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英飛凌與羅姆攜手推進(jìn)SiC功率器件封裝兼容性

英飛凌與羅姆攜手推進(jìn)SiC功率器件封裝兼容性

【2025年9月25日，德國(guó)慕尼黑與日本京都訊】全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司（總部位于德國(guó)諾伊比貝格，以下簡(jiǎn)稱“英飛凌”）今日宣布，與全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆（總部位于日本京都市）就建立SiC功率器件封裝合作機(jī)制簽署了備忘錄。

瑞薩電子宣布推出工業(yè)用首個(gè)以微控制器為基礎(chǔ)的可擴(kuò)展供電系統(tǒng)解決方案

高級(jí)半導(dǎo)體解決方案的領(lǐng)軍廠商瑞薩電子株式會(huì)社（TSE：6723，以下簡(jiǎn)稱“瑞薩”），于今天發(fā)布了最新的用于個(gè)人計(jì)算機(jī)CPU、服務(wù)器和儲(chǔ)存系統(tǒng)的供電穩(wěn)壓器(VR) 芯片集誕生。它包括行業(yè)首個(gè)集成微控制器（MCU）數(shù)字接口的VR控制器R2A30521NP和帶集成電流檢測(cè)電路的智能脈寬調(diào)制（PWM）- Driver - MOSFET功率器件DrMOS)[注1] R2J20759NP。.

發(fā)表于：10/25/2012

FairchildFSQ500L5.1V/400mA緊湊型省電模式反激式設(shè)計(jì)

Fairchild公司的FSQ500L主要為替代線性供電電源而設(shè)計(jì)的低價(jià)格產(chǎn)品。芯片集成SenseFET的電流模式PWM，內(nèi)建PWM控制器主要有以下特性：內(nèi)置振蕩器、欠壓鎖定保護(hù)、過(guò)載保護(hù)、內(nèi)置前沿消隱電路、優(yōu)化的門驅(qū)動(dòng)開(kāi)/關(guān)、磁滯熱關(guān)斷保護(hù)和溫度補(bǔ)償精密電流源。本文主要介紹FSQ500L的主要特性及器件框圖，同時(shí)介紹一款基于FSQ500L芯片的2.04W輸出的供電電源開(kāi)發(fā)方案。主要介紹方案的主要特性、性能、方案原理圖、方案PCB圖及方案器件列表。

發(fā)表于：10/23/2012

IR推出可靠的AUIR3320S智能電源開(kāi)關(guān)

全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 宣布推出可靠的AUIR3320S高側(cè)智能電源開(kāi)關(guān) (IPS) ，該產(chǎn)品針對(duì)車用正溫度系數(shù) (PTC) 電輔助加熱器應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。

發(fā)表于：10/23/2012

Vishay的17款新器件擴(kuò)充600V N溝道功率MOSFET系列

2012 年 10 月22 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，其E系列600V功率MOSFET新增采用8種封裝的17款新器件，將該系列MOSFET在10V下的導(dǎo)通電阻擴(kuò)展到39mΩ～600mΩ，將最高電流等級(jí)擴(kuò)展至7A～73A。新的E系列MOSFET采用Vishay的下一代超級(jí)結(jié)技術(shù)，使公司進(jìn)入使用功率轉(zhuǎn)換技術(shù)的增量市場(chǎng)，包括照明、適配器和高功率可再生能源系統(tǒng)。

發(fā)表于：10/23/2012

德州儀器推出支持電平位移與壓擺率控制的最靈活 PFET 高側(cè)負(fù)載開(kāi)關(guān)

日前，德州儀器(TI) 宣布推出一款在微型6 引腳封裝中集成功率PFET 與控制NFET 的高側(cè)負(fù)載開(kāi)關(guān)。該TPS27081A 提供1.0 V 至8 V 的業(yè)界最寬泛電源電壓支持，是分立式FET 開(kāi)關(guān)的最靈活替代產(chǎn)品。此外，該負(fù)載開(kāi)關(guān)還支持可調(diào)壓擺率控制，設(shè)計(jì)人員可在任何需要負(fù)載開(kāi)關(guān)或電源排序的應(yīng)用中使用該器件，其中包括筆記本電腦、平板電腦、液晶電視、全球定位系統(tǒng)(GPS) 以及機(jī)頂盒等。

發(fā)表于：10/22/2012

德州儀器控制器實(shí)現(xiàn)更高效率以太網(wǎng)供電

日前，德州儀器(TI) 宣布推出兩款整合以太網(wǎng)供電設(shè)備(PD) 管理器與DC/DC 控制器的電源管理集成電路。該TPS23751 與TPS23752 控制器不但支持寬泛負(fù)載下的高轉(zhuǎn)換效率，而且還可提供比市場(chǎng)其它解決方案高20% 的輕負(fù)載效率。這些IC 針對(duì)符合IEEE 802.3at type 2（高功率）標(biāo)準(zhǔn)的PoE 應(yīng)用而設(shè)計(jì)，主要用于IP 電話、安全監(jiān)控?cái)z像機(jī)、無(wú)線接入點(diǎn)以及各種工業(yè)應(yīng)用。如欲了解更多詳情或訂購(gòu)樣片，敬請(qǐng)?jiān)L問(wèn)：www.ti.com/poe-pr-cn。

發(fā)表于：10/19/2012

IR針對(duì)家電電機(jī)驅(qū)動(dòng)器應(yīng)用推出新型IGBT

全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 推出IRGR4045DPbF和IRGS4045DPbF，以此拓展絕緣柵雙極型晶體管 (IGBT) 系列。全新600V超高速溝道IGBT能夠?yàn)橄匆聶C(jī)和冰箱等家電與輕工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用提升性能及效率。

發(fā)表于：10/18/2012

安森美半導(dǎo)體推出采用極緊湊、低厚度封裝的業(yè)界最小MOSFET

應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào)：ONNN)擴(kuò)充公司寬廣的接口及電源管理產(chǎn)品陣容，推出一對(duì)優(yōu)化的超小超薄小信號(hào)MOSFET，用于空間受限的便攜消費(fèi)電子產(chǎn)品，如平板電腦、智能手機(jī)、GPS系統(tǒng)、數(shù)字媒體播放器及便攜式游戲機(jī)。

發(fā)表于：10/18/2012

堅(jiān)固的 38V、10A 降壓型 µModule 穩(wěn)壓器具防故障負(fù)載保護(hù)功能

凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出 4.5V 至 38V 輸入、0.6V 至 6V 輸出、10A 降壓型微型模塊 (µModule®) 穩(wěn)壓器 LTM4641，該器件為處理器、ASIC 和高端 FPGA 等負(fù)載提供全面的電氣和過(guò)熱保護(hù)。

發(fā)表于：10/18/2012

基于VUSB技術(shù)的數(shù)控直流穩(wěn)壓電源的設(shè)計(jì)

設(shè)計(jì)了一種以單片機(jī)為主，基于VUSB技術(shù)進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸控制的數(shù)控直流穩(wěn)壓電源。輸出電壓值由單片機(jī)控制，步進(jìn)調(diào)節(jié)方便，輸出穩(wěn)定。既可以作為單獨(dú)的電源使用，也可以嵌入到其他需要步進(jìn)電壓模塊的測(cè)試系統(tǒng)之中。

發(fā)表于：10/18/2012