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解決方案

如何使用SSR實(shí)現(xiàn)更高可靠性的隔離和更小的解決方案尺寸[電源技術(shù)][工業(yè)自動(dòng)化]

。盡管機(jī)電式繼電器和接觸器技術(shù)多年來(lái)有所改進(jìn)，但對(duì)于設(shè)計(jì)人員來(lái)說(shuō)，要實(shí)現(xiàn)其壽命可靠性和快速開(kāi)關(guān)速度以及低噪聲、沖擊振動(dòng)和功耗目標(biāo)，仍然具有挑戰(zhàn)性。

發(fā)表于：5/17/2022 2:32:59 PM

杜邦微電路及元件材料展現(xiàn)GreenTape? 低溫共燒陶瓷材料在天線(xiàn)封裝應(yīng)用中的價(jià)值[電子元件][5G]

杜邦微電路及元件材料展現(xiàn)GreenTape? 低溫共燒陶瓷材料在天線(xiàn)封裝應(yīng)用中的價(jià)值打造能提高5G可靠性與傳輸速度的解決方案

發(fā)表于：5/16/2022 10:54:00 AM

意法半導(dǎo)體首款氮化鎵功率轉(zhuǎn)換器瞄準(zhǔn)下一代50W高能效電源設(shè)計(jì)[電源技術(shù)][消費(fèi)電子]

VIPERGAN50是意法半導(dǎo)體VIPerPLUS系列首款可在寬工作電壓(9 V至23 V)下提供高達(dá)50 W功率的產(chǎn)品。這也是ST首款采用氮化鎵(GaN)晶體管的VIPer器件。

發(fā)表于：5/13/2022 5:33:00 AM

部署處理特定任務(wù)的單片機(jī)來(lái)簡(jiǎn)化復(fù)雜設(shè)計(jì)[嵌入式技術(shù)][消費(fèi)電子]

摘要：處理特定任務(wù)的單片機(jī)可減輕主單片機(jī)或微處理器的任務(wù)和工作負(fù)荷，從而有助于簡(jiǎn)化各種應(yīng)用的設(shè)計(jì)流程。

發(fā)表于：5/11/2022 8:23:00 PM

羅德與施瓦茨推出新型室外頻譜監(jiān)測(cè)與無(wú)線(xiàn)電定位解決方案[測(cè)試測(cè)量][其他]

羅德與施瓦茨推出新型室外頻譜監(jiān)測(cè)與無(wú)線(xiàn)電定位解決方案在無(wú)線(xiàn)通信所需頻率范圍不斷擴(kuò)展的情況下，全新緊湊型 R&S UMS400 通用監(jiān)測(cè)系統(tǒng)可滿(mǎn)足頻譜監(jiān)測(cè)與無(wú)線(xiàn)電定位需求。

發(fā)表于：5/11/2022 2:29:00 PM

構(gòu)筑強(qiáng)大軟件生態(tài)，Arm賦能基礎(chǔ)設(shè)施革新[EDA與制造][數(shù)據(jù)中心]

從數(shù)據(jù)中心到汽車(chē)及工廠(chǎng)，萬(wàn)物都在被重新設(shè)計(jì)為軟件定義的模式。同時(shí)，硬件的“專(zhuān)用處理”趨勢(shì)——即以獨(dú)特的創(chuàng)造性方式將 CPU、GPU、DPU 和其他組件組合在一起，并通過(guò)調(diào)整緩存大小、速度、I/O和其他屬性對(duì)其進(jìn)行藝術(shù)與科學(xué)的優(yōu)化，已成為繼摩爾定律后的又一創(chuàng)新推動(dòng)因素

發(fā)表于：5/10/2022 4:45:23 PM

為了實(shí)現(xiàn)更小、更快、更節(jié)能，芯片制造經(jīng)歷了什么？[EDA與制造][工業(yè)自動(dòng)化]

開(kāi)發(fā)3D結(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)變帶來(lái)了新的挑戰(zhàn)，隨著深寬比的增加，挑戰(zhàn)也在加劇。你可能已經(jīng)想到，3D架構(gòu)需要從器件設(shè)計(jì)上做根本性改變，需要新的材料、新的沉積和刻蝕方法來(lái)實(shí)現(xiàn)。在本文中，我們將帶大家一起回顧半導(dǎo)體行業(yè)在實(shí)現(xiàn)3D架構(gòu)過(guò)程中的重要里程碑。

發(fā)表于：5/10/2022 2:57:46 PM

一種使用連續(xù)時(shí)間Σ-Δ型轉(zhuǎn)換器優(yōu)化信號(hào)鏈的新型方法[模擬設(shè)計(jì)][工業(yè)自動(dòng)化]

為何應(yīng)考慮使用CTSD ADC來(lái)改善我的信號(hào)鏈設(shè)計(jì)？

發(fā)表于：5/10/2022 11:46:50 AM

用于實(shí)現(xiàn)O-RAN無(wú)線(xiàn)解決方案的5G技術(shù)器件[EDA與制造][5G]

O-RAN旨在推動(dòng)無(wú)線(xiàn)社區(qū)轉(zhuǎn)型、開(kāi)辟新無(wú)線(xiàn)設(shè)備通道和推動(dòng)創(chuàng)新，以履行3GPP關(guān)于5G的承諾。1要取得成功并保持高性?xún)r(jià)比，必須提供開(kāi)源的無(wú)線(xiàn)電設(shè)備和優(yōu)化的5G技術(shù)。本文將介紹其中一種用于設(shè)計(jì)和構(gòu)建高功效比的解決方案。

發(fā)表于：5/6/2022 7:03:27 PM

5nm及更先進(jìn)節(jié)點(diǎn)上FinFET的未來(lái)：使用工藝和電路仿真來(lái)預(yù)測(cè)下一代半導(dǎo)體的性能[電子元件][消費(fèi)電子]

雖然柵極間距（GP）和鰭片間距（FP）的微縮持續(xù)為FinFET平臺(tái)帶來(lái)更高的性能和更低的功耗，但在5nm及更先進(jìn)節(jié)點(diǎn)上，兼顧寄生電容電阻的控制和實(shí)現(xiàn)更高的晶體管性能變得更具挑戰(zhàn)。

發(fā)表于：5/5/2022 11:03:00 PM