頭條 英偉達(dá)官宣：CUDA將全面支持RISC-V架構(gòu)！ 早在2024年10月，英偉達(dá)在RISC-V北美峰會(huì)上透露，其在2015年就選定將RISC-V選定為其專有Falcon微控制器（MCU）的繼任架構(gòu)。由于 MCU 內(nèi)核是通用的，因此可以在英偉達(dá)的產(chǎn)品中廣泛使用。根據(jù)英偉達(dá)當(dāng)時(shí)的預(yù)計(jì)，2024年英偉達(dá)將交付10億個(gè)內(nèi)置于其 GPU、CPU、SoC 和其他產(chǎn)品中的 RISC-V 處理器，這也凸顯了定制 RISC-V 內(nèi)核在英偉達(dá)硬件中的普遍性和重要性。 在此次RISC-V中國(guó)峰會(huì)上，F(xiàn)rans Sijstermanns也指出，英偉達(dá)是RVI和RISE的董事會(huì)成員和技術(shù)委員會(huì)代表，也是相關(guān)規(guī)范的貢獻(xiàn)者。英偉達(dá)產(chǎn)品中的微控制器都是基于RISC-V架構(gòu)，具有可配置、可擴(kuò)展和安全保護(hù)功能，并且也被集成在30多個(gè)IP中，每年出貨量超過10億個(gè)RISC-V MCU。 最新資訊 投資規(guī)模遠(yuǎn)超韓國(guó)，ASML將在中國(guó)臺(tái)灣建廠 據(jù)業(yè)內(nèi)信息報(bào)道，荷蘭光刻機(jī)巨頭ASML計(jì)劃明年投資300億新臺(tái)幣(約人民幣68.7億)在中國(guó)臺(tái)灣新建一個(gè)研發(fā)和生產(chǎn)中心。 發(fā)表于：11/23/2022 韓國(guó)芯片出口暴降30%！電子消費(fèi)需求疲軟 據(jù)報(bào)道，消費(fèi)電子產(chǎn)品需求下滑，導(dǎo)致對(duì)芯片的需求下滑，尤其是存儲(chǔ)芯片，需求與價(jià)格雙雙下滑。韓國(guó)關(guān)稅廳最新公布的數(shù)據(jù)顯示，在11月份的前20天，韓國(guó)芯片出口52.8億美元，同比下滑 29.4%。 發(fā)表于：11/23/2022 Intel晶圓代工主帥離職，重回代工的決心不變 據(jù)業(yè)內(nèi)信息報(bào)道，近日Intel重啟代工業(yè)務(wù)的主帥Randhir·Thakur正在準(zhǔn)備離職，Intel發(fā)出聲明表示，Randhir·Thakur已決定離開他的職位，追求公司外部的機(jī)會(huì)，但是會(huì)待到明年第一季度結(jié)束，以確保順利交接給新主管。 發(fā)表于：11/23/2022 中國(guó)多家公司組成聯(lián)盟攻關(guān)石墨烯技術(shù) 隨著摩爾定律不斷逼近極限，現(xiàn)在的硅基半導(dǎo)體技術(shù)很快會(huì)碰到極限，1nm及以下工藝就很難制造了，新的技術(shù)方向中石墨烯芯片是個(gè)路子，國(guó)內(nèi)也有多家公司組建聯(lián)盟攻關(guān)這一技術(shù)，其性能可達(dá)硅基芯片的10倍。 發(fā)表于：11/23/2022 臺(tái)積電張忠謀：基本敲定將在美設(shè)3納米晶圓廠 本周一，臺(tái)積電創(chuàng)始人張忠謀對(duì)媒體證實(shí)，該公司已經(jīng)“差不多敲定”，計(jì)劃在位于美國(guó)亞利桑那州的新工廠生產(chǎn)3納米(nm)芯片。 發(fā)表于：11/23/2022 臺(tái)積電3nm代工價(jià)格水漲船高，下游成本大幅拉升 據(jù)報(bào)道，臺(tái)積電3nm晶圓的價(jià)格可謂指數(shù)級(jí)增加，一片高達(dá)2萬美元，約合14萬人民幣。 發(fā)表于：11/23/2022 芯片代工廠3季度業(yè)績(jī)暴漲?或是未來3年最好成績(jī) 目前，Top10的晶圓廠中，已經(jīng)有5家發(fā)布了業(yè)績(jī)報(bào)告，分別是臺(tái)積電、聯(lián)華電子、中芯國(guó)際、華虹半導(dǎo)體和世界先進(jìn)。 發(fā)表于：11/23/2022 誰能拯救日本半導(dǎo)體？ 去年12月，日經(jīng)公布了關(guān)于日本半導(dǎo)體的調(diào)查結(jié)果，表示日本半導(dǎo)體的全球份額到2030年將減為零。這一結(jié)果是日本經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)省發(fā)布的會(huì)議資料《半導(dǎo)體戰(zhàn)略（概略）》的第7頁提示的預(yù)測(cè)圖。這一預(yù)測(cè)，敲響了日本半導(dǎo)體的警鐘。 發(fā)表于：11/23/2022 第三代半導(dǎo)體SiC技術(shù)崛起，各大廠商搶灘布局！ 基于硅材料上器件的設(shè)計(jì)和開發(fā)也經(jīng)過了許多代的結(jié)構(gòu)和工藝優(yōu)化和更新，正在逐漸接近硅材料的極限，Si 基器件在 600V 以上高電壓以及高功率場(chǎng)合達(dá)到其性能的極限。為了提升在高壓／高功率下器件的性能，第三代半導(dǎo)體材料 SiC（寬禁帶）應(yīng)運(yùn)而生。 發(fā)表于：11/23/2022 缺芯寒潮下，全球晶圓廠還持續(xù)擴(kuò)廠？ 疫情爆發(fā)以來，半導(dǎo)體業(yè)行情變化多端，特別是供需關(guān)系，比疫情出現(xiàn)前更加復(fù)雜。在晶圓代工市場(chǎng)，無論是先進(jìn)制程，還是成熟制程，產(chǎn)能都非常緊張。 發(fā)表于：11/23/2022 ?…330331332333334335336337338339…?
