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Vishay发布11颗采用Gen II超级结技术的新款500V高压MOSFET
發(fā)表于：2015/1/23 上午11:16:27
IR的电池保护MOSFET系列为移动应用提供具有成本效益的灵活解决方案
發(fā)表于：2014/12/2 下午4:31:40
Vishay的新款12V芯片级MOSFET可有效降低超便携产品的功耗
發(fā)表于：2014/10/23 下午11:53:24
Vishay发布其E系列器件的首颗500V高压MOSFET
發(fā)表于：2014/10/9 下午7:55:18
Vishay推出具有业内最低RDS(on)的P沟道MOSFET
發(fā)表于：2014/1/23 下午3:11:28
Vishay利用PowerPAK®封装的新款-40V和-30V MOSFET扩充Gen III P沟道产品
發(fā)表于：2013/7/15 上午11:10:35
Vishay利用PowerPAK®封装的新款-40V和-30V MOSFET扩充Gen III P沟道产品
發(fā)表于：2013/7/12 下午5:17:32
世界最小的晶体管封装“VML0806”开始量产
發(fā)表于：2012/9/17 下午1:58:07
Vishay Siliconix 的新款 N沟道TrenchFET®功率MOSFET再度刷新导通电阻的最低记录
發(fā)表于：2012/6/28 下午4:53:04
罗姆开发出用于DC/DC转换器的耐压30V功率MOSFET，产品阵容扩充达16种
發(fā)表于：2012/6/20 下午5:08:24
Vishay的新一代 TrenchFET® MOSFET再度刷新业内导通电阻最低记录
發(fā)表于：2012/5/8 下午5:05:57
Vishay 推出的下一代D系列MOSFET具有诸如超低导通电阻、超低栅极电荷等高性能指标
發(fā)表于：2012/5/3 下午1:46:36
安森美半导体推出低静态电流4通道及6通道开关，支持下一代高速接口
發(fā)表于：2012/3/31 上午9:14:32
飞兆半导体650V场截止IGBT 提高功率转换应用的效率和系统可靠性
發(fā)表于：2012/3/28 上午9:31:56
Vishay Siliconix推出业界首款采用SO-8占位面积的30V P沟道功率MOSFET器件
發(fā)表于：2009/6/30 下午5:41:53
Vishay Siliconix 推出业内最低导通电阻的新型 20V P 通道 TrenchFET 第三代功率 MOSFET
發(fā)表于：2009/3/10 上午9:18:46
特瑞仕半导体株式会社推出两款新型封装电压调整器
發(fā)表于：2009/2/6 下午2:01:13
Vishay Siliconix 推出业界最小占位面积的新型 20V n 通道功率 MOSFET＋肖特基二极管
發(fā)表于：2008/12/12 上午9:46:46
业内仅有的具有处理±VCC信号能力的开关
發(fā)表于：2008/11/10 下午1:46:45
Vishay的新型 Siliconix 25V TrenchFET Gen III 功率 MOSFET 刷新了业界最佳导通电阻记
發(fā)表于：2008/10/29 上午10:34:58
高速4选2交叉点开关
發(fā)表于：2008/10/28 上午10:46:08
业内尺寸最小的便携式媒体播放器电源管理方案
發(fā)表于：2008/10/20 下午1:14:01
特瑞仕推出双通道输出大电流高速LDO电压调整
發(fā)表于：2008/9/11 下午2:51:53
双通道输出大电流高速LDO电压调整器
發(fā)表于：2008/9/10 上午8:57:01
完全集成的8：1多路复用器，支持高速USB应用
發(fā)表于：2008/7/15 上午9:06:50
Vishay 推出业界最小占位面积的新型 20V P 通道TrenchFET 功率 MOSFET
發(fā)表于：2008/6/18 下午12:50:33

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