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英偉達(dá)新一代顯卡Feynman首發(fā)將1.6nm工藝

2025-10-31
來(lái)源:快科技
關(guān)鍵詞: 英偉達(dá) Feynman 顯卡 1.6nm

10月30日消息,在前兩天的GTC華盛頓大會(huì)上,NVIDIA又發(fā)布了多款重量級(jí)AI產(chǎn)品,以Rubin GPU為核心衍生了多款超高性能AI服務(wù)器。

在這次會(huì)議上,NVIDIA也揭示了新一代產(chǎn)品,那就是代號(hào)Feynman的GPU,名字來(lái)源于美國(guó)理論物理學(xué)家理查德·費(fèi)曼,是量子力學(xué)大佬,1965年獲得了諾貝爾物理學(xué)獎(jiǎng)。

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當(dāng)然,現(xiàn)在是沒(méi)有公布Feynman架構(gòu)的任何規(guī)格的,只知道會(huì)搭配下一代HBM內(nèi)存,至少要到2027年才會(huì)問(wèn)世。

不過(guò)Feynman這一代的GPU會(huì)有一個(gè)重要變化,那就是首發(fā)臺(tái)積電的A16工藝,也就是1.6nm級(jí)別的工藝,是2nm的下一個(gè)節(jié)點(diǎn),實(shí)際上它才是最初的2nm完整版。

除了具備N(xiāo)2工藝的GAA晶體管結(jié)構(gòu)之外,A16工藝有一個(gè)絕技,那就是加入了背面供電技術(shù),類(lèi)似Intel在18A工藝中PowerVia的做法,但臺(tái)積電的背面供電技術(shù)路線不同,使用的是SRP背面供電,提升了密度和性能,還提高了供電能力。

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根據(jù)臺(tái)積電的說(shuō)法,相比N2P制程,A16在相同Vdd(工作電壓)下性能提升8-10%,在相同速度下,功耗降低15-20%,晶片密度高達(dá)1.10倍,特別適用于具有復(fù)雜訊號(hào)線路和高密度供電線路的高性能計(jì)算(High-Performance Computing,HPC)產(chǎn)品。

總之,A16工藝比N2工藝更適合AI芯片,能效會(huì)更高,這可能跟未來(lái)的AI芯片功耗越來(lái)越高有關(guān),現(xiàn)在的Vera Rubin Ultra都要超過(guò)4000W了,就算使用液冷散熱都有很高壓力,F(xiàn)eynman這一代功耗只會(huì)更高。

NVIDIA的Feynman將會(huì)是臺(tái)積電A16工藝的第一個(gè)客戶(hù),這也是20多年來(lái)NVIDIA再次首發(fā)臺(tái)積電的全新工藝,要知道這十多年來(lái)都是蘋(píng)果首發(fā)新工藝,畢竟NVIDIA今年或者明年就會(huì)變成臺(tái)積電最大客戶(hù),取代蘋(píng)果的地位。


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