Flash原廠主要是三星、東芝/閃迪、美光、SK 海力士，三星2014下半年就以16nm TLC/MLC量產，2015年提高16nm TLC量產規(guī)模，由于16nm TLC 128Gb較東芝15nm TLC 128Gb在閃存卡和U盤價格上沒有競爭力，大量用于eMCP/eMMC，并從下半年開始轉進14nm量產。東芝/閃迪2015上半年由A19nm向15nm轉換，其中15nm MLC主要用于eMMC和SSD生產，15nm TLC滿足閃存卡、U盤等大容量需求。

美光2015上半年是由18nm全面轉向16nm，16nm MLC L94C和L95B滿足eMMC和SSD需求，16nm TLC B95A和B95B增強了LDPC ECC糾錯能力，并將16nm TLC用于自家SSD中。SK海力士技術提升比較快，2015年基本已轉入

16nm MLC/TLC工藝量產，由于16nm 128Gb TLC品質穩(wěn)定，除了獲得蘋果iPhone采用，還用于供應其它廠商TLC SSD生產，并規(guī)劃在2016年初向14nm轉進，進一步提高NAND Flash產量。

2014年1ynm MLC較1xnm MLC每片Wafer晶圓Flash Die產出可增加25%，2015年Flash原廠全面向1ynm TLC規(guī)?；慨a，與1ynm MLC比較，每片晶圓Flash Die產量可增加30%，成本下滑20%。以三星工藝技術為例，一個12吋晶圓，三星采用16nm工藝大約切割出750片的64Gb MLC Flash Die，同樣采用16nm工藝大約切割出1000片的64Gb TLC Flash Die，每片晶圓產能將增加33%，成本降低20%，這也是NAND Flash價格快速下滑的主因。

市場供過于求，閃存產品價格跌幅達35%

2015年三星、東芝/閃迪、美光、SK海力士等NAND Flash供應量合計超過800億GB當量，其中三星采用16nm TLC和48層3D技術提高產量，月產出在22億GB當量，主要滿足智能型手機、平板、SSD等需求，大約占32%的市場份額。東芝和閃迪Fab 4和Fab 5工廠合計月產出約25億GB當量，受15nm TLC工藝量產延后和內部重整等影響，市場占有率下滑至20%，閃迪則受企業(yè)級SSD認證遞延以及NAND Flash價格下跌拖累，市占率下滑至15%。美光擴大16nm TLC量產，并逐步減少MLC市場供貨，月產出量約12億GB當量，SK海力士產能主要集中在DRAM，NAND Flash月產出量大約為8億GB當量，由于TLC品質好，大部分被蘋果獨攬，而市場供貨主要以MLC為主。

2015年NAND Flash市場供應量較2014年成長20%，供應給eMMC和SSD合計超過75%。eMMC受惠智能型手機出貨成長，且高端機型向128GB提高帶動，以及平板、OTT盒子、智能電視等應用增加，eMMC大約消耗45%的NAND Flash產能。而在移動設備推動下，SSD在服務器需求快速增長，再加上消費類SSD從128GB開始普及，并向256GB轉移，SSD消耗NAND Flash比重已提高至32%，預計2018年將成NAND Flash最大的應用產品。傳統(tǒng)存儲卡在手機市場需求快速下滑，U盤市場需求也因PC出貨下滑和網絡存儲影響而一蹶不振，對NAND Flash消耗降低至18%，2016年這一市場還會持續(xù)萎縮。

Flash原廠1ynm TLC推動NAND Flash成本下滑20%，閃存產品價格下滑是必然，而全球智能型手機成長趨緩，平板出貨下滑，PC需求持續(xù)不振等卻加快了產品價格下滑的速度。據(jù)中國閃存市場網ChinaFlashMarket數(shù)據(jù)顯示，2015上半年市場供過于求，NAND Flash價格指數(shù)下滑15%，下半年蘋果iPhone 6s、三星Note 5、華為榮耀7等新機需求帶動市況有所好轉，但仍低于市場預期，NAND Flash價格指數(shù)累積跌幅高達35%，其中主流產品eMMC和SSD平均跌幅25%，閃存卡最高跌幅40%，U盤價格跌幅在20%左右，預計2016上半年市場依然會供過于求，下半年市況將有所好轉。

（來源：中國閃存市場）