電子元件相關(guān)文章 傳SK海力士等大幅下修半導(dǎo)體硅片采購量！減產(chǎn)的預(yù)兆？ 據(jù)韓國媒體TheElec爆料稱，三星電子、SK海力士已大幅下修半導(dǎo)體硅片的采購量，這也預(yù)示著這兩家存儲(chǔ)芯片大廠或?qū)p產(chǎn)。 發(fā)表于：2023/1/18 3nm良率誰更強(qiáng)？臺(tái)積電3nm良率僅有50%，三星3nm良率完美 1月10日消息，根據(jù)韓國經(jīng)濟(jì)日報(bào)的報(bào)導(dǎo)，市場消息人士表示，三星目前已經(jīng)大幅提高了其最尖端的3nm制程的良率與產(chǎn)量，用以相抗衡也已正式大規(guī)模量產(chǎn)3nm制程的晶圓代工龍頭臺(tái)積電。 發(fā)表于：2023/1/18 一年內(nèi)推兩款自研芯片，還有SoC在路上 1月10日早間消息，據(jù)報(bào)道，知情人士透露，蘋果公司正力推在其設(shè)備中使用自主研發(fā)組件，包括在2025年放棄由博通供應(yīng)的一個(gè)關(guān)鍵組件。知情人士表示，作為此番調(diào)整的一部分，蘋果還準(zhǔn)備在2024年底或2025年初推出自己的首款蜂窩調(diào)制解調(diào)器芯片，從而代替高通的芯片。按照之前的預(yù)期，蘋果最早可能在今年替換高通的芯片，但開發(fā)遇阻導(dǎo)致這項(xiàng)計(jì)劃推遲。 發(fā)表于：2023/1/18 X光機(jī)是什么？三星明年將推出基于3D ToF技術(shù)的X光機(jī) 12月28日消息，據(jù)韓媒 The Elec 報(bào)導(dǎo)，三星計(jì)劃于明年推出一款采用 3D ToF (飛時(shí)測距，Time of Flight)技術(shù)的 X 光機(jī)，其中核心的圖像感測器由 SONY 制造。該設(shè)備預(yù)計(jì)明年上半年推出，產(chǎn)量為數(shù)千臺(tái)。 發(fā)表于：2023/1/18 半導(dǎo)體需求下滑又怎樣，三星宣布大幅提升平澤P3廠DRAM及晶圓代工產(chǎn)能 根據(jù)韓國《首爾經(jīng)濟(jì)日報(bào)》 報(bào)導(dǎo)，盡管全球經(jīng)濟(jì)形勢持續(xù)放緩，半導(dǎo)體市場需求也在持續(xù)下行，但三星仍計(jì)劃在2023 年逆勢將平澤P3廠的DRAM 和晶圓代工產(chǎn)能。 發(fā)表于：2023/1/18 14萬一片晶圓！臺(tái)積電3nm工藝報(bào)價(jià)翻倍：蘋果成最堅(jiān)定客戶 1月16日消息，臺(tái)積電3nm制程工藝量產(chǎn)在即，受到了行業(yè)的高度關(guān)注。相較于5nm制程工藝，臺(tái)積電在3nm工藝上報(bào)價(jià)高達(dá)2萬美元一片，約合人民幣14萬元。按照這樣的漲價(jià)幅度，或許只有蘋果成為3nm工藝最堅(jiān)定的首批客戶。 發(fā)表于：2023/1/18 半導(dǎo)體板塊越挫越勇！ 1月16日電，半導(dǎo)體芯片股集體走高。截至收盤，英集芯、芯朋微漲超10％，盈方微漲停，韋爾股份、唯捷創(chuàng)芯等紛紛大漲。 發(fā)表于：2023/1/18 2022年，全球70%的芯片，都跑到中國來“旅游”了一圈？ 近日，海關(guān)數(shù)據(jù)顯示，2022年中國進(jìn)口集成電路5384億顆，較2021年下降15．3％。但是按價(jià)值計(jì)算，中國集成電路進(jìn)口額為4156億美元，與2021年相比僅下降3．9％。 發(fā)表于：2023/1/18 直流輸入光晶體管耦合器MPC356引腳圖及功能 耦合器以光為媒介傳輸電信號(hào)；它對輸入、輸出電信號(hào)有良好的隔離作用，一般由三部分組成：光的發(fā)射、光的接收及信號(hào)放大；所以，它在各種電路中得到廣泛的應(yīng)用；已成為種類多、用途廣的光電器件之一 發(fā)表于：2023/1/18 一顆芯片的奇幻之旅：美國設(shè)計(jì)，臺(tái)灣制造，出口到中國，賣到全球 近日，海關(guān)公布了2022年的進(jìn)出口數(shù)據(jù)，其中2022年中國進(jìn)口集成電路5384億顆，進(jìn)口額為4156億美元。 發(fā)表于：2023/1/18 中科院微電子所在CAA新結(jié)構(gòu)的3D DRAM研究取得進(jìn)展 隨著尺寸的不斷微縮，1T1C結(jié)構(gòu)動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（DRAM）的存儲(chǔ)電容限制問題愈發(fā)顯著，導(dǎo)致傳統(tǒng)1T1C-DRAM面臨微縮瓶頸?；阢熸変\氧（IGZO）晶體管的2T0C-DRAM有望突破1T1C-DRAM的微縮瓶頸，在3D DRAM方面發(fā)揮更大的優(yōu)勢。但目前的研究工作都基于平面結(jié)構(gòu)的IGZO器件，形成的2T0C單元尺寸（大約20F2）比相同特征尺寸下的1T1C單元尺寸（6F2）大很多，使IGZO-DRAM缺少密度優(yōu)勢。 發(fā)表于：2023/1/17 從2022年中國芯片進(jìn)口看到兩個(gè)“殘酷”事實(shí)：芯片國產(chǎn)化和市場萎靡 近日，海關(guān)公布了2022年芯片進(jìn)口數(shù)據(jù)情況。據(jù)數(shù)據(jù)顯示，2022 年中國進(jìn)口集成電路5384億件，比 2021 年下降 15%。按價(jià)值計(jì)算，中國集成電路進(jìn)口額為4156億美元，與2021年相比下降5%左右。而2021年中國芯片進(jìn)口量增長16.9%，2020年增長22.1%。 發(fā)表于：2023/1/17 專家：美國軍用芯片供應(yīng)危矣！智能型軍火“嚴(yán)重耗盡” 根據(jù)產(chǎn)業(yè)人士與政府事務(wù)觀察家的看法，由于對美國國內(nèi)制造產(chǎn)能的投資不足，美國國防部(DoD)可能要花幾年的時(shí)間才能擺脫對亞洲芯片的依賴。 發(fā)表于：2023/1/17 汽車電子化趨勢下，車載MLCC電容發(fā)生了哪些變化？ 消費(fèi)電子市場式微烘托了其他新的熱點(diǎn)，近一年最受關(guān)注的應(yīng)該就是汽車電子了。市場的變化，也帶動(dòng)了不少半導(dǎo)體企業(yè)中短期內(nèi)的發(fā)展側(cè)重點(diǎn)變化。 發(fā)表于：2023/1/17 科學(xué)家發(fā)明鋰電池正極材料制備新方法 可有效提升電池續(xù)航能力 新華社北京1月14日電(記者魏夢佳、王琳琳)電池是新能源汽車和消費(fèi)電子產(chǎn)品的“心臟”，續(xù)航極大程度影響著消費(fèi)者的購買意愿。隨著市場對續(xù)航要求的不斷提升，高能量密度成為電池技術(shù)發(fā)展的主流趨勢?？茖W(xué)家以鋰電池正極材料為突破口，針對電池在高電壓服役時(shí)容易出現(xiàn)的失效和燃爆等安全問題，發(fā)明了一種材料制備新方法，可有效提升電池續(xù)航能力。 發(fā)表于：2023/1/17 ?…75767778798081828384…?
