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業(yè)界動(dòng)態(tài)

意法半導(dǎo)體正式宣布入股RISC-V公司Quintauris GmbH

意法半導(dǎo)體加入高通/恩智浦/博世/英飛凌/Nordic的RISC-V合資公司

發(fā)表于：9/4/2024 8:39:00 AM

愛立信攜手Telstra率先全球部署新一代RAN計(jì)算平臺

愛立信攜手Telstra，率先全球部署新一代RAN計(jì)算平臺，共推移動(dòng)連接技術(shù)發(fā)展

發(fā)表于：9/4/2024 8:29:58 AM

中國移動(dòng)創(chuàng)新提出5G-A無線融合新架構(gòu)

5G-A技術(shù)發(fā)展邁上新臺階：中國移動(dòng)創(chuàng)新提出5G-A無線融合新架構(gòu)

發(fā)表于：9/4/2024 8:20:59 AM

消息稱三星電子測試TEL公司Acrevia GCB設(shè)備以改進(jìn)EUV光刻工藝

消息稱三星電子測試TEL公司Acrevia GCB設(shè)備以改進(jìn)EUV光刻工藝

發(fā)表于：9/4/2024 8:11:01 AM

Nexperia推出采用空間和能源效率較高的DFN2020D-3封裝的熱門功率BJT

　　奈梅亨，2024年 9月2日：Nexperia今日宣布其廣受歡迎的功率雙極結(jié)型晶體管（BJT）產(chǎn)品組合再次擴(kuò)展，推出采用DFN2020D-3封裝的十款標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品和十款汽車級產(chǎn)品。這些新器件的額定電壓為50 V和80 V，支持NPN和PNP極性的1 A至3 A電流范圍，進(jìn)一步鞏固了Nexperia作為市場領(lǐng)先供應(yīng)商的地位。通過此次發(fā)布，Nexperia通過DFN封裝提供了其大部分的功率BJT，可滿足設(shè)計(jì)人員對節(jié)省空間和能源的封裝的需求，以此取代舊的SOT223和SOT89封裝。

發(fā)表于：9/3/2024 1:28:36 PM

e絡(luò)盟發(fā)售功能強(qiáng)大的入門級 Raspberry Pi 5 2GB

　　中國上海，2024年9月2日——安富利旗下全球電子元器件產(chǎn)品與解決方案分銷商e絡(luò)盟日前開售極具性價(jià)比的全新 Raspberry Pi 5 2GB。

發(fā)表于：9/3/2024 1:23:06 PM

消息稱三星電子SK海力士堆疊式移動(dòng)內(nèi)存2026年后商業(yè)化

消息稱三星電子SK海力士堆疊式移動(dòng)內(nèi)存2026年后商業(yè)化 9 月 3 日消息，韓媒 etnews 當(dāng)?shù)貢r(shí)間昨日報(bào)道稱，三星電子和 SK 海力士的“類 HBM 式”堆疊結(jié)構(gòu)移動(dòng)內(nèi)存產(chǎn)品將在 2026 年后實(shí)現(xiàn)商業(yè)化。消息人士表示這兩大韓國內(nèi)存巨頭將堆疊式移動(dòng)內(nèi)存視為未來重要收入來源，計(jì)劃將“類 HBM 內(nèi)存”擴(kuò)展到智能手機(jī)、平板電腦和筆記本電腦中，為端側(cè) AI 提供動(dòng)力。綜合IT之家此前報(bào)道，三星電子的此類產(chǎn)品叫做 LP Wide I/O 內(nèi)存，SK 海力士則將這方面技術(shù)稱為 VFO。兩家企業(yè)使用了大致相同的技術(shù)路線，即將扇出封裝和垂直通道結(jié)合在一起。三星電子的 LP Wide I/O 內(nèi)存位寬達(dá) 512bit，是現(xiàn)有 LPDDR 內(nèi)存的 8 倍，較傳統(tǒng)引線鍵合擁有 8 倍 I/O 密度和 2.6 倍的 I/O 帶寬。該內(nèi)存將于 2025 年一季度技術(shù)就緒，2025 下半年至 2026 年中量產(chǎn)就緒。

發(fā)表于：9/3/2024 11:36:23 AM

我國首次突破溝槽型碳化硅MOSFET芯片制造技術(shù)

9 月 3 日消息，“南京發(fā)布”官方公眾號于 9 月 1 日發(fā)布博文，報(bào)道稱國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心（南京）歷時(shí) 4 年自主研發(fā)，成功攻關(guān)溝槽型碳化硅 MOSFET 芯片制造關(guān)鍵技術(shù)，打破平面型碳化硅 MOSFET 芯片性能“天花板”，實(shí)現(xiàn)我國在該領(lǐng)域的首次突破。項(xiàng)目背景碳化硅是第三代半導(dǎo)體材料的主要代表之一，具有寬禁帶、高臨界擊穿電場、高電子飽和遷移速率和高導(dǎo)熱率等優(yōu)良特性。碳化硅 MOS 主要有平面結(jié)構(gòu)和溝槽結(jié)構(gòu)兩種結(jié)構(gòu)，目前業(yè)內(nèi)應(yīng)用主要以平面型碳化硅 MOSFET 芯片為主。平面碳化硅 MOS 結(jié)構(gòu)的特點(diǎn)是工藝簡單，元胞一致性較好、雪崩能量比較高；缺點(diǎn)是當(dāng)電流被限制在靠近 P 體區(qū)域的狹窄 N 區(qū)中，流過時(shí)會產(chǎn)生 JFET 效應(yīng)，增加通態(tài)電阻，且寄生電容較大。

發(fā)表于：9/3/2024 11:10:21 AM

傳英特爾考慮出售FPGA芯片業(yè)務(wù)Altera

9月2日消息，據(jù)路透社援引知情人士的話報(bào)道稱，英特爾CEO基辛格和高級主管預(yù)計(jì)將在本月向公司董事會提交一項(xiàng)計(jì)劃，以削減不必要的業(yè)務(wù)，以降低成本并減少資本支出，包括考慮剝離晶圓制造業(yè)務(wù)，暫停德國晶圓廠建設(shè)，以及出售可編程芯片（FPGA）部門Altera。英特爾已經(jīng)在今年一季度將其制造業(yè)務(wù)進(jìn)行了獨(dú)立，并單獨(dú)報(bào)告財(cái)務(wù)業(yè)績，以確保設(shè)計(jì)部門和制造部門保持獨(dú)立的市場化運(yùn)作，進(jìn)一步推動(dòng)其晶圓代工業(yè)務(wù)的發(fā)展。英特爾預(yù)期，分拆制造業(yè)務(wù)后，2023年可以節(jié)省 30 億美元成本， 2025 年將節(jié)省 80-100 億美元成本。并且，基于這種模式，英特爾2025年還有望成為全球第二大晶圓代工廠，代工收入將超過 200 億美元。同時(shí)，設(shè)計(jì)部門毛利率也將提升至 45%、營業(yè)利潤率為 20%。

發(fā)表于：9/3/2024 10:59:06 AM

2024年第二季度聯(lián)發(fā)科繼續(xù)領(lǐng)跑智能手機(jī)處理器市場

9 月 2 日消息，研究機(jī)構(gòu) Canalys 今日發(fā)布 2024 年第二季度智能手機(jī)處理器廠商數(shù)據(jù)（按智能手機(jī)出貨量統(tǒng)計(jì)），聯(lián)發(fā)科繼續(xù)保持領(lǐng)先處理器廠商地位，出貨量達(dá) 1.153 億臺，同比增長 7%。

發(fā)表于：9/3/2024 10:50:07 AM