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市場分析

《MEMS产业现状-2016版》

智能手机/便携式应用市场已经接近饱和，这意味着MEMS市场增速比前几年减缓。Yole预计2015~2021年全球MEMS市场的复合年增长率（CAGR）为8.9%，将从119亿美元增长到200亿美元。同期全球MEMS出货量的复合年增长率为13%。

發(fā)表于：2016/6/3 下午5:46:00

国家大力发展集成电路产业，存储领域优先受益

中国市场具有强劲的消费内需，还有联想、华为、小米等终端制采购商，每年大约要消耗全球30%的NAND Flash产能， 2015年中国NAND Flash市场规模达100亿美金。然而，中国集成电路产业发展相对滞后，国内企业不仅生产水平与国际大厂有一定的差距，甚至在很多关键芯片上缺乏核心技术，几乎90%以上的主芯片都要依赖国外进口，尤其是存储芯片。

發(fā)表于：2016/2/19 上午11:04:00

服务器市场对SSD需求将持续扩大

随着智能型手机、平板等移动设备和4G网路的普及，移动互联网应用、电子商务等领域海量的文本、图片、音视频等数据倍增，再加上科学研究、档案资料等，产生的数据正在以每年ZB的数量级增长，预计到2020年全球数据量将超过40ZB，其中大约70%-80%的数据将存储在云端。

發(fā)表于：2016/2/19 上午10:46:00

SSD接口开始由SATA向PCIe过渡

消费类SSD市场，SATAIII接口基本已实现了市场的普及，随着产品的发展，SSD接口将由SATAIII向PCIe过渡以实现速度的提升。SATAIII最高传输速度为600MB/s，PCIe Gen2 x1最高传输速度为500MB/s，随着PCIe接口规范的发展，PCIe Gen3 x1最高传输速度达到1GB/s，是SATAIII接口速度的2倍， PCIe Gen3 x4扩展速度更是达到最高4GB/s，这也是推动SSD接口向PCIe发展的最大推动力。

發(fā)表于：2016/2/19 上午10:32:00

市场分析 | TLC SSD发展已是大势所趋

SSD需求正在快速增长，其中消费类市场客户对价格较为敏感，产品竞争也容易陷入价格战，TLC SSD更低的成本可大幅提升市场竞争力，因此各厂商争相推出TLC SSD抢夺市场。

發(fā)表于：2016/2/19 上午10:17:00

英特尔、联发科主导eMMC成为平板市场主流存储方案

随着智能型手机向5英寸屏幕发展，以及二合一、变形、混合等笔记本快速崛起，平板市场需求遭受排挤，2014年全球平板出货量仅个位数成长，2015年苹果iPad季度销量以平均10%的跌幅在下滑，三星平板销量同样面临下滑的窘境，微软、华硕、戴尔等品牌厂平板出货也低于预期，而国内芯片厂更多的是转战OTT盒子、智能电视、车载等领域，2015年全球平板出货量2.1亿台，较2014年下滑10%。

發(fā)表于：2016/2/19 上午10:13:00

苹果、三星开始引导高端机型向NVMe SSD、UFS 2.0发展

苹果和三星在智能型手机市场起着领导作用，2015上半年三星旗舰机Galaxy S6/Edged采用64位八核Exynos7420，搭载UFS 2.0+LPDDR4，下半年魅族也采用Exynos7420+UFS 2.0方案推出旗舰机Pro 5，引爆UFS 2.0+LPDDR 4为高端智能型手机标准的风潮。除了三星Exynos7420，高通骁龙810也已支持UFS 2.0和LPDDR4，但由于市场验证速度慢，UFS 2.0较eMMC偏高等原因，大部分智能型手机主要以eMMC 5.0搭配LPDDR4存储方案为主，并向eMMC5.1升级。

發(fā)表于：2016/2/19 上午10:08:00

2015年eMMC最高跌幅高达40%

2015年智能型手机已向64位、八核迈进，2016年将向更高规格发展，eMMC速度提升出现瓶颈，UFS2.0最高理论传输速度11.6Gbps，将引领在高端智能型手机中应用，而UFS规范的发展将把速度提上另一个新高度。

發(fā)表于：2016/2/19 上午9:48:00

2016年，3D Flash将续写摩尔定律

与2D工艺相比，3D技术具有更高的速度，更低的功耗、更长的使用寿命和更大的容量，但三星32层TLC 3D NAND成本仅介于2D 19nm TLC与16nm TLC之间，缺乏竞争力。2016年3D技术进入48层256Gb TLC NAND，再加上Flash原厂3D NAND投产竞争下，3D技术将越来越有成本优势，预计2016年底3D NAND市场占有率将达20%，2018年将提高到45%，逐渐成为NAND Flash主流。

發(fā)表于：2016/2/19 上午9:27:00

NAND Flash产量增加30%，价格快速下滑

2014年1ynm MLC较1xnm MLC每片Wafer的Flash Die产量可增加25%， 2015年Flash原厂全面向1ynm TLC规模化量产，与1ynm MLC工艺比较，每片Wafer的Flash Die产量可增加30%，成本下滑20%。

發(fā)表于：2016/2/19 上午9:10:00

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