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通過AEC-Q200認(rèn)證的823A系列高壓汽車應(yīng)用保險(xiǎn)絲

2025年3月25日訊,伊利諾伊州羅斯蒙特市—Littelfuse公司(NASDAQ:LFUS)是一家工業(yè)技術(shù)制造公司,致力于為可持續(xù)發(fā)展、互聯(lián)互通和更安全世界提供動(dòng)力。公司日前宣布推出新型823A系列保險(xiǎn)絲,該款產(chǎn)品是通過AEC-Q200認(rèn)證的高額定電壓表面貼裝(SMD)保險(xiǎn)絲,具有很高的分?jǐn)囝~定值

發(fā)表于:3/26/2025 9:55:47 PM

英飛凌推出用于超高功率密度設(shè)計(jì)的全新E型XDP?混合反激控制器IC

【2025年3月26日, 德國慕尼黑訊】繼推出業(yè)界首款PFC和混合反激(HFB)組合IC后,全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)又推出E型混合反激控制器系列。

發(fā)表于:3/26/2025 9:52:20 PM

意法半導(dǎo)體STM32WBA6新系列高集成度無線微控制器

2025年3月20日,中國 —— 服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體 (STMicroelectronics,簡稱ST;紐約證券交易所代碼:STM) 發(fā)布了下一代STM32高能效短距離無線微控制器 (MCU),可簡化消費(fèi)電子產(chǎn)品和工業(yè)設(shè)備與物聯(lián)網(wǎng)的連接。

發(fā)表于:3/26/2025 9:43:09 PM

九科RPA領(lǐng)域獨(dú)占鰲頭,展現(xiàn)行業(yè)地位

近日,第一新聲研究院發(fā)布的《2024年央國企RPA市場研究報(bào)告》顯示,九科信息在國央企RPA市場中獨(dú)占鰲頭,市場份額位居第一。這一成就不僅彰顯了九科信息在RPA領(lǐng)域的卓越實(shí)力,也反映了國央企RPA市場的蓬勃發(fā)展態(tài)勢。

發(fā)表于:3/26/2025 4:07:18 PM

消息稱高通對三星代工工藝失去信心

3 月 26 日消息,科技媒體 SamMobile 昨日(3 月 25 日)發(fā)布博文,報(bào)道稱高通對三星失去信心,即將推出的驍龍 8s Gen 4 芯片將由臺(tái)積電獨(dú)家代工,三星 4nm 工藝已出局。

發(fā)表于:3/26/2025 1:02:26 PM

高通在全球三大洲指控Arm壟斷反競爭

3月26日消息,英國芯片設(shè)計(jì)公司Arm自被軟銀收購后,業(yè)務(wù)模式已經(jīng)逐漸從基礎(chǔ)架構(gòu)提供商轉(zhuǎn)向完整芯片設(shè)計(jì)商。 彭博社今天援引知情人士的話透露,高通已向歐盟委員會(huì)、美國聯(lián)邦貿(mào)易委員會(huì)(FTC)及韓國公平交易委員會(huì)提交機(jī)密文件,指控Arm涉嫌濫用市場支配地位實(shí)施反競爭行為。

發(fā)表于:3/26/2025 11:34:52 AM

美光宣布其用于英偉達(dá)AI芯片的HBM3E及SOCAMM已量產(chǎn)出貨

3 月 25 日消息,美光今日宣布成為全球首家且唯一一家同時(shí)出貨 HBM3E 及 SOCAMM 產(chǎn)品的存儲(chǔ)廠商。 據(jù)介紹,其用于英偉達(dá) GB300 Grace Blackwell Ultra 超級(jí)芯片的 SOCAMM 內(nèi)存,以及針對 HGX B300 平臺(tái)打造的 HBM3E 12H 36GB、用于 HGX B200 平臺(tái)的 HBM3E 8H 24GB 已量產(chǎn)出貨。

發(fā)表于:3/26/2025 11:25:39 AM

北方華創(chuàng)發(fā)布首款12英寸電鍍設(shè)備

據(jù)北方華創(chuàng)官方微信公眾號(hào)消息,近日,北方華創(chuàng)正式發(fā)布旗下首款12英寸電鍍設(shè)備(ECP)——Ausip T830。該設(shè)備專為硅通孔(TSV)銅填充設(shè)計(jì),主要應(yīng)用于2.5D/3D先進(jìn)封裝領(lǐng)域。該產(chǎn)品標(biāo)志著北方華創(chuàng)正式進(jìn)軍電鍍設(shè)備市場,并在先進(jìn)封裝領(lǐng)域構(gòu)建了包括刻蝕、去膠、PVD、CVD、電鍍、PIQ 和清洗設(shè)備的完整互連解決方案。

發(fā)表于:3/26/2025 11:13:05 AM

消息稱英偉達(dá)Rubin GPU采用N3P和N5B制程與SoIC先進(jìn)封裝

3 月 25 日消息,臺(tái)媒《工商時(shí)報(bào)》今日宣稱,英偉達(dá)將于 2026 年推出的下一代 AI GPU 產(chǎn)品 Rubin 將導(dǎo)入多制程節(jié)點(diǎn)芯粒(注:Chiplet)設(shè)計(jì),其中計(jì)算芯片采用臺(tái)積電 N3P 制程,對 PPA 要求較低的 I/O 芯片則會(huì)使用 N5B 節(jié)點(diǎn)。

發(fā)表于:3/26/2025 11:06:02 AM

臺(tái)積電美國廠制造成本僅比臺(tái)灣廠高10%

3月26日消息,半導(dǎo)體研究機(jī)構(gòu)TechInsights近日發(fā)布報(bào)告稱,根據(jù)其旗下資深產(chǎn)業(yè)人士針對晶圓廠成本和價(jià)格模型所估算出的結(jié)果顯示,臺(tái)積電美國分公司TSMC Arizona的單片12英寸晶圓加工成本,僅比臺(tái)積電在中國臺(tái)灣的工廠僅高出不到10%。

發(fā)表于:3/26/2025 10:57:15 AM

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