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意法半導(dǎo)體推出封裝面積不足1mm2 的微功耗軌對(duì)軌比較器

意法半導(dǎo)體推出封裝面積不足1mm2 的微功耗軌對(duì)軌比較器

中國(guó)，2016年11月2日 ——橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱ST；紐約證券交易所代碼：STM）新款的TS985比較器兼?zhèn)湮⒐男阅?、寬?dòng)態(tài)范圍和高翻轉(zhuǎn)速度，且能夠壓縮在一個(gè)面積不足1mm2的微型封裝內(nèi)。

發(fā)表于：2016/11/5 15:15:00

安森美半導(dǎo)體擴(kuò)展CMOS 圖像傳感器PYTHON系列

安森美半導(dǎo)體擴(kuò)展CMOS 圖像傳感器PYTHON系列

2016 年 11 月2日 — 推動(dòng)高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào)：ON)，將PYTHON CMOS圖像傳感器系列的先進(jìn)全局快門成像性能提供給具性價(jià)比、小占位的設(shè)計(jì)。

發(fā)表于：2016/11/5 15:12:00

TI推出業(yè)界首款具有反極性保護(hù)的單芯片60V 電熔絲

TI推出業(yè)界首款具有反極性保護(hù)的單芯片60V 電熔絲

2016年11月1日，北京訊—德州儀器（TI）近日推出首款具有背靠背FET的單芯片電熔絲，提供高達(dá)60V的業(yè)界最高保護(hù)等級(jí)。TPS2660具有反極性保護(hù)和反向電流阻斷等先進(jìn)芯片功能，是用于工業(yè)、汽車和通信基礎(chǔ)設(shè)施設(shè)計(jì)中24 V和48 V軌道應(yīng)用的電源管理市場(chǎng)上集成度最高的電熔絲。如需了解更多信息，敬請(qǐng)?jiān)L問(wèn)http://www.ti.com.cn/TPS2660-pr-cn。

發(fā)表于：2016/11/5 14:43:00

意法半導(dǎo)體運(yùn)動(dòng)傳感器獲得谷歌Daydream和Tango兩大平臺(tái)認(rèn)證

意法半導(dǎo)體運(yùn)動(dòng)傳感器獲得谷歌Daydream和Tango兩大平臺(tái)認(rèn)證

中國(guó)，2016年11月1日 —— 橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱ST；紐約證券交易所代碼：STM）宣布，LSM6DSM 6軸慣性測(cè)量單元(IMU)通過(guò)谷歌產(chǎn)品認(rèn)證，獲準(zhǔn)用于下一代運(yùn)行Google Daydream和Tango兩大平臺(tái)的移動(dòng)設(shè)備。Daydream是一個(gè)高性能虛擬現(xiàn)實(shí)平臺(tái)，而Tango平臺(tái)能夠繪制3D空間并準(zhǔn)許將虛擬物體嵌入3D空間內(nèi)。

發(fā)表于：2016/11/5 14:33:00

Maxim超小尺寸hSensor平臺(tái)支持快速簡(jiǎn)便的可穿戴產(chǎn)品設(shè)計(jì)

Maxim超小尺寸hSensor平臺(tái)支持快速簡(jiǎn)便的可穿戴產(chǎn)品設(shè)計(jì)

中國(guó)，北京——2016年11月1日——Maxim推出超小尺寸hSensor平臺(tái)，幫助快速、簡(jiǎn)便地驗(yàn)證下一代健康、保健及高端健身可穿戴產(chǎn)品的解決方案。

發(fā)表于：2016/11/5 10:31:00

英飛凌與Argus助力聯(lián)網(wǎng)和自動(dòng)駕駛汽車加強(qiáng)安全性

英飛凌與Argus助力聯(lián)網(wǎng)和自動(dòng)駕駛汽車加強(qiáng)安全性

2016年11月1日，德國(guó)慕尼黑和巴登-巴登及以色列特拉維夫訊——實(shí)時(shí)網(wǎng)絡(luò)安全對(duì)于聯(lián)網(wǎng)和自動(dòng)駕駛汽車而言十分關(guān)鍵。由于車輛需要實(shí)時(shí)抵御網(wǎng)絡(luò)攻擊，所以網(wǎng)絡(luò)安全解決方案必須識(shí)別惡意消息，并防止其在車載網(wǎng)絡(luò)上傳播。由于網(wǎng)絡(luò)威脅本質(zhì)上是動(dòng)態(tài)的，所以，網(wǎng)絡(luò)安全解決方案需要以無(wú)線方式進(jìn)行更新，以幫助車隊(duì)防范最新的威脅和攻擊方法。

發(fā)表于：2016/11/5 10:27:00

最新Qorvo®技術(shù)支持更高性能的GaN分立式LNA和驅(qū)動(dòng)器

最新Qorvo®技術(shù)支持更高性能的GaN分立式LNA和驅(qū)動(dòng)器

中國(guó)，北京 – 2016年11月03日 – 實(shí)現(xiàn)互聯(lián)世界的創(chuàng)新RF解決方案提供商Qorvo, Inc.（納斯達(dá)克代碼：QRVO）今天發(fā)布了一系列六款全新的氮化鎵（GaN）芯片晶體管---TGF2933-36和TGF2941-42，新產(chǎn)品的高頻性能更出色，噪聲更低，這對(duì)先進(jìn)的通信、雷達(dá)和國(guó)防RF系統(tǒng)應(yīng)用而言甚為關(guān)鍵。

發(fā)表于：2016/11/5 10:21:00

高可靠性金屬材質(zhì)的Han-PushPullPower L讓連接更輕松

高可靠性金屬材質(zhì)的Han-PushPullPower L讓連接更輕松

所有組件均符合電纜布線指引要求

發(fā)表于：2016/11/3 9:14:00

意法半導(dǎo)體STM32F7微控制器增加新產(chǎn)品線

意法半導(dǎo)體STM32F7微控制器增加新產(chǎn)品線

中國(guó)，2016年10月31日 —— 意法半導(dǎo)體STM32F7系列微控制器推出新產(chǎn)品線，并在開發(fā)生態(tài)系統(tǒng)中增加附件和選件，從而降低了基于ARM® Cortex®-M7內(nèi)核的高性能嵌入式設(shè)計(jì)的門檻。

發(fā)表于：2016/11/2 21:56:00

Vishay Intertechnology啟動(dòng)威世電阻學(xué)院計(jì)劃

Vishay Intertechnology啟動(dòng)威世電阻學(xué)院計(jì)劃

賓夕法尼亞、MALVERN — 2016 年 10 月31 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，將于11月9—10日在中國(guó)啟動(dòng)威世電阻學(xué)院計(jì)劃。威世電阻學(xué)院（Vishay Resistors University）是一個(gè)面向設(shè)計(jì)工程師和非工程師合作伙伴的教育計(jì)劃。參與者將有機(jī)會(huì)學(xué)習(xí)最出色的電阻技術(shù)，并獲得為各種應(yīng)用選擇電阻產(chǎn)品的寶貴第一手經(jīng)驗(yàn)。對(duì)于這些應(yīng)用，是否采用了最佳技術(shù)，其結(jié)果是截然不同的。

發(fā)表于：2016/11/2 21:40:00