SiCOI MESFET的特性分析
所屬分類：技術論文
上傳者：serena
標簽： MESFET ISE-TCAD
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文檔介紹： 使用ISE-TCAD二維器件仿真軟件,對SiCOI MESFET的電學特性進行模擬分析。結果表明,通過調整器件結構參數(shù),例如門極柵長、有源層摻雜濃度、有源區(qū)厚度等,對器件轉移特性、輸出特性有較大影響。
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