峰碳中和標(biāo)準(zhǔn)化提升行動(dòng)計(jì)劃》，行動(dòng)計(jì)劃的內(nèi)容中包含完善以光伏、風(fēng)電為主的可再生能源標(biāo)準(zhǔn)體系，研究建立支撐新型電力系統(tǒng)建設(shè)的標(biāo)準(zhǔn)體系，加快完善新型儲(chǔ)能標(biāo)準(zhǔn)體系，有力支撐大型風(fēng)電光伏基地、分布式能源等開發(fā)建設(shè)、并網(wǎng)運(yùn)行和消納利用。 發(fā)表于：10/17/2022 老牌IDM也得妥協(xié)市場(chǎng)，Intel欲將設(shè)計(jì)和代工拆分? 據(jù)業(yè)內(nèi)消息，因?yàn)槿蛳M(fèi)電子市場(chǎng)的低迷，老牌IDM公司Intel將陸續(xù)從本月開始進(jìn)行較大規(guī)模裁員。Intel公司CEO帕特·基爾辛格自從上任以來(lái)不斷試圖調(diào)整公司策略以保證提高利潤(rùn)和產(chǎn)業(yè)規(guī)劃，信息表示Intel將對(duì)芯片設(shè)計(jì)與芯片代工部門進(jìn)行拆分。 發(fā)表于：10/17/2022 考驗(yàn)臺(tái)積電的時(shí)刻到了 全球經(jīng)濟(jì)下滑，芯片需求大減，美國(guó)制裁招數(shù)頻出，中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)政府“作妖”，這一切合力將全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)拖入了寒冬。 發(fā)表于：10/14/2022 四川美闊推出650VGaN/氮化鎵 FET增強(qiáng)模式- MGZ31N65 氮化鎵化學(xué)式為GaN，由人工合成的半導(dǎo)體材料，是第三代半導(dǎo)體材料的典型代表, 研制微電子器件、光電子器件的新型材料。氮化鎵技術(shù)及產(chǎn)業(yè)鏈已經(jīng)初步形成，相關(guān)器件快速發(fā)展。第三代半導(dǎo)體氮化鎵產(chǎn)業(yè)范圍涵蓋氮化鎵單晶襯底、半導(dǎo)體器件芯片設(shè)計(jì)、制造、封測(cè)以及芯片等主要應(yīng)用場(chǎng)景。成為高溫、高頻、大功率微波器件的首選材料之一，其高熱導(dǎo)率和基本不會(huì)被腐蝕的極強(qiáng)化學(xué)穩(wěn)定性，被廣泛運(yùn)用于持續(xù)高溫大功率器件上。 發(fā)表于：10/14/2022 ?…366367368369370371372373374375…?
