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業(yè)界動(dòng)態(tài)

消息稱臺(tái)積電研究新的先進(jìn)芯片封裝技術(shù)

消息稱臺(tái)積電研究新的先進(jìn)芯片封裝技術(shù)：矩形代替圓形晶圓

發(fā)表于：6/20/2024 2:41:33 PM

我國(guó)人工智能企業(yè)數(shù)量已超4000家

我國(guó)人工智能企業(yè)數(shù)量已超4000家

發(fā)表于：6/20/2024 1:14:00 PM

傳美擬將11家中國(guó)晶圓廠列入實(shí)體清單

傳美擬將11家中國(guó)晶圓廠列入“實(shí)體清單”

發(fā)表于：6/20/2024 8:35:55 AM

中國(guó)電信發(fā)布全球首個(gè)單體稠密萬(wàn)億參數(shù)語(yǔ)義模型Tele-FLM-1T

6月19日消息，據(jù)“中國(guó)電信”官微發(fā)文，中國(guó)電信人工智能研究院（TeleAI）聯(lián)合北京智源人工智能研究院發(fā)布全球首個(gè)單體稠密萬(wàn)億參數(shù)語(yǔ)義模型Tele-FLM-1T，成為國(guó)內(nèi)首批發(fā)布稠密萬(wàn)億參數(shù)大模型的機(jī)構(gòu)。面對(duì)大模型訓(xùn)練過(guò)程中算力消耗巨大的挑戰(zhàn)，TeleAI與智源通過(guò)深度研發(fā)，結(jié)合模型生長(zhǎng)和損失預(yù)測(cè)等關(guān)鍵技術(shù)，成功推出了Tele-FLM系列模型。這一系列模型在算力資源的使用上，僅消耗了業(yè)界普通訓(xùn)練方案的9%，展現(xiàn)出極高的算力能效。

發(fā)表于：6/20/2024 8:35:50 AM

英特爾官網(wǎng)披露Intel 3 工藝節(jié)點(diǎn)技術(shù)細(xì)節(jié)

英特爾詳解Intel 3工藝：應(yīng)用更多EUV光刻，同功耗頻率提升至多18%

發(fā)表于：6/20/2024 8:35:49 AM

SK海力士展示HBM3E等AI內(nèi)存解決方案

SK海力士展示HBM3E、CMM-DDR5等AI內(nèi)存解決方案

發(fā)表于：6/20/2024 8:35:45 AM

臺(tái)積電南京工廠擴(kuò)產(chǎn)16/28nm芯片

獲美國(guó)無(wú)限豁免！臺(tái)積電南京擴(kuò)產(chǎn)16/28nm芯片，打壓中國(guó)芯？

發(fā)表于：6/20/2024 8:35:43 AM

消息稱美光正在全球擴(kuò)張HBM內(nèi)存產(chǎn)能

目標(biāo)相關(guān)領(lǐng)域市占看齊整體 DRAM，消息稱美光正全球擴(kuò)張 HBM 內(nèi)存產(chǎn)能

發(fā)表于：6/20/2024 8:35:40 AM

三星電子存儲(chǔ)部門宣布進(jìn)行重組

三星電子存儲(chǔ)半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)宣布下半年重組。這次會(huì)議是在新任設(shè)備解決方案（DS）部門負(fù)責(zé)人全永鉉上任后舉行的，標(biāo)志著公司可能在高帶寬內(nèi)存（HBM）等核心業(yè)務(wù)上尋求新的突破。據(jù)業(yè)內(nèi)人士19日透露，三星電子存儲(chǔ)部門前一天召開(kāi)了會(huì)議。存儲(chǔ)部門總經(jīng)理兼總裁Jungbae Lee主持了會(huì)議，該部門的主要高管出席了會(huì)議。

發(fā)表于：6/20/2024 8:35:37 AM

Intel 3制程已大批量生產(chǎn)

6月20日消息，據(jù)Tom's hard ware報(bào)道，當(dāng)?shù)貢r(shí)間周三，處理器大廠英特爾宣布其 3nm 級(jí)制程工藝技術(shù)“Intel 3”已在兩個(gè)工廠投入大批量生產(chǎn)，并提供了有關(guān)新的制程節(jié)點(diǎn)更多細(xì)節(jié)信息。據(jù)介紹，Intel 3 帶來(lái)了更高的性能和更高的晶體管密度，并支持 1.2V 電壓，相比Intel 4 帶來(lái)了18%的性能提升，適用于超高性能應(yīng)用。該節(jié)點(diǎn)面向英特爾自己的產(chǎn)品以及代工客戶。它還將在未來(lái)幾年內(nèi)還將會(huì)推出Intel 3-T、Intel 3-E、Intel 3P-T等多個(gè)演進(jìn)版本。

發(fā)表于：6/20/2024 8:35:36 AM