11月3日消息，據(jù)外媒報(bào)道，晶圓代工龍頭大廠(chǎng)臺(tái)積電與人工智能（AI）芯片大廠(chǎng)英偉達(dá)（NVIDIA）目前正在針對(duì)其最新A16 制程進(jìn)行聯(lián)合測(cè)試，可能英偉達(dá)已經(jīng)獨(dú)家取得了臺(tái)積電即A16制程的產(chǎn)能。

根據(jù)資料顯示，臺(tái)積電A16 制程采用了納米片晶體管（nanosheet transistors）和超級(jí)電軌（Super Power Rail）技術(shù)。相較于N2P制程，A16 在相同功耗和速度下，速度增快8~10%、功耗降低15~20%、芯片密度提升7~10%，計(jì)劃2026年下半年進(jìn)入量產(chǎn)。英偉達(dá)預(yù)計(jì)將利用臺(tái)積電A16制程來(lái)生產(chǎn)其下一代Feynman GPU 架構(gòu)，該架構(gòu)預(yù)計(jì)在2028 年發(fā)布。

值得注意的是，A16 制程技術(shù)對(duì)GPU 的先進(jìn)封裝提出了更高的要求，當(dāng)中需要更多的硅通孔（TSV, Through-Silicon Via），以具備更好的連結(jié)與散熱控制能力。事實(shí)上，先進(jìn)封裝技術(shù)，特別是臺(tái)積電的CoWoS 已成為限制AI 晶片供應(yīng)的關(guān)鍵瓶頸，而英偉達(dá)正因?yàn)榕_(tái)積電的先進(jìn)封裝產(chǎn)能支持，從而占據(jù)極大優(yōu)勢(shì)。根據(jù)資料顯示，英偉達(dá)在2025 年已訂購(gòu)了臺(tái)積電CoWoS-L 年產(chǎn)能的70%。因此，這也造成臺(tái)積電CoWoS 的產(chǎn)能吃緊的情況下，委外封裝測(cè)試服務(wù)供應(yīng)商（OSATs）和設(shè)備制造商也獲得了市場(chǎng)機(jī)會(huì)。

而臺(tái)積電為了應(yīng)對(duì)CoWoS 先進(jìn)封裝產(chǎn)能瓶頸，臺(tái)積電正積極開(kāi)發(fā)替代方案，包括CoPoS，以及計(jì)劃中的晶圓級(jí)封裝，借新的設(shè)備和合作伙伴的加入，滿(mǎn)足市場(chǎng)龐大的需求。

另外，HBM 的供應(yīng)與先進(jìn)封裝同樣影響AI芯片的競(jìng)爭(zhēng)格局。目前HBM3E 的堆疊高度為12 層，未來(lái)HBM4 有望達(dá)到16 層堆疊，這很可能需要使用混合鍵合（hybrid bonding）技術(shù)，特別是在HBM4E 上。在這種情況下，先進(jìn)封裝的產(chǎn)能瓶頸可能將使得HBM4 供應(yīng)緊張。

面對(duì)供應(yīng)鏈的限制，大型云端服務(wù)供應(yīng)商（Hyperscalers）及其芯片新創(chuàng)公司正受到臺(tái)積電CoWoS 供應(yīng)短缺的影響。為了降低對(duì)外部供應(yīng)商的依賴(lài)，業(yè)界正采取多項(xiàng)戰(zhàn)略包括建立替代的封裝生產(chǎn)線(xiàn)，以及轉(zhuǎn)向垂直整合。其中，垂直整合就代表著將設(shè)計(jì)到制造堆疊的更多環(huán)節(jié)納入自身掌控，以確保供應(yīng)鏈的韌性。

總體而言，英偉達(dá)通過(guò)鎖定臺(tái)積電最尖端的A16 制程，結(jié)合其在CoWoS 產(chǎn)能上的巨大預(yù)留量，在下一代AI芯片的競(jìng)爭(zhēng)中筑起了高聳的壁壘。而產(chǎn)業(yè)其他參與者則必須通過(guò)創(chuàng)新封裝技術(shù)和實(shí)施垂直整合策略，以打破當(dāng)前的供應(yīng)鏈瓶頸，爭(zhēng)奪未來(lái)的AI 算力市場(chǎng)。