微波濾波器是用來分離不同頻率微波信號的一種器件。它的主要作用是抑制不需要的信號, 使其不能通過濾波器, 只讓需要的信號通過。在微波電路系統(tǒng)中,濾波器的性能對電路的性能指標有很大的影響,因此如何設計出一個具有高性能的濾波器,對設計微波電路系統(tǒng)具有很重要的意義。微帶電路具有體積小,重量輕、頻帶寬等諸多優(yōu)點,近年來在微波電路系統(tǒng)應用廣泛,其中用微帶做濾波器是其主要應用之一,因此本節(jié)將重點研究如何設計并優(yōu)化微帶濾波器。
1 微帶濾波器的原理
微帶濾波器當中最基本的濾波器是微帶低通濾波器,而其它類型的濾波器可以通過低通濾波器的原型轉化過來。最大平坦濾波器和切比雪夫濾波器是兩種常用的低通濾波器的原型。微帶濾波器中最簡單的濾波器就是用開路并聯(lián)短截線或是短路串聯(lián)短截線來代替集總元器件的電容或是電感來實現(xiàn)濾波的功能。這類濾波器的帶寬較窄,雖然不能滿足所有的應用場合,但是由于它設計簡單,因此在某些地方還是值得應用的。
2 濾波器的分類
最普通的濾波器的分類方法通常可分為低通、高通、帶通及帶阻四種類型。圖12.1給出了這四種濾波器的特性曲線。
按濾波器的頻率響應來劃分,常見的有巴特沃斯型、切比雪夫Ⅰ型、切比雪夫Ⅱ型及橢圓型等;按濾波器的構成元件來劃分,則可分為有源型及無源型兩類;按濾波器的制作方法和材料可分為波導濾波器、同軸線濾波器、帶狀線濾波器、微帶濾波器。
3 微帶濾波器的設計指標
微帶濾波器的設計指標主要包括:
1絕對衰減(Absolute attenuation):阻帶中最大衰減(dB)。
2帶寬(Bandwidth):通帶的3dB帶寬(flow—fhigh)。
3中心頻率:fc或f0。
4截止頻率。下降沿3dB點頻率。
5每倍頻程衰減(dB/Octave):離開截止頻率一個倍頻程衰減(dB)。
6微分時延(differential delay):兩特定頻率點群時延之差以ns計。
7群時延(Group delay):任何離散信號經過濾波器的時延(ns)。
8插入損耗(insertion loss):當濾波器與設計要求的負載連接,通帶中心衰減,dB
9帶內波紋(passband ripple):在通帶內幅度波動,以dB計。
10相移(phase shift):當信號經過濾波器引起的相移。
11品質因數Q(quality factor):中心頻率與3dB帶寬之比。
12反射損耗(Return loss)
13形狀系數(shape factor):定義為。
14止帶(stop band或reject band):對于低通、高通、帶通濾波器,指衰減到指定點(如60dB點)的帶寬。
工程應用中,一般要求我們重點考慮通帶邊界頻率與通帶衰減、阻帶邊界頻率與阻帶衰減、通帶的輸入電壓駐波比、通帶內相移與群時延、寄生通帶。前兩項是描述衰減特性的,是濾波器的主要技術指標,決定了濾波器的性能和種類(高通、低通、帶通、帶阻等);輸入電壓駐波比描述了濾波器的反射損耗的大??;群時延是指網絡的相移隨頻率的變化率,定義為 dU/df ,群時延為常數時,信號通過網絡才不會產生相位失真;寄生通帶是由于分布參數傳輸線的周期性頻率特性引起的,它是離設計通帶一定距離處又出現(xiàn)的通帶,設計時要避免阻帶內出現(xiàn)寄生通帶。
4 微帶濾波器的設計
本小節(jié)設計一個微帶低通濾波器,濾波器的指標如下:
通帶截止頻率:3GHz。
通帶增益:大于-5dB,主要由濾波器的S21參數確定。
阻帶增益:在4.5GHz以上小于-48dB,也主要由濾波器的S21參數確定。
通帶反射系數:小于-22dB,由濾波器的S11參數確定。
在進行設計時,我們主要是以濾波器的S參數作為優(yōu)化目標。S21(S12)是傳輸參數,濾波器通帶、阻帶的位置以及增益、衰減全都表現(xiàn)在S21(S12)隨頻率變化的曲線上。S11(S22)參數是輸入、輸出端口的反射系數,如果反射系數過大,就會導致反射損耗增大,影響系統(tǒng)的前后級匹配,使系統(tǒng)性能下降。
了解了濾波器的設計原理以及設計指標后,下面開始設計微帶低通濾波器。
4.1建立工程
新建工程,選擇【File】→【New Project】,系統(tǒng)出現(xiàn)新建工程對話框。在name欄中輸入工程名:microstrip_filter,并在Project Technology Files欄中選擇ADS Standard:Length unit——millimet,默認單位為mm,如圖12.2所示。單擊OK,完成新建工程,此時原理圖設計窗口會自動打開。
4.2原理圖和電路參數設計
工程文件創(chuàng)立完畢后,下面介紹微帶低通濾波器的原理圖設計過程。
1)在原理圖設計窗口中選擇TLines-Microstrip元件面板列表,窗口左側的工具欄變?yōu)槿鐖D12.3所示。并選擇6個MLIN、5個MLOC、1個MSUB按照圖12-4所示的方式連接起來。
2)設置圖12-4中的控件MSUB微帶線參數
H:基板厚度(0.1 mm)
Er:基板相對介電常數(2.16)
Mur:磁導率(1)
Cond:金屬電導率(6.14E+7)
Hu:封裝高度(1.0e+33 mm)
T:金屬層厚度(0.001 mm)
TanD:損耗角正切(1e-3)
Roungh:表面粗糙度(0 mm)
完成設置的MSUB控件如圖12.5所示。
3)濾波器兩端的引出線是50 Ohm的微帶線,它的寬度W可由微帶線計算工具算出。選擇【Tools】→【LineCalc】→【Start LineCalc】命令。在打開的窗口中輸入如圖12-6所示的內容。
在Substrate Parameters欄中填入與MSUB相同的微帶線參數。
在Component Parameters欄中填入中心頻率(本例為3.0GHz)。
Physical欄中的W和L分別表示微帶線的寬和長。
Electrical欄中的Z0和E_Eff分別表示微帶線的特性阻抗和相位延遲,點擊Synthesize和Analyze欄中的和箭頭,可以進行W、L與Z0、E_Eff間的相互換算。本例中Z0為50Ohm,E_Eff為45deg,W為0.31008mm,L為9.18284mm。另外打開的一個窗口顯示當前運算狀態(tài)以及錯誤信息,如圖12.7所示。
4)雙擊兩邊的引出線TL1、TL6,分別將其寬與長設為0.31006 mm和1.5 mm。其余的微帶線長度設為9.18284,寬度是濾波器設計和優(yōu)化的主要參數,因此要用變量代替,便于后面修改和優(yōu)化。微帶濾波器的結構是對稱的,因此設置了W1、W2、W3、W4、W5共5個變量。
雙擊每個微帶線設置參數,W分別設為相應的變量,單位mm。在設置寬度的5個變量時,為了讓它們顯示在原理圖上,要把Display parameter on schematic的選項勾上。設置完變量的原理圖如圖12.8所示。
5)由于原理圖中的MLIN和MLOC的寬度都是變量,因此需要在原理圖中添加一個變量控件。單擊工具欄上的VAR 圖標,把變量控件VAR放置在原理圖上,雙擊該圖標彈出變量設置窗口,依次添加各微帶線的W參數。
在Name欄中填變量名稱,Variable Value欄中填變量的初值,點擊Add添加變量,然后單擊Tune/Opt/Stat/DOE Setup…按鈕設置變量的取值范圍,其中的Enabled/Disabled表示該變量是否能被優(yōu)化,Minimum Value表示可優(yōu)化的最小值Maximum Value表示可優(yōu)化的最大值,如圖12.9,12.10所示。
微帶濾波器中微帶線的變量值及優(yōu)化范圍設置如下。
W1=0.1679 opt{ 0.1 to2 },表示W1的默認值為0.1679,變化范圍為0.1到2。
W2=0.4772 opt{ 0.1 to 2 },表示W2的默認值為0.4772,變化范圍為0.1到2。
W3=0.5124 opt{ 0.1 to 2 },表示W3的默認值為0.5124,變化范圍為0.1到2。
W4=0.1269 opt{ 0.1 to 2 },表示W4的默認值為0.1269,變化范圍為0.1到2。
W5=0.1203 opt{ 0.1 to 2 },表示W5的默認值為0.1203,變化范圍為0.1到2。
這樣一個完整的微帶低通濾波器的電路就完成了,如圖12.11所示。
4.3 S參數仿真設置和原理圖仿真
上面已經詳細的闡述了原理圖的設計以及電路參數的設置,下面介紹S參數仿真設置和原理圖仿真。在執(zhí)行仿真之前,先進行S參數仿真設置。
1)S參數仿真設置
在原理圖設計窗口中選擇S參數仿真工具欄,Simulation-S_Param。選擇Term放置在濾波器兩邊,用來定義端口1和2,并放置兩個地,按照圖12.12連接好電路。
選擇S參數掃描控件放置在原理圖中,并設置掃描的頻率范圍和步長。雙擊S參數仿真控制器,參數設置如下。
Start=0 GHz,表示頻率掃描的起始頻率為0 GHz。
Stop=5 GHz,表示頻率掃描的終止頻率為5 GHz。
Step=0.01 GHz,表示頻率掃描的頻率間隔為0.01 GHz。
完成參數設置的S參數仿真控制器如圖12.13所示。
調整電路原理圖和各種控件,最終得到的電路原理圖如圖12.14所示。
這樣就完成了微帶低通濾波器S參數的仿真設置,下面開始對濾波器進行仿真。
2) 原理圖仿真
單擊工具欄上的simulate按鈕或是點擊simulate→simulate,當仿真結束后,系統(tǒng)會自動彈出一個數據顯示窗口,在數據顯示窗口中插入一個S21參數的矩形圖,再點擊maker→New,可在圖中加一標記,如圖12.15所示。從圖中可以看出,S21參數曲線是一個低通濾波器的形狀,但是與設計指標的要求還有一定的差距。以同樣的方式插入一個S11參數的矩形圖,加上一個Marker點,如圖12.16所示。從圖中可以看出,S11在通帶內基本滿足工程設計的要求,但是還有待于進一步改善,使端口的反射系數更小。
通過仿真我們可以看出,濾波器的參數指標還不滿足要求,這就需要我們通過優(yōu)化仿真來使濾波器的參數滿足設計的要求,下面就來介紹關于電路優(yōu)化方面的內容。
4.4優(yōu)化電路參數
由于濾波器的參數并未達到指標要求,因此需要優(yōu)化電路參數,使之達到設計要求。優(yōu)化電路參數的具體步驟如下:
1) 在原理圖設計窗口中選擇優(yōu)化面板列表optim/stat/Yield/DOE,在列表中選擇優(yōu)化控件optim,雙擊該控件設置優(yōu)化方法和優(yōu)化次數,常用的優(yōu)化方法有Random(隨機)、Gradient(梯度)等。隨機法通常用于大范圍搜索,梯度法則用于局部收斂。設置完成的控件如圖12.17所示。
2)在優(yōu)化面板列表中選擇優(yōu)化目標控件Goal放置在原理圖中,雙擊該控件設置其參數,如圖12.18所示。
Expr是優(yōu)化目標名稱,其中dB(S(2,1))表示以dB為單位的S21參數的值。
SimlnstanceName是仿真控件名稱,這里選擇SP1
Min和Max是優(yōu)化目標的最小與最大值。
Weight是指優(yōu)化目標的權重。
RangeVar[1]是優(yōu)化目標所依賴的變量,這里為頻率freq。
RangeMin[1]和RangeMax[1]是上述變量的變化范圍。
這里總共設置了三個優(yōu)化目標,前二個的優(yōu)化參數都是S21,用來設定濾波器的通帶和阻帶的頻率范圍及衰減情況,最后一個的優(yōu)化參數是S11,用來設定通帶內的反射系數(這里要求小于-25dB),具體如圖12.19所示。由于原理圖仿真和實際情況會有一定的偏差,在設定優(yōu)化參數時,可以適當增加通帶寬度。對于其它的參數,也可以根據優(yōu)化的結果進行一定的調整。
3)設置完優(yōu)化目標后把原理圖存儲一下,然后點擊工具欄中的Simulate按鈕開始進行優(yōu)化仿真。在優(yōu)化過程中會打開一個狀態(tài)窗口顯示優(yōu)化的結果(如圖12.20),其中的CurrentEF表示與優(yōu)化目標的偏差,數值越小表示越接近優(yōu)化目標,0表示達到了優(yōu)化目標,下面還列出了各優(yōu)化變量的值,當優(yōu)化結束時還會打開數據顯示窗口。在數據顯示窗口中我們可以觀察S11參數和S21參數,如圖12.21所示。從圖中可以看出,濾波器的S11參數和S21參數滿足設計要求。
需要注意的是在一次優(yōu)化完成后,要點擊原理圖窗口菜單中的Simulate -> Update Optimization Values保存優(yōu)化后的變量值(在VAR控件上可以看到變量的當前值),否則優(yōu)化后的值將不保存。
如果一次優(yōu)化不能滿足設計指標要求,根據情況需要對優(yōu)化目標、優(yōu)化變量的取值范圍、優(yōu)化方法及次數進行適當的調整,經過數次優(yōu)化后,當CurrentEf的值為0,即為優(yōu)化結束。
4)優(yōu)化完成后必須關掉優(yōu)化控件,才能觀察仿真的曲線。點擊原理圖工具欄中的按鈕,然后點擊優(yōu)化控件OPTIM,則控件上打了紅叉表示已經被關掉。要想使控件重新開啟,只需點擊工具欄中的按鈕,然后點擊要開啟的控件,則控件上的紅叉消失,功能也重新恢復了。對于原理圖上其他的部件,如果想使其關閉或開啟,也可以采取同樣的方法。
5)點擊工具欄中的Simulate按鈕進行仿真,仿真結束后會出現(xiàn)數據顯示窗口。在數據顯示窗口觀察濾波器的S11和S21曲線,其結果與優(yōu)化結果相同。
4.5其他參數
在進行原理圖仿真時,還可以看到濾波器的群時延以及輸入的電壓駐波比等參數。雙擊S參數控件,在其設置窗口的Parameters選項卡中勾上Group delay選項,就會在仿真時計算群時延。把左側工具欄設為Simulation-S_param,并把VSWR控件放置在原理圖中,即可計算輸入駐波比。
要觀察這兩個參數的曲線,只需在仿真后出現(xiàn)的圖形顯示窗口中添加delay(2,1)及VSWR的曲線即可。當優(yōu)化完成后,還可以把S參數仿真的頻率范圍加大,看看濾波器的寄生通帶出現(xiàn)在什么頻率上。
4.6 版圖的生成與仿真
原理圖的仿真是在完全理想的狀態(tài)下進行的,而實際電路板的制作往往和理論有較大的差距,這就需要我們考慮一些干擾、耦合等外界因素的影響。因此需要在ADS中進一步對版圖仿真。
1) 版圖的生成
版圖的仿真是采用矩量法直接對電磁場進行計算,其結果比在原理圖中仿真要準確,但是它的計算比較復雜,需要較長的時間,可作為對原理圖設計的驗證。
①首先要由原理圖生成版圖,生成版圖前先要把原理圖中用于S參數仿真的兩個Term以及接地去掉,不讓他們出現(xiàn)在生成的版圖中。去掉的方法與前面關掉優(yōu)化控件的相同,都是使用按鈕,把這些元件打上紅叉。
②然后點擊菜單中的Layout -> Generate/Update Layout,彈出一個設置窗口(如圖12.22),直接點OK,又出現(xiàn)一個窗口(如圖12.23),再點OK,完成版圖的生成,這時會打開一個顯示版圖的窗口,里面有剛生成的版圖(如圖12.24) 。
③版圖生成后先要設置微帶電路的基本參數(即原理圖中MSUB里的參數),點擊版圖窗口菜單中的Momentum -> Substrate -> Update From Schematic從原理圖中獲得這些參數,點擊Momentum -> Substrate -> Create/Modify可以修改這些參數。
④為了進行S參數仿真,需要在濾波器兩側添加兩個端口,點擊工具欄上的Port按鈕,彈出port設置窗口,點擊OK關閉該窗口,在濾波器兩邊要加端口的地方分別點擊添加上兩個port端口。
2) 版圖的仿真
①點擊Momentum -> Simulation -> S-parameter彈出仿真設置窗口,該窗口右側的Sweep Type選擇Adaptive,起止頻率設為與原理圖中相同,采樣點數限制取10 (因為仿真很慢,所以點數不要取得太多)。然后點擊Update按鈕,將設置填入左側列表中,點擊Simulate按鈕開始進行仿真。仿真過程中會出現(xiàn)一個狀態(tài)窗口顯示仿真進程。
②仿真運算要進行一段時間,仿真結束后將出現(xiàn)數據顯示窗口,觀察S11和S21曲線,性能有不同程度的惡化(如圖12.25),此處S11的值大概為-24dB,S21的值大概為-48dB,基本達到了指標要求。
③如果版圖仿真得到的曲線不滿足指標要求,那么要重新回到原理圖窗口進行優(yōu)化仿真,產生這種情況的原因是微帶線的寬度取值不合適,可以改變優(yōu)化變量的初值,也可根據曲線與指標的差別情況適當調整優(yōu)化目標的參數,重新進行優(yōu)化。
④在返回原理圖重新優(yōu)化時,要先使剛才打紅上叉的部件恢復有效,然后才能進行優(yōu)化,之后重復前面所述的過程,直到版圖仿真的結果達到要求為止。
3) 版圖的制作
版圖的仿真完成后要根據結果用Protel軟件或是AutoCAD繪制電路版圖,繪制版圖時要注意以下幾點。
①所用電路板是普通的雙層板,上層用來繪制電路,下層整個作為接地。
②在繪制版圖時受加工工藝的限制,尺寸精度到0.01 mm即可,線寬和縫隙寬度要大于0.2mm
③考慮到加工電路板時的側向腐蝕問題,微帶線的寬度和長度要適當增加。
④版圖的大小要符合規(guī)定尺寸,以便于安裝在測試架上。