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業(yè)界動(dòng)態(tài)

艾邁斯歐司朗成立中國(guó)發(fā)展中心，推動(dòng)區(qū)域業(yè)務(wù)拓展

中國(guó) 上海，2024年8月12日——全球領(lǐng)先的光學(xué)解決方案供應(yīng)商艾邁斯歐司朗（瑞士證券交易所股票代碼：AMS）今日宣布，已正式啟動(dòng)中國(guó)研發(fā)中心（China Development Center，以下簡(jiǎn)稱(chēng)CDC），旨在推動(dòng)大中華區(qū)的業(yè)務(wù)增長(zhǎng)和技術(shù)創(chuàng)新。

發(fā)表于：8/13/2024 2:25:00 PM

上半年國(guó)內(nèi)乘用車(chē)座艙芯片交付榜公布

8月13日消息，根據(jù)高工智能汽車(chē)研究院最新發(fā)布的《2024上半年中國(guó)市場(chǎng)乘用車(chē)座艙芯片交付量TOP10》榜單。華為海思作為本土品牌，在激烈的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)中表現(xiàn)出色，成功躋身前十，交付量達(dá)到225898輛，市場(chǎng)份額為1.42%。

發(fā)表于：8/13/2024 1:25:45 PM

復(fù)旦團(tuán)隊(duì)國(guó)際首次驗(yàn)證超快閃存集成工藝

8 月 13 日消息，據(jù)復(fù)旦大學(xué)官方今日消息，人工智能的飛速發(fā)展迫切需要高速非易失存儲(chǔ)技術(shù)。當(dāng)前主流非易失閃存的編程速度在百微秒級(jí)，無(wú)法支撐應(yīng)用需求。復(fù)旦大學(xué)周鵬-劉春森團(tuán)隊(duì)前期研究表明二維半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)能夠?qū)⑺俣忍嵘磺П兑陨希瑢?shí)現(xiàn)顛覆性的納秒級(jí)超快存儲(chǔ)閃存。然而，如何實(shí)現(xiàn)規(guī)模集成、走向?qū)嶋H應(yīng)用極具挑戰(zhàn)。從界面工程出發(fā)，復(fù)旦大學(xué)團(tuán)隊(duì)在國(guó)際上首次驗(yàn)證了 1Kb 超快閃存陣列集成驗(yàn)證，并證明了超快特性可延伸至亞 10 納米尺度。北京時(shí)間 8 月 12 日下午 5 點(diǎn)，相關(guān)成果以《二維超快閃存的規(guī)模集成工藝》（“A scalable integration process for ultrafast two-dimensional flash memory”）為題發(fā)表于國(guó)際頂尖期刊《自然-電子學(xué)》（Nature Electronics），DOI: 10.1038 / s41928-024-01229-6。

發(fā)表于：8/13/2024 1:03:07 PM

把兩塊芯片壓成一塊：EUV以來(lái)半導(dǎo)體制造的最大創(chuàng)新

把兩塊芯片壓成一塊：EUV以來(lái)半導(dǎo)體制造的最大創(chuàng)新

發(fā)表于：8/13/2024 11:49:00 AM

網(wǎng)信辦：我國(guó)備案上線可提供服務(wù)生成式AI大模型達(dá)190多個(gè)

網(wǎng)信辦：我國(guó)備案上線可提供服務(wù)生成式AI大模型達(dá)190多個(gè)8月12日，新華社對(duì)中央網(wǎng)信辦主任莊榮文的訪談文章引起了業(yè)界的廣泛關(guān)注，特別是莊榮文對(duì)積極推動(dòng)生成式人工智能發(fā)展和管理方面的問(wèn)答。莊榮文有提到，近年來(lái)，生成式人工智能快速發(fā)展，新技術(shù)不斷突破，新業(yè)態(tài)持續(xù)涌現(xiàn)，為經(jīng)濟(jì)社會(huì)發(fā)展注入了強(qiáng)勁動(dòng)能。

發(fā)表于：8/13/2024 11:31:51 AM

傳臺(tái)積電將在高雄建設(shè)1.4nm晶圓廠

因應(yīng)全球芯片訂單及AI快速發(fā)展，臺(tái)積電持續(xù)尋覓可用廠區(qū)土地，將最先進(jìn)制程技術(shù)留在臺(tái)灣發(fā)展。高雄楠梓園區(qū)除3座2納米技術(shù)晶圓廠外，還有基地可容納2納米以下技術(shù)設(shè)廠需求。據(jù)悉，高雄市府已超前部署，鎖定A14（14埃米）制程，盤(pán)點(diǎn)次世代先進(jìn)技術(shù)生產(chǎn)土地及水電供給，作為臺(tái)積電堅(jiān)強(qiáng)后盾。針對(duì)臺(tái)積電將于高雄擴(kuò)大埃米制程布局，公司低調(diào)表示不回應(yīng)市場(chǎng)傳言。

發(fā)表于：8/13/2024 10:59:32 AM

禾賽科技被移除出美國(guó)防部黑名單

中國(guó)激光雷達(dá)企業(yè)被移除出美國(guó)防部黑名單

發(fā)表于：8/13/2024 10:50:33 AM

消息稱(chēng)三星電子確認(rèn)平澤P4工廠1c nm DRAM內(nèi)存產(chǎn)線投資

8 月 12 日消息，韓媒 ETNews 報(bào)道稱(chēng)，三星電子內(nèi)部已確認(rèn)在平澤 P4 工廠建設(shè) 1c nm DRAM 內(nèi)存產(chǎn)線的投資計(jì)劃，該產(chǎn)線目標(biāo)明年 6 月投入運(yùn)營(yíng)。平澤 P4 是一座綜合性半導(dǎo)體生產(chǎn)中心，分為四期。在早前規(guī)劃中，一期為 NAND 閃存，二期為邏輯代工，三期、四期為 DRAM 內(nèi)存。三星已在 P4 一期導(dǎo)入 DRAM 生產(chǎn)設(shè)備，但擱置了二期建設(shè)。而 1c nm DRAM 是第六代 20~10 nm 級(jí)內(nèi)存工藝，各家的 1c nm（或?qū)?yīng)的 1γ nm）產(chǎn)品目前均尚未正式發(fā)布。韓媒在報(bào)道中稱(chēng)，三星電子計(jì)劃在今年底啟動(dòng) 1c nm 內(nèi)存生產(chǎn)。

發(fā)表于：8/13/2024 10:39:10 AM

美光加碼投資臺(tái)灣建立第二研發(fā)中心

美光總裁暨CEO Sanjay Mehrotra今年7月訪問(wèn)中國(guó)臺(tái)灣，將帶來(lái)更進(jìn)一步合作，例如在人工智能（AI）應(yīng)用扮演重要角色的高帶寬存儲(chǔ)器（HBM）。據(jù)悉，美光將加碼在中國(guó)臺(tái)灣投資，除制造HBM先進(jìn)制程外，不排除有機(jī)會(huì)在中國(guó)臺(tái)灣創(chuàng)建第二個(gè)研發(fā)中心。

發(fā)表于：8/13/2024 10:30:52 AM

武漢光谷實(shí)驗(yàn)室研發(fā)量子點(diǎn)光刻膠

8 月 13 日消息，武漢光谷實(shí)驗(yàn)室宣布與華中科技大學(xué)等研究團(tuán)隊(duì)合作研發(fā)出高性能量子點(diǎn)光刻膠（QD-PR），其藍(lán)光轉(zhuǎn)換效率達(dá)到 44.6%（綠色）和 45.0%（紅色），光刻精度達(dá)到 1 μm，各項(xiàng)性能指標(biāo)為行業(yè)領(lǐng)先水平。

發(fā)表于：8/13/2024 10:20:32 AM