工業(yè)自動化最新文章 ADC的電源選型 ADC是一個敏感器件，要好好對待它的各個輸入端口，才能得到它本身的性能。 常規(guī)的，我們會在輸入端加入抗混疊濾波器，時鐘端使用抖動極低的時鐘芯片的輸出，那電源輸入端呢？ 發(fā)表于：8/11/2019 氮化鎵半導體材料在5G時代的應用前景 氮化鎵，分子式為GaN，是研制微電子器件、光電子器件的新型半導體材料，并與SiC、金剛石等半導體材料一起，被譽為是繼第一代Ge、Si半導體材料、第二代GaAs、InP化合物半導體材料之后的第三代半導體材料。 發(fā)表于：8/11/2019 氮化鎵在射頻領(lǐng)域的優(yōu)勢盤點 氮化鎵是一種二元III/V族直接帶隙半導體晶體，也是一般照明LED和藍光播放器最常使用的材料。另外，氮化鎵還被用于射頻放大器和功率電子器件。氮化鎵是非常堅硬的材料;其原子的化學鍵是高度離子化的氮化鎵化學鍵，該化學鍵產(chǎn)生的能隙達到3.4 電子伏特。 發(fā)表于：8/11/2019 射頻氮化鎵市場前景分析 據(jù)麥姆斯咨詢介紹，近年來，GaN憑借高頻下更高的功率輸出和更小的占位面積，被射頻行業(yè)大量應用。在電信基礎(chǔ)設(shè)施和國防兩大主要市場的推動下，預計到2024年RF GaN整體市場規(guī)模將增長至20億美元。 發(fā)表于：8/11/2019 電信和國防應用推動射頻氮化鎵(RF GaN)蓬勃發(fā)展 專利之爭全面開啟 電信和國防應用推動射頻氮化鎵(RF GaN)蓬勃發(fā)展。根據(jù)市調(diào)機構(gòu)Yole Développement調(diào)查指出，RF GaN產(chǎn)業(yè)于2017~2023年間的年復合增長率達到23%。隨著工業(yè)不斷地發(fā)展，截至2017年底，RF GaN市場產(chǎn)值已經(jīng)接近3.8億美元，2023年將達到13億美元以上。 發(fā)表于：8/11/2019 氮化鎵的世界你知道多少？！ 氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導體。 發(fā)表于：8/11/2019 中國5G氮化鎵PA產(chǎn)業(yè)及市場分析（下）：重要企業(yè)與產(chǎn)品匯總 GaN-on-SiC 射頻器件的供應商主要為 IDM 企業(yè)，核心產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節(jié)包括 SiC 襯底材料制作、GaN 材料外延生長、器件設(shè)計和制造、封裝測試。本文將從 SiC 襯底、GaN 材料外延、器件設(shè)計和制造三個環(huán)節(jié)來闡述。 發(fā)表于：8/11/2019 中國5G氮化鎵PA產(chǎn)業(yè)及市場分析（上） GaN 是屬于異質(zhì)結(jié) HEMT（High Electron Mibility Transistro），異質(zhì)結(jié)就是利用一種比 GaN 禁帶寬度更高的(Al，Ga)GaN 與 GaN 組合在一起。 由于(Al，Ga)GaN 和 GaN 的異質(zhì)結(jié)存在兩種極化效應：自發(fā)極化(RSP)和壓電極化(RPE)，正是由于這兩種極化共同作用，所以在(Al，Ga)GaN 和 GaN 的界面處產(chǎn)生極化靜電荷，從而形成兩維電子氣（2DEG:2-D electron gas)，2DEG 的速度比普通的電子快 2.7 倍，因此其擁有更高的工作頻率。 發(fā)表于：8/11/2019 GaN（氮化鎵）適用于哪些關(guān)鍵領(lǐng)域？ 半導體 行業(yè)在摩爾定律的“魔咒”下已經(jīng)狂奔了50多年，一路上挾風帶雨，好不風光。不過隨著半導體工藝的特征尺寸日益逼近理論極限，摩爾定律對半導體行業(yè)的加速度已經(jīng)明顯放緩。 發(fā)表于：8/11/2019 藍寶石微講堂第五十三期-氮化鎵芯片產(chǎn)業(yè)鏈投資分析（上篇） 2019“振華半導體”藍寶石&半導體上海高峰論壇，浙江品利基金的投資總監(jiān)王飛堯作為嘉賓為參會的各位行業(yè)同仁做了關(guān)于《氮化鎵芯片產(chǎn)業(yè)鏈投資分析》的專題報告。報告闡述了氮化鎵材料的特性及其應用市場，并簡要分析了不同硅、碳化硅、氮化鎵、藍寶石等基體材料對氮化鎵的應用和影響。 發(fā)表于：8/11/2019 全球功率GaN產(chǎn)業(yè)鏈七大版塊及代表廠商一覽 在電源管理領(lǐng)域，隨著應用對高壓和高性能的要求逐步提升，GaN（氮化鎵）越來越受到重視。從理論的角度來看，GaN提供了超越傳統(tǒng)硅MOSFET的技術(shù)優(yōu)勢。盡管目前的功率GaN市場與32.8億美元的硅電源管理市場相比顯得微不足道，但GaN器件正在向各應用領(lǐng)域滲透，例如，LiDAR，這是高端應用，可充分利用功率GaN的高頻開關(guān)特性。據(jù)Yole Développement預測，到2023年，功率GaN市場規(guī)模將達到4.23億美元，復合年增長率（CAGR）為93％。 發(fā)表于：8/11/2019 干貨|2019年氮化鎵半導體材料行業(yè)研究報告 2019年6月3日，人們?nèi)請笙⒎Q，工業(yè)和信息化部將于近期發(fā)放5G商用牌照，我國將正式進入5G商用元年。 發(fā)表于：8/11/2019 RF GaN市場蓬勃發(fā)展的關(guān)鍵是什么？ 據(jù)麥姆斯咨詢介紹，近年來，由于氮化鎵（GaN）在射頻（RF）功率應用中的附加價值（例如高頻率下的更高功率輸出和更小的占位面積），RF GaN產(chǎn)業(yè)經(jīng)歷了驚人的高增長。根據(jù)Yole最近發(fā)布的《射頻氮化鎵技術(shù)、應用及市場-2019版》報告，在無線基礎(chǔ)設(shè)施和國防兩大主要應用的推動下，RF GaN整體市場規(guī)模到2024年預計將增長至20億美元。 發(fā)表于：8/11/2019 《射頻（RF）氮化鎵技術(shù)及廠商專利全景分析-2019版》 近年來，RF GaN市場的發(fā)展令人印象深刻，重塑了RF功率器件的產(chǎn)業(yè)格局。在電信和國防應用的推動下，RF GaN行業(yè)將持續(xù)增長，而隨著5G應用的到來，RF GaN市場將加速發(fā)展。據(jù)麥姆斯咨詢介紹，RF GaN市場總規(guī)模預計將從2017年的3.8億美元到2023年增長到13億美元。 發(fā)表于：8/11/2019 深度評論：中國半導體產(chǎn)業(yè)缺人嗎？ 很多媒體說中國半導體人才匱乏，但是根據(jù)筆者自己在這個行業(yè)的觀察，我認為中國半導體行業(yè)并不缺人。從研發(fā)人員、管理人員到技術(shù)人員、操作人員，各個技術(shù)層級、各個不同的崗位，中國不缺人，不缺優(yōu)秀的人！ 發(fā)表于：8/6/2019 ?…489490491492493494495496497498…?
