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英特爾發(fā)布新一代AIPC芯片酷睿Ultra 200V

英特爾發(fā)布新一代 AIPC 芯片:算力狂飆,功耗史詩級(jí)降低

發(fā)表于:9/4/2024 10:02:54 AM

全何推出全球首款CUDIMM DDR5內(nèi)存

9月3日消息,全何科技宣布推出全球首款RGB DDR5 CUDIMM(時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器UDIMM)內(nèi)存條,超頻速度可達(dá)9200MT/s以上。 這款內(nèi)存條采用了專利散熱馬甲和導(dǎo)光條設(shè)計(jì),散熱馬甲顆粒對(duì)應(yīng)部分包含兩處凸起,可以將0.2mm厚度的導(dǎo)熱墊壓縮至0.1mm厚,官方稱這種設(shè)計(jì)使得散熱性能與裸條相當(dāng)。

發(fā)表于:9/4/2024 9:56:52 AM

Nexperia擴(kuò)展功率器件產(chǎn)品組合,新增標(biāo)準(zhǔn)和車規(guī)級(jí)理想二極管

  奈梅亨,2024年9月04日:Nexperia宣布為其持續(xù)擴(kuò)展的功率器件產(chǎn)品組合新增兩款理想二極管IC。其中,NID5100適用于標(biāo)準(zhǔn)工業(yè)和消費(fèi)應(yīng)用,而NID5100-Q100已獲得認(rèn)證,可用于汽車應(yīng)用。這兩款理想二極管均以MOSFET為基礎(chǔ),擁有比傳統(tǒng)二極管更低的正向壓降,非常適合用來替換系統(tǒng)中的標(biāo)準(zhǔn)二極管,進(jìn)而滿足相關(guān)的超高能效要求。

發(fā)表于:9/4/2024 9:55:04 AM

憶恒創(chuàng)源發(fā)布基于平頭哥主控的PCIe 5.0 SSD

9月3日消息,在ODCC大會(huì)上,國內(nèi)知名企業(yè)級(jí)PCIe SSD產(chǎn)品和解決方案供應(yīng)商憶恒創(chuàng)源,正式發(fā)布了國產(chǎn)PCIe 5.0企業(yè)級(jí)NVMe SSD PBlaze7 7A40系列。 這款SSD基于阿里平頭哥的鎮(zhèn)岳510 NVMe主控芯片和長江存儲(chǔ)閃存顆粒打造,率先實(shí)現(xiàn)了4K隨機(jī)寫100萬IOPS的突破,可為AI、數(shù)據(jù)庫、云計(jì)算、虛擬化等應(yīng)用帶來強(qiáng)勁的加速能力。

發(fā)表于:9/4/2024 9:45:59 AM

我國超高純石墨領(lǐng)域取得重大突破

99.99995%以上純度!我國超高純石墨領(lǐng)域取得重大突破 鋰電池/半導(dǎo)體必用材料

發(fā)表于:9/4/2024 9:45:25 AM

CEO蔡力行透露聯(lián)發(fā)科將進(jìn)軍AI數(shù)據(jù)中心市場

CEO蔡力行透露聯(lián)發(fā)科將進(jìn)軍AI數(shù)據(jù)中心市場

發(fā)表于:9/4/2024 9:39:33 AM

三星電子HBM3E內(nèi)存已獲英偉達(dá)驗(yàn)證

TrendForce:三星電子 HBM3E 內(nèi)存已獲英偉達(dá)驗(yàn)證,8Hi 產(chǎn)品開始出貨

發(fā)表于:9/4/2024 9:33:36 AM

消息稱LG Display連連虧損大規(guī)模裁員

消息稱LG Display連連虧損大規(guī)模裁員,已有1400人自愿退休

發(fā)表于:9/4/2024 9:29:08 AM

消息稱美國司法部已對(duì)英偉達(dá)在AI領(lǐng)域主導(dǎo)地位升級(jí)反壟斷調(diào)查

消息稱美國司法部已對(duì)英偉達(dá)在 AI 領(lǐng)域主導(dǎo)地位升級(jí)反壟斷調(diào)查

發(fā)表于:9/4/2024 9:25:02 AM

中國科學(xué)院大連化物所等開發(fā)出用于電池壽命預(yù)測(cè)的深度學(xué)習(xí)模型

中國科學(xué)院大連化物所等開發(fā)出用于電池壽命預(yù)測(cè)的深度學(xué)習(xí)模型

發(fā)表于:9/4/2024 9:17:38 AM

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